金属―半導体界面を応用した950nm帯1550nm帯光子生成プロセス制御の研究
应用金属-半导体界面控制950nm和1550nm波段光子产生过程的研究
基本信息
- 批准号:24246051
- 负责人:
- 金额:$ 6.32万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
- 财政年份:2012
- 资助国家:日本
- 起止时间:2012 至 无数据
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
本研究では、(1)量子ドットの金属埋め込み構造による光子取り出し効率のさらなる増大を目指して、埋め込み構造の形状最適化、金属半導体界面の絶縁膜の最適化を、FDTDシミュレーションとその実験的検証により進める,(2)金属埋め込み微小共振器構造における共振モードによるパーセル効果の検討を進める,(3)金属-半導体界面で発生する表面プラズモンポラリトン(SPP)について、その光吸収による損失を低減する観点、ならびにその局在化した光場による光学双極子遷移確率を増大させる観点の双方から検討を進める,(4)InAs/GaAs系量子ドットによる950nm帯、InAs/lnP系量子ドットによる1300nm帯と1550nm帯における単一光子発生効率と単一光子純度の向上、ならびに遷移確率の増大による発光寿命の短縮を検討する,(5)金属埋め込み微小光共振器を用いた量子もつれ光子対の同時発生に関する新たな試みを進める,等を目指して4月,5月と研究を進めていた。しかし6月により高度な量子もつれに関する基盤S研究「固体光源から発生する光子対の量子もつれに関する研究とその量子情報応用」の内定をいただき,そちらに研究をシフトさせることとした。その間2ヶ月と短期間であったために,大きな進展は無い。しかし量子ドットの金属埋め込み構造の新たな製作方法に取り組み,光子取り出し部分の半導体表面を平坦化する新たな作製方法を検討して,現在その見通しがたちつつある。これは光子取り出し効率を増大するためには重要な成果であり,今後基盤Sの研究推進の礎ともなる。
The research results of this study are: (1) Quantum metal buried structure, photon extraction efficiency, large-scale photon extraction, and buried structure. Optimization of the shape, optimization of the metal-semiconductor interface and the optimization of the metal-semiconductor interface, and the verification of the FDTD Stainless steel, (2 ) Metal-buried micro-resonator structure, resonance effect, and (3) metal-semiconductor interface Raw surface light absorber (SPP) light absorber, low light absorption light loss, low light absorption point, light absorption light absorber. The accuracy of the optical dipole migration in the light field has increased, and the accuracy of the optical dipole migration has increased.による950nm, InAs/lnP system quantum ドットによる1300nmクと1550nm における単一光発 is effective The rate and purity of single photons are increased, the migration accuracy is increased, the light life is shortened, and (5) the metal is buried and the micro optical resonance is The device uses the quantum sensor and the photon sensor at the same time, and the new sensor is tested in April and May.しかし6月により高なquantumもつれに关するsubstrate S research「Solid light sourceから発生するPhoton対のquantumもつれに关する Research とそのquantum information 応用」の internally determined をいただき, そちらに Research をシフトさせることとした. In the short period of time, there is no progress in the short period of time.しかしQuantum ドットのmetal buried め込み structure の新たな production method にtake りgroup み, photon take り出し part The semiconductor surface is flattened and the new manufacturing method is used. Now the semiconductor surface is flattened. The efficiency of photon extraction and extraction has been greatly improved, which is an important achievement and will serve as the foundation for future research advancement.
项目成果
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