可視・赤外波長域での多波長同時発光デバイスとその集積化の研究
可視・赤外波長域での多波長同時発光デバイスとその集積化の研究
批准号:
13026201
负责人:
末宗 幾夫
金额:
$2.69万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
财政年份:
2001
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2001 至 --
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近年波長多重通信の進展など,波長軸上で多くの光波を利用することの重要性,情報の秘匿性を高めるニーズも高まっている。これらのニーズに対応するには,波長多重通信など多数の波長を同時に発生,制御する技術,またこれらを集積する技術を開拓して扱える情報量を高めるとともに,単一光子を発生・検出する技術を研究開発して量子暗号通信など秘匿性の高い通信システムの研究を進める必要がある。当該研究では,GaAs, GaPなどの半導体基板上に格子整合した可視波長域発光デバイスと赤外波長域発光デバイスの同時集積の可能性を開くとともに,我々が開発したピラミッド型微小光共振器による自然放出光制御を用いて,任意に波長集積の波長設定が行える特徴を持つ集積可能な多波長面発光デバイスの研究,さらに単一光子発生の可能性に関する検討を進めている。今年度は特にピラミッド型の微小3次元光共振器に関する研究を進めた。その結果,共振Q値が5000近くと大きな鋭い共振特性が得られた。これはピラミッド下部のGaAs基盤が光吸収層であるにもかかわらず,大きな屈折率差によってこのような良好な特性が得られたと理解された。しかしこの方法では共振の得られる波長域が限られるために,任意の波長域で共振特性を実現できる分布反射ミラーとの組み合わせを検討した。さらに発光層としてのCdS量子ドット層を組み込み,共振モードによって強く変調された自然放出光の室温での観測に成功した。この変調された自然放出光の発光波長ならびにその半値幅は非常に小さな温度依存性を示し,その特性が共振器によって決定されていることを確認した。
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I.Suemune: "Longitudinal-Optical-Phonon-Assisted Resonant Excitations of CdS Quantum Dots Embedded in ZnSe/(ZnSe-MgS Superlattice)"phys. stat. sol. (b). 229,No.2. 961-969 (2002)
I.Suemune:“嵌入 ZnSe/(ZnSe-MgS 超晶格) 中的 CdS 量子点的纵向光学声子辅助共振激发”phys。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
末宗幾夫(分担執筆): "第2版 応用物理ハンドブック"応用物理学会編,丸善 (印刷中). (2002)
末宗郁夫(撰稿人):日本应用物理学会编《应用物理学手册》第 2 版,丸善(正在出版)(2002 年)。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
K.Uesugi: "Highly Conductive GaAsNSe Alloys Grown on GaAs and Nonalloyed Ohmic Properties"Appl. Phys. Lett.. 79,20. 3284 (2001)
K.Uesugi:“在 GaAs 和非合金欧姆特性上生长的高导电 GaAsNSe 合金”Appl。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
H.Kumano: "Modified Spontaneous Emission Properties of CdS Quantum Dots Embedded in Novel Three-dimensional Microcavities"Physica E. (to be published).
H.Kumano:“新型三维微腔中嵌入的 CdS 量子点的改进自发发射特性”Physica E.(待出版)。
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
Y.W.Ok: "Structural Properties of GaAsN Grown on (001) GaAs by Metalorganic Molecular Beam Epitaxy"J. Electronic Materials.. Vol.30,No.7. 900-906 (2001)
Y.W.Ok:“通过金属有机分子束外延在 (001) GaAs 上生长的 GaAsN 的结构特性”J。
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
共 7 条
金属―半導体界面を応用した950nm帯1550nm帯光子生成プロセス制御の研究
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批准号:24246051
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
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资助金额:$6.32万
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财政年份:2012
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负责人:末宗 幾夫
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依托单位:
固体光源から発生する光子対の量子もつれに関する研究とその量子情報応用
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批准号:24226007
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (S)
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资助金额:$54.91万
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财政年份:2012
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负责人:末宗 幾夫
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依托单位:
量子情報応用にむけた半導体結合量子ドット・量子リングの研究
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批准号:10F00065
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$1.22万
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财政年份:2010
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负责人:末宗 幾夫
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依托单位:
半導体3次元微小光共振器を用いた単一光子による量子位相変調の研究
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批准号:15656077
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项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
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资助金额:$2.24万
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财政年份:2003
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负责人:末宗 幾夫
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依托单位:
可視・赤外波長域での多波長同時発光デバイスとその集積化の研究
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批准号:14041201
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$4.61万
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财政年份:2002
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负责人:末宗 幾夫
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依托单位:
広いスペクトルを有するIII-V-N窒化物半導体の作成と高効率太陽電池への応用
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批准号:00F00290
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$1.41万
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财政年份:2001
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负责人:末宗 幾夫
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依托单位:
ワイドギャップ半導体を用いた単電子ナノ構造の作製とその集積化に関する基礎研究
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批准号:10127203
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
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资助金额:$0.96万
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财政年份:1998
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负责人:末宗 幾夫
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依托单位:
ワイドギャップ半導体光強閉じ込め系での励起子-フォトン相互作用の研究
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批准号:10875064
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项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
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资助金额:$1.41万
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财政年份:1998
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负责人:末宗 幾夫
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依托单位:
ワイドギャップ半導体を用いた単電子ナノ構造の作製とその集積化に関する基礎研究
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批准号:09233202
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.47万
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财政年份:1997
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负责人:末宗 幾夫
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依托单位:
室温エキシトンによる青色微小光共振器の研究
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批准号:08875061
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项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
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资助金额:$1.41万
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财政年份:1996
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负责人:末宗 幾夫
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依托单位:
量子化された場におけるエキシトン・フォノン、エキシトン・フォトン相互作用の研究
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批准号:06238203
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.28万
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财政年份:1994
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负责人:末宗 幾夫
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依托单位:
ひずみ超格子構造による超高速光デバイスの研究
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批准号:05212212
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.54万
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财政年份:1993
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负责人:末宗 幾夫
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依托单位:
II-VI族半導体混晶および超格子における伝導度制御と光物性
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批准号:04205102
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.15万
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财政年份:1992
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负责人:末宗 幾夫
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依托单位:
ひずみ超格子構造による超高速光デバイスの研究
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批准号:04228211
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$0.96万
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财政年份:1992
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负责人:末宗 幾夫
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依托单位:
IIーVI族半導体混晶および超格子における伝導度制御と光物性
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批准号:03205094
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.41万
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财政年份:1991
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负责人:末宗 幾夫
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依托单位:
IIーVI族半導体混晶および超格子における伝導度制御と光物性
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批准号:02205091
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.66万
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财政年份:1990
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负责人:末宗 幾夫
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依托单位:
出力ビームの電子走査可能な半導体レーザの研究
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批准号:60750279
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.58万
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财政年份:1985
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负责人:末宗 幾夫
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依托单位:
二次元発振半導体レーザの高出力(1ワットクラス)化
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批准号:57750253
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.51万
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财政年份:1982
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负责人:末宗 幾夫
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依托单位:
海外基金