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可視・赤外波長域での多波長同時発光デバイスとその集積化の研究

可視・赤外波長域での多波長同時発光デバイスとその集積化の研究
可见光和红外波段多波长同时发光器件及其集成研究
批准号：
14041201
负责人：
末宗 幾夫
金额：
$4.61万
依托单位：
Hokkaido University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份：
2002
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2002 至 2003
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-14041201/
关键词：
量子ドット光ドット励起子微小光共振器選択成長短波長化発光素子自然放出光

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项目成果

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近年波長多重通信の進展など,波長軸上で多くの光波を利用することの重要性,情報の秘匿性を高めるニーズも高まっている。これらのニーズに対応するには,波長多重通信など多数の波長を同時に発生,制御する技術,またこれらを集積する技術を開拓して扱える情報量を高めるとともに,単一光子を発生・検出する技術を研究開発して量子暗号通信など秘匿性の高い通信システムの研究を進める必要がある。当該研究では,III-V-N窒化物混晶半導体による新しい波長多重通信用光源を目指した研究を進めるとともに,ピラミッド型微小光共振器による自然放出波長の制御,波長集積とともに単一光子発生の可能性に関する検討を進め,両者を同じ基板の上に集積する研究を進めている。今年度は,III-V-N窒化物混晶半導体を応用した新しい長波長系発光材料の研究成果として,(1)GaInNAs/GaAs系超格子を用いて,これまで困難であった1.55μm長波長発光の観測の観測に成功,(2)InAs量子ドットに起因する圧縮ひずみを補償するGaNAsひずみ補償(SCL)層を適用し,1.55μmの長波長発光の観測とともに発光効率も大幅に改善することを見いだしたが,この主要因としてひずみの補償が光学特性に寄与していることを示した。一方同じGaAs基板を用いたZnCdS混晶系についても,混晶中の単一局在準位発光を時間分解測定することに成功し,局在準位での発光が観測できる機構について検討を進めた。
期刊论文(26)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
S.Ganapathy, X.Q.Zhang, I.Suemune, K.Uesugi, B.-J.Kim, T.-Y.Seong: "GaNAs as strain compensating layers for 1.55μm light emission from InAs Quantum Dots"Jpn.J.Appl.Phys.. Vol.42, No.9A. 5598-5601 (2003)
S.Ganapathy、X.Q.Zhang、I.Suemune、K.Uesugi、B.-J.Kim、T.-Y.Seong：“GaNAs 作为 InAs 量子点发射 1.55μm 光的应变补偿层”Jpn.J.Appl .Phys..第 42 卷，第 9A 期（2003 年）
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
W.Zhou, K.Uesugi, I.Suemune: "1.6-μm Emission from GaInNAs with Indium-induced Increase of N Composition"Appl.Phys.Lett.. Vol.83, No.10. 1992-1994 (2003)
W.Zhou、K.Uesugi、I.Suemune：“1.6-μm 的 GaInNA 发射，铟诱导 N 成分增加”Appl.Phys.Lett.. Vol.83，No.10 1992-1994 (2003)。
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
T.Tawara, I.Suemune, H.Kumano: "Strong Coupling of CdS Quantum Dots to Confined Photonic Modes in ZnSe-based Microcavities"Physica E. Vol.13. 403-407 (2002)
T.Tawara、I.Suemune、H.Kumano：“CdS 量子点与 ZnSe 基微腔中的受限光子模式的强耦合”Physica E. Vol.13。
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
X.Q.Zhang, Sasikala Ganapathy, Hidekazu Kumano, Katsuhiro Uesugi, Ikuo Suemune: "Photoluminescence study of InAs quantum dots embedded in GaNAs strain compensating layer grown by MOMBE"J. Appl. Phys.. Vol.92, No.11. 6813-6818 (2002)
X.Q.Zhang、Sasikala Ganapathy、Hidekazu Kumano、Katsuhiro Uesugi、Ikuo Suemune：“MOMBE 生长的 GaNs 应变补偿层中嵌入的 InAs 量子点的光致发光研究”J。
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
共 13 条
    金属―半導体界面を応用した950nm帯1550nm帯光子生成プロセス制御の研究
    • 批准号：
      24246051
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
    • 资助金额：
      $6.32万
    • 财政年份：
      2012
    • 负责人：
      末宗 幾夫
    • 依托单位：
      Hokkaido University
    固体光源から発生する光子対の量子もつれに関する研究とその量子情報応用
    • 批准号：
      24226007
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (S)
    • 资助金额：
      $54.91万
    • 财政年份：
      2012
    • 负责人：
      末宗 幾夫
    • 依托单位：
      Hokkaido University
    量子情報応用にむけた半導体結合量子ドット・量子リングの研究
    • 批准号：
      10F00065
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for JSPS Fellows
    • 资助金额：
      $1.22万
    • 财政年份：
      2010
    • 负责人：
      末宗 幾夫
    • 依托单位：
      Hokkaido University
    半導体3次元微小光共振器を用いた単一光子による量子位相変調の研究
    • 批准号：
      15656077
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Exploratory Research
    • 资助金额：
      $2.24万
    • 财政年份：
      2003
    • 负责人：
      末宗 幾夫
    • 依托单位：
      Hokkaido University
    海外基金