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Control of site selective doping and carrier transport in core-shell heterojunction nanowires
核壳异质结纳米线中位点选择性掺杂和载流子传输的控制
基本信息
- 批准号：26246021
- 负责人：
- 金额：$ 22.88万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
- 财政年份：2014
- 资助国家：日本
- 起止时间：2014-04-01 至 2018-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（63）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Al-Catalyzed Si Nanowires on Thin Si Wafer for Photovoltaic Application
用于光伏应用的薄硅片上的铝催化硅纳米线
- DOI：
- 发表时间：2018
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：ジェバスワン ウィパコーン;チェン ジュン;イスブラマニ ティヤグ;ケン プラデル;武井 俊朗;松村 亮;深田 直樹
- 通讯作者：深田 直樹
Elemental Distributions in Individual Ge/Si/Ge Core-Double Shell Nanowires Investigated by Atom Probe Tomography
通过原子探针断层扫描研究单个 Ge/Si/Ge 核-双壳纳米线中的元素分布
- DOI：
- 发表时间：2014
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：O. Sakai;A. Iwai and Y. Nakamura;韓斌，清水康雄，高見澤悠，余銘珂，Wipakorn Jevasuwan，深田直樹，井上耕治，永井康介
- 通讯作者：韓斌，清水康雄，高見澤悠，余銘珂，Wipakorn Jevasuwan，深田直樹，井上耕治，永井康介
Growth and doping control of Ge/Si and Si/Ge core-shell nanowires
Ge/Si 和 Si/Ge 核壳纳米线的生长和掺杂控制
- DOI：
- 发表时间：2015
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：N. Fukata;M. Yu;W. Jevasuwan;M. Mitome;Y. Bando;and Zhong Lin Wang
- 通讯作者：and Zhong Lin Wang
Boron distribution in individual Ge/Si core-shell nanowires investigated by atom probe tomography
通过原子探针断层扫描研究单个 Ge/Si 核壳纳米线中的硼分布
- DOI：
- 发表时间：2015
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：B. Han;Y. Shimizu;K. Inoue;W. Jevasuwan;N. Fukata;and Y. Nagai
- 通讯作者：and Y. Nagai
Demonstration of hole gas accumulation of core-shell nanowires using Si and Ge radial heterostructures
使用 Si 和 Ge 径向异质结构演示核壳纳米线的空穴气体聚集
- DOI：
- 发表时间：2017
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：中村 直人;西尾 和記;清水 亮太;一杉 太郎;Naoki Fukata
- 通讯作者：Naoki Fukata
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Fukata Naoki其他文献
Formation of Free Hydrogen Gas By Annealing ALD-Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/Si Stacked Structure
ALD-Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/Si叠层结构退火形成游离氢气
- DOI：
10.1149/10805.0057ecst - 发表时间：
2022 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
Matsumura Ryo;Fukata Naoki - 通讯作者：
Fukata Naoki
Crystallization Of Tensile Strained n-Type Ge By Continuous Wave Laser Annealing
连续波激光退火拉伸应变n型Ge的结晶
- DOI：
10.1149/10805.0079ecst - 发表时间：
2022 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
Saputro Rahmat Hadi;Matsumura Ryo;Fukata Naoki - 通讯作者：
Fukata Naoki
Dopant Redistribution in High-Temperature-Grown Sb-Doped Ge Epitaxial Films
高温生长的掺锑锗外延薄膜中的掺杂剂再分布
- DOI：
10.1021/acs.cgd.1c00966 - 发表时间：
2021 - 期刊：
- 影响因子：3.8
- 作者：
Saputro Rahmat Hadi;Matsumura Ryo;Fukata Naoki - 通讯作者：
Fukata Naoki
Growth of SiGe thin films with uniform and non-uniform Si concentration profiles on insulating substrates by high-speed continuous wave laser annealing
通过高速连续波激光退火在绝缘衬底上生长具有均匀和非均匀 Si 浓度分布的 SiGe 薄膜
- DOI：
10.1016/j.mssp.2021.106024 - 发表时间：
2021 - 期刊：
- 影响因子：4.1
- 作者：
Matsumura Ryo;Ishii Satoshi;Fukata Naoki - 通讯作者：
Fukata Naoki
Au-Sn Catalyzed Growth of Ge_(1-x)Sn_x Nanowires: Growth Direction, Crystallinity, and Sn Incorporation
Au-Sn 催化 Ge_(1-x)Sn_x 纳米线的生长：生长方向、结晶度和 Sn 掺入
- DOI：
10.1021/acs.nanolett.9b02395 - 发表时间：
2019 - 期刊：
- 影响因子：10.8
- 作者：
Sun Yong-Lie;Matsumura Ryo;Jevasuwan Wipakorn;Fukata Naoki - 通讯作者：
Fukata Naoki
Fukata Naoki的其他文献
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{{ truncateString('Fukata Naoki', 18)}}的其他基金
Formation of Si nanostructure solar cells on glass substrates using aluminum induced crystallization
利用铝诱导结晶在玻璃基板上形成硅纳米结构太阳能电池
- 批准号：
26600049 - 财政年份：2014
- 资助金额：
$ 22.88万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
相似海外基金
高圧相変態が拓くシリコン―ゲルマニウム合金の結晶多型と新奇物性解明
阐明高压相变开发的硅锗合金的晶体多态性和新的物理性能
- 批准号：
23K26405 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 22.88万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Exploring spin coherence engineering in group IV semiconductor quantum structures
探索 IV 族半导体量子结构中的自旋相干工程
- 批准号：
23H05455 - 财政年份：2023
- 资助金额：
$ 22.88万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (S)
ゲルマニウム二次元結晶のヘテロ構造形成と電子物性制御
二维锗晶体异质结构形成及电子性质控制
- 批准号：
22H01524 - 财政年份：2022
- 资助金额：
$ 22.88万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
ピラミッド光電変換層が拓くギガ秒イメージング
金字塔光电转换层开创千兆秒成像
- 批准号：
22K18797 - 财政年份：2022
- 资助金额：
$ 22.88万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
自由に組成制御されたスズ系三元半導体混晶の開発と熱電発電応用の検討
成分自由控制的锡基三元半导体混晶的开发及温差发电应用研究
- 批准号：
21K04137 - 财政年份：2021
- 资助金额：
$ 22.88万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Investigation on the interface states at strained Si/SiO2 interfaces formed on Si(110) substrates
Si(110) 衬底上应变 Si/SiO2 界面的界面态研究
- 批准号：
21K04900 - 财政年份：2021
- 资助金额：
$ 22.88万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Development of vertical HEMT-type devices using Si-Ge core-shell heterojunction nanowires
使用Si-Ge核壳异质结纳米线开发垂直HEMT型器件
- 批准号：
21H04642 - 财政年份：2021
- 资助金额：
$ 22.88万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
Development of monolithic type pixel detector to search for axion like particle
开发单片式像素探测器来寻找轴子类粒子
- 批准号：
20K04004 - 财政年份：2020
- 资助金额：
$ 22.88万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
溶融パッチ状半導体薄膜の球状粒子への連続変形と真球化
熔融的片状半导体薄膜连续变形为球形颗粒并球化
- 批准号：
20K05351 - 财政年份：2020
- 资助金额：
$ 22.88万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Formation of Ge two-dimensional crystals embedded into Si oxide and its device application
氧化硅嵌入Ge二维晶体的形成及其器件应用
- 批准号：
20K21142 - 财政年份：2020
- 资助金额：
$ 22.88万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)