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Development of near-infrared germanium laser operating at room temperature using electron injection into the direct-gap valley.

Development of near-infrared germanium laser operating at room temperature using electron injection into the direct-gap valley.
利用电子注入直接能隙谷开发在室温下工作的近红外锗激光器。
批准号：
25246021
负责人：
FUKATSU Susumu
金额：
$29.2万
依托单位：
The University of Tokyo
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
财政年份：
2013
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2013-04-01 至 2016-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-25246021/
关键词：
ゲルマニウムレーザー直接遷移電子制御バレートロニクス量子カスケード類似構造熱い電子バレー間ファノン散乱直接バレー電子注入外場制御バレートロニクスバレー間フォノン散乱電子ラマン散乱実空間遷移波数空間遷移伝導帯バレー選択的光励起法

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Valley-Selected Interband Absorption in Ge
Ge 中的谷选择带间吸收
DOI： --
发表时间： 2014
期刊：
影响因子： --
作者： [T. Sakamoto, S. Hayashi, Y. Yasutake, S. Fukatsu]
通讯作者： S. Fukatsu
Ge: The renaissance of elemental semiconductor?
葛：元素半导体的复兴？
DOI： --
发表时间： 2013
期刊：
影响因子： --
作者： [平間一行, 谷保芳孝, 狩元慎一, 山本秀樹, 熊倉 一英, S. Fukatsu]
通讯作者： S. Fukatsu
Si(111)基板上化学修飾ゲルマネンの作製
Si(111)衬底上化学改性锗烯的制备
DOI： --
发表时间： 2015
期刊：
影响因子： --
作者： [安武裕輔, 深津 晋]
通讯作者： 深津 晋
円偏光PLEによるGe直接遷移端への光スピン注入
使用圆偏振 PLE 将光学自旋注入到 Ge 直接跃迁边缘
DOI： --
发表时间： 2015
期刊：
影响因子： --
作者： [安武 裕輔, 太野垣 健, 大川 洋平, 矢口 裕之, 金光 義彦, 深津 晋]
通讯作者： 深津 晋
共 26 条
    Implementation of quantum algorithms on an analog printed-circuit-board
    • 批准号：
      25630169
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
    • 资助金额：
      $2.58万
    • 财政年份：
      2013
    • 负责人：
      FUKATSU Susumu
    • 依托单位：
      The University of Tokyo
    Development of Silicon-Optical-Amplifier Based on Radiative Recombination in the Quantum Rod-like Electronic System Associated with {311}-Defects
    • 批准号：
      22360004
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额：
      $12.65万
    • 财政年份：
      2010
    • 负责人：
      FUKATSU Susumu
    • 依托单位：
      The University of Tokyo
    Real space transfer of electrons in a Si-based quantum structure and its application to infrared generation
    • 批准号：
      12450005
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额：
      $5.31万
    • 财政年份：
      2000
    • 负责人：
      FUKATSU Susumu
    • 依托单位：
      The University of Tokyo
    Development of a "near-surface"-photodetector based on anomalous above-band-gap absorption band of SiGe
    • 批准号：
      12555085
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额：
      $6.34万
    • 财政年份：
      2000
    • 负责人：
      FUKATSU Susumu
    • 依托单位：
      The University of Tokyo
    海外基金