Multi-stack interface dipole modulation memory and analog operation dynamics
Multi-stack interface dipole modulation memory and analog operation dynamics
多堆栈接口偶极子调制存储器和模拟操作动态
批准号：
16H02335
负责人：
MIYATA noriyuki
金额：
$26.79万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
财政年份：
2016
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2016-04-01 至 2019-03-31
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Electric Field Controlled Analog Memory based on Interface Dipole Modulation in HfO2/SiO2 Multi-Stacked Structures
HfO2/SiO2 多层结构中基于界面偶极子调制的电场控制模拟存储器
HfO2/SiO2 多层结构中基于界面偶极子调制的电场控制模拟存储器
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Daisuke Yamane, Toshifumi Konishi, Teruaki Safu, Hiroshi Toshiyoshi, Masato Sone, Kazuya Masu and Katsuyuki Machida, 溝端悠大，富永直樹，曽我部友輔，雨宮尚之, 山下直人 伊藤彰太 高橋健太 前田寛陽 佐々木信也, Noriyuki Miyata]
通讯作者：
Noriyuki Miyata
シナプス素子
突触元件
突触元件
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
HfO2/SiO2 MOS積層構造中の界面ダイポール変調動作
HfO2/SiO2 MOS堆叠结构中的界面偶极子调制操作
HfO2/SiO2 MOS堆叠结构中的界面偶极子调制操作
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[宮田, 奈良, 山崎, 住田, 佐野, 野平]
通讯作者：
野平
Gate-induced modulation of interface dipole in HfO2-based MOS structures
HfO2 基 MOS 结构中界面偶极子的栅极感应调制
HfO2 基 MOS 结构中界面偶极子的栅极感应调制
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[LUDOVICO MINATI, KORKUT KAAN TOKGOZ, MATTIA FRASCA, YASUHARU KOIKE, JACOPO IANNACCI, NATSUE YOSHIMURA, KAZUYA MASU, AND HIROYUKI ITO, 財部健一，森嘉久, N. Miyata]
通讯作者：
N. Miyata
不揮発性記憶素子
非易失性存储元件
非易失性存储元件
DOI：
--
发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
共 8 条
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