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Reduction of threading dislocations in diamond via in-situ metal incorporations and their application for electric devices as a buffer layer

Reduction of threading dislocations in diamond via in-situ metal incorporations and their application for electric devices as a buffer layer
通过原位金属掺入减少金刚石中的螺纹位错及其作为缓冲层在电子器件中的应用
批准号：
19K15295
负责人：
OHMAGARI Shinya
金额：
$2.75万
依托单位：
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
财政年份：
2019
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2019-04-01 至 2021-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-19K15295/
关键词：
ダイヤモンド欠陥転位化学気相成長法（CVD）ショットキーバリアダイオードデバイス金属ショットキーパワーデバイス薄膜結晶成長

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High yield uniformity in pseudo-vertical diamond Schottky barrier diodes fabricated on half-inch single-crystal wafers
DOI： 10.1063/5.0027729
发表时间： 2020-12-28
期刊： APPLIED PHYSICS LETTERS
影响因子： 4
作者： [Hanada, Takanori, Ohmagari, Shinya, Umezawa, Hitoshi]
通讯作者： Umezawa, Hitoshi
ヘテロエピタキシャルダイヤモンド基板の結晶性とSBD特性
异质外延金刚石基板的结晶度和SBD特性
DOI： --
发表时间： 2019
期刊：
影响因子： --
作者： [Choi Sungwook, Chung Myungwoo, Kim Dongjin, Kim Sungwon, Yun Kyuseok, Cha Wonsuk, Harder Ross, Kawaguchi Tomoya, Liu Yihua, Ulvestad Andrew, You Hoydoo, Song Mee Kyung, Kim Hyunjung, 大曲新矢，小林篤史，田中孝治，坪内信輝，山田英明]
通讯作者： 大曲新矢，小林篤史，田中孝治，坪内信輝，山田英明
金属援用終端法によるダイヤモンド高濃度ホウ素ドープ基板のキラー欠陥低減
使用金属辅助终止方法减少富金刚石硼掺杂基板中的致命缺陷
DOI： --
发表时间： 2019
期刊：
影响因子： --
作者： [Kawaguchi Tomoya, Rao Reshma R., Lunger Jaclyn R., Liu Yihua, Walko Donald, Karapetrova Evguenia A., Komanicky Vladimir, Shao-Horn Yang, You Hoydoo, 小林篤史，大曲新矢，梅沢仁，齊藤丈靖，竹内大輔]
通讯作者： 小林篤史，大曲新矢，梅沢仁，齊藤丈靖，竹内大輔
金属援用終端法によるダイヤモンド中貫通転位の低減と縦型 SBD の特性改善
通过金属辅助终止方法减少金刚石中的螺纹位错并改善垂直 SBD 的性能
DOI： --
发表时间： 2019
期刊：
影响因子： --
作者： [Briffod Fabien, Shiraiwa Takayuki, Enoki Manabu, 小林篤史，大曲新矢，梅沢仁，竹内大輔，齊藤丈靖]
通讯作者： 小林篤史，大曲新矢，梅沢仁，竹内大輔，齊藤丈靖
共 20 条
    Growth of low-reisitivity diamond wafers for ultra low-loss power electronics
    Basic study on synthesis of heavily boron-doped diamond wafers
    海外基金