Low dislocation diamond wafer for power device

功率器件用低位错金刚石晶片

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项目成果

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溶媒中での鉄の反応性を利用した単結晶ダイヤモンドの研磨メカニズムに関する研究
利用铁在溶剂中的反应性研究单晶金刚石抛光机理
  • DOI:
  • 发表时间:
    2013
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Qiong Wu;Chunlin Li;Yujie Li;Zhihan Xu;Hongzan Sun;Qiyong Guo;Jinglong Wu;本山修也,久保田章亀,峠 睦
  • 通讯作者:
    本山修也,久保田章亀,峠 睦
X-ray Topographic Study of a Homoepitaxial Diamond Layer on an Ultraviolet-irradiated Precision Polished Substrate
紫外线照射精密抛光基板上同质外延金刚石层的 X 射线形貌研究
  • DOI:
    10.12693/aphyspola.125.969
  • 发表时间:
    2014
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0.7
  • 作者:
    Yukako Kato;Hitoshi Umezawa;Shin-ichi Shikata
  • 通讯作者:
    Shin-ichi Shikata
Characterization of free-standing single-crystal diamond prepared by hot-filament chemical vapor deposition
  • DOI:
    10.1016/j.diamond.2014.06.001
  • 发表时间:
    2014-09
  • 期刊:
  • 影响因子:
    4.1
  • 作者:
    S. Ohmagari;H. Yamada;H. Umezawa;A. Chayahara;T. Teraji;S. Shikata
  • 通讯作者:
    S. Ohmagari;H. Yamada;H. Umezawa;A. Chayahara;T. Teraji;S. Shikata
ダイレクトウェハ化による低転位単結晶ダイヤモンド基板の作製
直接切片法制备低位错单晶金刚石基片
  • DOI:
  • 发表时间:
    2014
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    杢野 由明;加藤 有香子;坪内 信輝;茶谷原 昭義;山田 英明;鹿田 真一
  • 通讯作者:
    鹿田 真一
Reduction of epitaxial growth dislocations originate from the surface
减少源自表面的外延生长位错
  • DOI:
  • 发表时间:
    2013
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    S. Shikata;Y. Kato;H. Umezawa and M.Touge
  • 通讯作者:
    H. Umezawa and M.Touge
{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

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Intrinsic exciton transitions of isotopically purified 13C studied by photoluminescence and transmission spectroscopy
通过光致发光和透射光谱研究同位素纯化的 13C 的本征激子跃迁
  • DOI:
    10.7567/1347-4065/ab5b77
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    1.5
  • 作者:
    Ishii Ryota;Shikata Shinichi;Teraji Tokuyuki;Kanda Hisao;Watanabe Hideyuki;Funato Mitsuru;Kawakami Yoichi
  • 通讯作者:
    Kawakami Yoichi
Sterile neutrino search experiment at J-PARC MLF (JSNS2, J-PARC E56)-4
J-PARC MLF(JSNS2、J-PARC E56)-4 的惰性中微子搜索实验
  • DOI:
  • 发表时间:
    2018
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Ishii Ryota;Shikata Shinichi;Teraji Tokuyuki;Kanda Hisao;Watanabe Hideyuki;Funato Mitsuru;Kawakami Yoichi;Jungsic Park
  • 通讯作者:
    Jungsic Park
Secondary high tones in Koshikijima Japanese
小敷岛日语中的次高音
  • DOI:
    10.1515/tlr-2018-2006
  • 发表时间:
    2018
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Ishii Ryota;Shikata Shinichi;Teraji Tokuyuki;Kanda Hisao;Watanabe Hideyuki;Funato Mitsuru;Kawakami Yoichi;Jungsic Park;須田利美;Haruo Kubozono
  • 通讯作者:
    Haruo Kubozono
極低運動量移行領域での電子弾性散乱による陽子電荷半径精密決定
极低动量跃迁区电子弹性散射精确测定质子电荷半径
  • DOI:
  • 发表时间:
    2017
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Ishii Ryota;Shikata Shinichi;Teraji Tokuyuki;Kanda Hisao;Watanabe Hideyuki;Funato Mitsuru;Kawakami Yoichi;Jungsic Park;須田利美
  • 通讯作者:
    須田利美
共役ポリマーの固相炭素化によるキラル炭素材料の創製
共轭聚合物固相碳化制备手性碳材料
  • DOI:
  • 发表时间:
    2018
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Ishii Ryota;Shikata Shinichi;Teraji Tokuyuki;Kanda Hisao;Watanabe Hideyuki;Funato Mitsuru;Kawakami Yoichi;Jungsic Park;須田利美;Haruo Kubozono;松下哲士
  • 通讯作者:
    松下哲士

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{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
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    {{ item.doi }}
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    {{ item.publish_year }}
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    {{ item.factor }}
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    {{ item.authors }}
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    {{ item.author }}

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Research on identification of diamond dislocations and its reduction
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    2020
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通过原位金属掺入减少金刚石中的螺纹位错及其作为缓冲层在电子器件中的应用
  • 批准号:
    19K15295
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    2019
  • 资助金额:
    $ 28.45万
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    Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
Research on identification of diamond dislocations and its reduction
金刚石位错的识别及其还原研究
  • 批准号:
    19H02617
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    $ 28.45万
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使用氮掺杂开发低损耗反型沟道金刚石 MOSFET
  • 批准号:
    19K15042
  • 财政年份:
    2019
  • 资助金额:
    $ 28.45万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
Quantum sensing of wide bandgap power devices
宽带隙功率器件的量子传感
  • 批准号:
    18H01472
  • 财政年份:
    2018
  • 资助金额:
    $ 28.45万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
{{ showInfoDetail.title }}

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