室温エキシトンによる青色微小光共振器の研究

室温激子蓝色微光腔研究

• 批准号: 08875061
• 负责人: 末宗 幾夫
• 金额: $ 1.41万
• 依托单位: Hokkaido University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Exploratory Research
• 财政年份: 1996
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1996 至 1997
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-08875061/
• 关键词: H-VI族半導体; 励起子; ZnSe; MaS; 歪み超格子; MOCVD; 閃亜鉛鉱構造; X線回折; II-VI族半導体; MgS

これまでエキシトン発光に関する研究は低温に限られていたため、エキシトン発光を用いる微小光共振器の研究も低温での研究に限定されていた。当該研究は,エキシトン発光線幅を決めるエキシトン散乱を超格子の量子閉じ込め効果で低減し,自然放出光の制御,フォトンと電子系のコヒーレント相互作用の研究を室温で実現しようとするものである。当該研究に関連して,特にバンドオフセットが大きく強い量子閉じ込めが可能なZnSe/MgS超格子を提案したが,その基本的物性定数であるバンドオフセットを光電子分光法を用い測定し,価電子帯バンド不連続が1.85eVと大きいことを明らかにした。また光学特性から伝導帯バンド不連続は0.6-0.8eVと見積もられ,MgSのバンドギャップが従来間接的に見積もられていた4.5eVより大きい5.2-5.3eVであることを示した。前年度この超格子におけるエキシトン吸収が室温まで明瞭に観測されることを示したが,その発光も室温までローレンツ型のエキシトン発光であること,また発光線幅も吸収線幅の温度依存性とよく一致することを示した。このエキシトン発光を光微小共振器に導入する効果を計算機シミュレーションし,共振器の線幅と発光線幅が一致する場合に大きなラビ分裂が生じることが示された。また分布光反射器の製作を進め,ZnSe/ZnSによる分布光反射器を作製して10周期で理論値に近い95%程度の反射率が得られることを確認した。また理論計算から20周期で99.5%以上の高反射率が期待できることを示し,近い将来室温青色微小共振器を実現する基礎を固めることが出来た。

In the study of low temperature, the limit of light, the study of low temperature, the limit of light, the study of low temperature, the limit of light, the limit of low temperature, the limit of light, the limit of low temperature, the limit of light, the limit of low temperature, the limit of low temperature, the limit of light, the limit of low temperature, the limit of light, the limit of low temperature, the limit of light, the limit of low temperature, the limit of light, the limit of low temperature, the limit of light When it is time to study, the photoluminescence spectrum decides to scatter the superlattice. if the temperature is low, it will naturally emit light control, and the electronic system will be used to study the interaction between the electronics. the room temperature temperature will show that the temperature is low. When the study is conducted, it is important that the ZnSe/MgS superlattice proposal may be used to determine the basic physical properties. The photoelectron spectrometer is used to determine the value of the photovoltaic method, and the electrical power system does not connect to the 1.85eV system. The optical properties do not change. 0. 6-0.8eV. The MgS is connected. The 4.5eV is large. 5. 2-5.3eV. In the previous year, the superlattice, the temperature dependence, the light absorption, the temperature dependence, the temperature dependence The optical microresonator is connected to the computer, and the resonator is used to measure the amplitude of the photosensitive microresonator. The distributed light reflector has been improved, and the ZnSe/ZnS distributed light reflector has been verified for 10 cycles and near 95% reflectivity. The theoretical calculation "20 cycles" and more than 99.5% "high reflectivity" is expected to show that in the near future, the room temperature cyan micro resonator will show that the substrate will be solid.

项目成果

H. Nashiki: ""Luminescence of Excitons Localized by Monolayer lnterface Fluctuations in ZnSe/MgS Superlattices Grown by Metalorganic. Vapor Phase Epitaxy"" Jpn. J. Appl. Phys.(印刷中). (1997)

H. Nashiki：“通过金属有机相生长的 ZnSe/MgS 超晶格中激子的局域化发光”J. Appl。

T.Tawara, I.Suemune, et al: "ZnSe/MgS Distributed Bragg Reflectors in Blue Region Grown on (311) B GaAs Substrates" Jpn.J.Appl.Phys.Vol.36,No.11. 6672-6676 (1997)

T.Tawara、I.Suemune 等人：“在 (311) B GaAs 衬底上生长的蓝色区域中的 ZnSe/MgS 分布式布拉格反射器”Jpn.J.Appl.Phys.Vol.36，No.11。

I.Suemune(分担執筆): "Properties of Widegap II-VI Semiconductors." Ramesh Bhargara,IEE EMIS, 250 (1997)

I.Suemune（贡献者）：“宽隙 II-VI 半导体的特性。”Ramesh Bhargara，IEE EMIS，250 (1997)

H.Nashiki, I.Suemune, et al: "Excitonic Luminescence up to Room Temperature in ZnSe/MgS Superlattices" Appl.Phys.Lett.Vol.70,No.18. 2350-2352 (1997)

H.Nashiki、I.Suemune 等人：“ZnSe/MgS 超晶格中直至室温的激子发光”Appl.Phys.Lett.Vol.70，No.18。

I.Suemune, K.Uesugi, et al: "Low-Limensional II-VI Semicondactor Structures : ZnSe/MgS Superlattices and CdSe Self-organized Dots." Phys.Stat.Sol.(b). Vol.202. 845-856 (1997)

I.Suemune、K.Uesugi 等人：“低维 II-VI 半导体结构：ZnSe/MgS 超晶格和 CdSe 自组织点。”