Reduction of threading dislocations in diamond via in-situ metal incorporations and their application for electric devices as a buffer layer

通过原位金属掺入减少金刚石中的螺纹位错及其作为缓冲层在电子器件中的应用

• 批准号: 19K15295
• 负责人: OHMAGARI Shinya
• 金额: $ 2.75万
• 依托单位: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
• 财政年份: 2019
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2019-04-01 至 2021-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-19K15295/
• 关键词: ダイヤモンド; 欠陥; 転位; 化学気相成長法（CVD）; ショットキーバリアダイオード; デバイス; 金属; ショットキー; パワーデバイス; 薄膜; 結晶成長

项目成果

High yield uniformity in pseudo-vertical diamond Schottky barrier diodes fabricated on half-inch single-crystal wafers

• DOI: 10.1063/5.0027729
• 发表时间: 2020-12-28
• 期刊: APPLIED PHYSICS LETTERS
• 影响因子: 4
• 作者: Hanada, Takanori;Ohmagari, Shinya;Umezawa, Hitoshi
• 通讯作者: Umezawa, Hitoshi

ヘテロエピタキシャルダイヤモンド基板の結晶性とSBD特性

异质外延金刚石基板的结晶度和SBD特性

• 发表时间: 2019
• 作者: Choi Sungwook;Chung Myungwoo;Kim Dongjin;Kim Sungwon;Yun Kyuseok;Cha Wonsuk;Harder Ross;Kawaguchi Tomoya;Liu Yihua;Ulvestad Andrew;You Hoydoo;Song Mee Kyung;Kim Hyunjung;大曲新矢，小林篤史，田中孝治，坪内信輝，山田英明
• 通讯作者: 大曲新矢，小林篤史，田中孝治，坪内信輝，山田英明

金属援用終端法によるダイヤモンド高濃度ホウ素ドープ基板のキラー欠陥低減

使用金属辅助终止方法减少富金刚石硼掺杂基板中的致命缺陷

• 发表时间: 2019
• 作者: Kawaguchi Tomoya;Rao Reshma R.;Lunger Jaclyn R.;Liu Yihua;Walko Donald;Karapetrova Evguenia A.;Komanicky Vladimir;Shao-Horn Yang;You Hoydoo;小林篤史，大曲新矢，梅沢仁，齊藤丈靖，竹内大輔
• 通讯作者: 小林篤史，大曲新矢，梅沢仁，齊藤丈靖，竹内大輔

金属援用終端法によるダイヤモンド中貫通転位の低減と縦型 SBD の特性改善

通过金属辅助终止方法减少金刚石中的螺纹位错并改善垂直 SBD 的性能

• 发表时间: 2019
• 作者: Briffod Fabien;Shiraiwa Takayuki;Enoki Manabu;小林篤史，大曲新矢，梅沢仁，竹内大輔，齊藤丈靖
• 通讯作者: 小林篤史，大曲新矢，梅沢仁，竹内大輔，齊藤丈靖

Reduction of dislocation density in diamond by hot-filament CVD accompanying metal incorporations"

热丝CVD伴随金属掺入降低金刚石位错密度"

• 发表时间: 2019
• 作者: 田中啓太;齋藤典生;近藤行成;大曲新矢，山田英明，坪内信輝，梅沢仁，茶谷原昭義，杢野由明，竹内大輔
• 通讯作者: 大曲新矢，山田英明，坪内信輝，梅沢仁，茶谷原昭義，杢野由明，竹内大輔