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金属―半導体界面を応用した950nm帯1550nm帯光子生成プロセス制御の研究

金属―半導体界面を応用した950nm帯1550nm帯光子生成プロセス制御の研究
应用金属-半导体界面控制950nm和1550nm波段光子产生过程的研究
批准号：
24246051
负责人：
末宗 幾夫
金额：
$6.32万
依托单位：
Hokkaido University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
财政年份：
2012
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2012 至 --
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-24246051/
关键词：
量子ドット金属埋め込み構造微小共振器単一光子量子もつれ光子対

项目摘要

项目成果

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中文摘要
翻译
本研究では、(1)量子ドットの金属埋め込み構造による光子取り出し効率のさらなる増大を目指して、埋め込み構造の形状最適化、金属半導体界面の絶縁膜の最適化を、FDTDシミュレーションとその実験的検証により進める,(2)金属埋め込み微小共振器構造における共振モードによるパーセル効果の検討を進める,(3)金属-半導体界面で発生する表面プラズモンポラリトン(SPP)について、その光吸収による損失を低減する観点、ならびにその局在化した光場による光学双極子遷移確率を増大させる観点の双方から検討を進める,(4)InAs/GaAs系量子ドットによる950nm帯、InAs/lnP系量子ドットによる1300nm帯と1550nm帯における単一光子発生効率と単一光子純度の向上、ならびに遷移確率の増大による発光寿命の短縮を検討する,(5)金属埋め込み微小光共振器を用いた量子もつれ光子対の同時発生に関する新たな試みを進める,等を目指して4月,5月と研究を進めていた。しかし6月により高度な量子もつれに関する基盤S研究「固体光源から発生する光子対の量子もつれに関する研究とその量子情報応用」の内定をいただき,そちらに研究をシフトさせることとした。その間2ヶ月と短期間であったために,大きな進展は無い。しかし量子ドットの金属埋め込み構造の新たな製作方法に取り組み,光子取り出し部分の半導体表面を平坦化する新たな作製方法を検討して,現在その見通しがたちつつある。これは光子取り出し効率を増大するためには重要な成果であり,今後基盤Sの研究推進の礎ともなる。
英文摘要
本研究では、(1)量子ドットの金属埋め込み構造による光子取り出し効率のさらなる増大を目指して、埋め込み構造の形状最適化、金属半導体界面の絶縁膜の最適化を、FDTDシミュレーションとその実験的検証により進める,(2)金属埋め込み微小共振器構造における共振モードによるパーセル効果の検討を進める,(3)金属-半導体界面で発生する表面プラズモンポラリトン(SPP)について、その光吸収による損失を低減する観点、ならびにその局在化した光場による光学双極子遷移確率を増大させる観点の双方から検討を進める,(4)InAs/GaAs系量子ドットによる950nm帯、InAs/lnP系量子ドットによる1300nm帯と1550nm帯における単一光子発生効率と単一光子純度の向上、ならびに遷移確率の増大による発光寿命の短縮を検討する,(5)金属埋め込み微小光共振器を用いた量子もつれ光子対の同時発生に関する新たな試みを進める,等を目指して4月,5月と研究を進めていた。しかし6月により高度な量子もつれに関する基盤S研究「固体光源から発生する光子対の量子もつれに関する研究とその量子情報応用」の内定をいただき,そちらに研究をシフトさせることとした。その間2ヶ月と短期間であったために,大きな進展は無い。しかし量子ドットの金属埋め込み構造の新たな製作方法に取り組み,光子取り出し部分の半導体表面を平坦化する新たな作製方法を検討して,現在その見通しがたちつつある。これは光子取り出し効率を増大するためには重要な成果であり,今後基盤Sの研究推進の礎ともなる。
期刊论文(0)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
固体光源から発生する光子対の量子もつれに関する研究とその量子情報応用
  • 批准号：
    24226007
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (S)
  • 资助金额：
    $54.91万
  • 财政年份：
    2012
  • 负责人：
    末宗 幾夫
  • 依托单位：
    Hokkaido University
量子情報応用にむけた半導体結合量子ドット・量子リングの研究
  • 批准号：
    10F00065
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
  • 资助金额：
    $1.22万
  • 财政年份：
    2010
  • 负责人：
    末宗 幾夫
  • 依托单位：
    Hokkaido University
半導体3次元微小光共振器を用いた単一光子による量子位相変調の研究
  • 批准号：
    15656077
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Exploratory Research
  • 资助金额：
    $2.24万
  • 财政年份：
    2003
  • 负责人：
    末宗 幾夫
  • 依托单位：
    Hokkaido University
可視・赤外波長域での多波長同時発光デバイスとその集積化の研究
  • 批准号：
    14041201
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 资助金额：
    $4.61万
  • 财政年份：
    2002
  • 负责人：
    末宗 幾夫
  • 依托单位：
    Hokkaido University
海外基金