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室温エキシトンによる青色微小光共振器の研究

室温エキシトンによる青色微小光共振器の研究
室温激子蓝色微光腔研究
批准号：
08875061
负责人：
末宗 幾夫
金额：
$1.41万
依托单位：
Hokkaido University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Exploratory Research
财政年份：
1996
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
1996 至 1997
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-08875061/
关键词：
H-VI族半導体励起子ZnSeMaS歪み超格子MOCVD閃亜鉛鉱構造X線回折II-VI族半導体MgS

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これまでエキシトン発光に関する研究は低温に限られていたため、エキシトン発光を用いる微小光共振器の研究も低温での研究に限定されていた。当該研究は,エキシトン発光線幅を決めるエキシトン散乱を超格子の量子閉じ込め効果で低減し,自然放出光の制御,フォトンと電子系のコヒーレント相互作用の研究を室温で実現しようとするものである。当該研究に関連して,特にバンドオフセットが大きく強い量子閉じ込めが可能なZnSe/MgS超格子を提案したが,その基本的物性定数であるバンドオフセットを光電子分光法を用い測定し,価電子帯バンド不連続が1.85eVと大きいことを明らかにした。また光学特性から伝導帯バンド不連続は0.6-0.8eVと見積もられ,MgSのバンドギャップが従来間接的に見積もられていた4.5eVより大きい5.2-5.3eVであることを示した。前年度この超格子におけるエキシトン吸収が室温まで明瞭に観測されることを示したが,その発光も室温までローレンツ型のエキシトン発光であること,また発光線幅も吸収線幅の温度依存性とよく一致することを示した。このエキシトン発光を光微小共振器に導入する効果を計算機シミュレーションし,共振器の線幅と発光線幅が一致する場合に大きなラビ分裂が生じることが示された。また分布光反射器の製作を進め,ZnSe/ZnSによる分布光反射器を作製して10周期で理論値に近い95%程度の反射率が得られることを確認した。また理論計算から20周期で99.5%以上の高反射率が期待できることを示し,近い将来室温青色微小共振器を実現する基礎を固めることが出来た。
期刊论文(14)
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会议论文
H. Nashiki: ""Luminescence of Excitons Localized by Monolayer lnterface Fluctuations in ZnSe/MgS Superlattices Grown by Metalorganic. Vapor Phase Epitaxy"" Jpn. J. Appl. Phys.(印刷中). (1997)
H. Nashiki：“通过金属有机相生长的 ZnSe/MgS 超晶格中激子的局域化发光”J. Appl。
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
T.Tawara, I.Suemune, et al: "ZnSe/MgS Distributed Bragg Reflectors in Blue Region Grown on (311) B GaAs Substrates" Jpn.J.Appl.Phys.Vol.36,No.11. 6672-6676 (1997)
T.Tawara、I.Suemune 等人：“在 (311) B GaAs 衬底上生长的蓝色区域中的 ZnSe/MgS 分布式布拉格反射器”Jpn.J.Appl.Phys.Vol.36，No.11。
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
I.Suemune(分担執筆): "Properties of Widegap II-VI Semiconductors." Ramesh Bhargara,IEE EMIS, 250 (1997)
I.Suemune（贡献者）：“宽隙 II-VI 半导体的特性。”Ramesh Bhargara，IEE EMIS，250 (1997)
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
H.Nashiki, I.Suemune, et al: "Excitonic Luminescence up to Room Temperature in ZnSe/MgS Superlattices" Appl.Phys.Lett.Vol.70,No.18. 2350-2352 (1997)
H.Nashiki、I.Suemune 等人：“ZnSe/MgS 超晶格中直至室温的激子发光”Appl.Phys.Lett.Vol.70，No.18。
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
共 14 条
    金属―半導体界面を応用した950nm帯1550nm帯光子生成プロセス制御の研究
    • 批准号：
      24246051
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
    • 资助金额：
      $6.32万
    • 财政年份：
      2012
    • 负责人：
      末宗 幾夫
    • 依托单位：
      Hokkaido University
    固体光源から発生する光子対の量子もつれに関する研究とその量子情報応用
    • 批准号：
      24226007
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (S)
    • 资助金额：
      $54.91万
    • 财政年份：
      2012
    • 负责人：
      末宗 幾夫
    • 依托单位：
      Hokkaido University
    量子情報応用にむけた半導体結合量子ドット・量子リングの研究
    • 批准号：
      10F00065
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for JSPS Fellows
    • 资助金额：
      $1.22万
    • 财政年份：
      2010
    • 负责人：
      末宗 幾夫
    • 依托单位：
      Hokkaido University
    半導体3次元微小光共振器を用いた単一光子による量子位相変調の研究
    • 批准号：
      15656077
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Exploratory Research
    • 资助金额：
      $2.24万
    • 财政年份：
      2003
    • 负责人：
      末宗 幾夫
    • 依托单位：
      Hokkaido University
    海外基金