ワイドギャップ半導体を用いた単電子ナノ構造の作製とその集積化に関する基礎研究

利用宽禁带半导体制备和集成单电子纳米结构的基础研究

• 批准号: 09233202
• 负责人: 末宗 幾夫
• 金额: $ 1.47万
• 依托单位: Hokkaido University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
• 财政年份: 1997
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1997 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-09233202/
• 关键词: 青色発光素子; 量子ドット; 光ドット; ナノリソグラフィ; AFM; 選択成長; 光集積化

量子ドットを用いると,電子デバイスならびに光デバイスにおける状態密度の離散値化などにより高性能化が期待される。現在これらの実現を目指してInGaAs系を中心にその製作方法の研究進展がめざましい。しかし発光波長の観点からは赤外発光に偏っており,より広い発光波長領域への拡大や,量子ドットに閉じ込められた励起子や励起子分子の解明を進めるためには,より広範な半導体による量子ドット作製技術の展開が必要である。特にワイドギャップ半導体では発光波長の短波長化とともに,励起子束縛エネルギーが大きいことから,量子ドットを形成して室温における励起子効果をより顕在化できる可能性がある。さらにこうした電子系の量子化に加えて光場の量子化も実現し両者の相互作用を強めることができれば,高速・高性能発光素子の実現が期待できる。本研究はこのような量子ドット構造の作製ならびに光ドットの作製と両者の複合化に関連し,特にワイドギャップ半導体の自己組織化ドット構造が作製できること,また原子価不整合系ヘテロ構造ではドットが不安定になる可能性があるが,陽原子共通ヘテロ接合系では安定なドット構造が作製できることを示した。これと並行してAFM/SEM複合ナノリソグラフィによって高解像度のパタ-ニングが可能であること、パタ-ニングされたマスクを用いドット構造の選択成長も可能であることを示した。これらの成果は,今後さらに電子系の量子ドットサイズの制御,密度の向上を計るとともに,半波長(100nm程度)サイズの光ドットとの結合により高速,コヒーレントな微小発光素子,その集積化による並列光処理を実現する基礎となる。

The quantum device is used, and the electronic device is used. The optical density is scattered, the performance is high, and the performance is expected to be high. At present, the research on the methods and methods of the InGaAs Department Center is now in progress. The optical wavelength is very sensitive to the optical wavelength, the optical wavelength is very large in the field, and the molecular exciter is used to understand how to improve the performance of the photoluminescence device. The characteristic characteristic is that the half-body optical wave length increases the wavelength of the short-wave beam, the exciter beam increases the temperature, and the quantum beam forms the excitation device at room temperature. the excitation device has the effect of improving the possibility. In the system of electrons, the quantization of the optical field, the quantization of the optical field, the interaction of the optical field, the optical field and the optical field. The purpose of this study is to synthesize the structure of the quantum system and the possibility of instability in the atomic unconformity system. The atom is common to the bonding system. It is stable and stable. It is made to show the structure of the joint. In parallel, the AFM/SEM copy system can be used to detect the high resolution of the image. It is possible to change the resolution of the image to the image of the camera. The results show that in the future, the electronic system will be controlled by quantum physics, the density will be measured up, the half-wavelength (100nm level) optical emission will be combined with the high speed, the micro photon will be enhanced, and the optical analysis will be performed to realize the fundamental optical properties.

项目成果

A.Avramescu, I.Suemune, et.al: "Atomic Force Microscope Lithography on Carbonaceous Films Deposited by Electron-beam Irradiation." Appl.Phys.Lett.Vol.72,No.6. 716-718 (1998)

A.Avramescu、I.Suemune 等人：“电子束辐照沉积碳质薄膜上的原子力显微镜光刻”。

M.Arita, I.Suemune, et.al.: "Self-Organized CdSe Quantum Dots on(100)ZnSe/GaAs Surfaces Grown by Metalorganic Molecular Beam Epitaxy." Jpn.J.Appl.Phys.Vol.36,No.6B. 4097-4101 (1997)

M.Arita、I.Suemune 等人：“通过金属有机分子束外延生长在 (100)ZnSe/GaAs 表面上自组织 CdSe 量子点”。

M.Arita, I.Suemune, et.al: "CdSe Quantum Dots Formatton on(100)ZnSe/GaAs Surfaces." Nonlinear Optics.Vol.18,No.2-4. 99-102 (1997)

M.Arita、I.Suemune 等人：“(100)ZnSe/GaAs 表面上的 CdSe 量子点格式”。

A.Avramescu, I.Suemune, et.al: "AFM Nanolithography on SiO_2/Semiconductor Surfaces." Jpn.J.Appl.Phys.Vol.36,No.6B. 4057-4060 (1997)

A.Avramescu、I.Suemune 等人：“SiO_2/半导体表面上的 AFM 纳米光刻。”

A.Avramescu, I.Suemune, et.al: "AFM Nanopatterning on GaAs Substrates for Selective Area Growth of ZnSe and ZnS." Nonlinear Optics. Vol.18,No.2-4. 103-106 (1997)

A.Avramescu、I.Suemune 等人：“GaAs 基板上的 AFM 纳米图案化，用于 ZnSe 和 ZnS 的选择性区域生长。”