Control of site selective doping and carrier transport in core-shell heterojunction nanowires

核壳异质结纳米线中位点选择性掺杂和载流子传输的控制

基本信息

  • 批准号：
    26246021
  • 负责人：
    Fukata Naoki
  • 金额：
    $ 22.88万
  • 依托单位：
    National Institute for Materials Science
  • 依托单位国家：
    日本
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
  • 财政年份：
    2014
  • 资助国家：
    日本
  • 起止时间：
    2014-04-01 至 2018-03-31
  • 项目状态：
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（63）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Al-Catalyzed Si Nanowires on Thin Si Wafer for Photovoltaic Application
用于光伏应用的薄硅片上的铝催化硅纳米线
  • DOI：
  • 发表时间：
    2018
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    ジェバスワン ウィパコーン;チェン ジュン;イスブラマニ ティヤグ;ケン プラデル;武井 俊朗;松村 亮;深田 直樹
  • 通讯作者：
    深田 直樹
Growth and doping control of Ge/Si and Si/Ge core-shell nanowires
Ge/Si 和 Si/Ge 核壳纳米线的生长和掺杂控制
  • DOI：
  • 发表时间：
    2015
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    N. Fukata;M. Yu;W. Jevasuwan;M. Mitome;Y. Bando;and Zhong Lin Wang
  • 通讯作者：
    and Zhong Lin Wang
Elemental Distributions in Individual Ge/Si/Ge Core-Double Shell Nanowires Investigated by Atom Probe Tomography
通过原子探针断层扫描研究单个 Ge/Si/Ge 核-双壳纳米线中的元素分布
  • DOI：
  • 发表时间：
    2014
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    O. Sakai;A. Iwai and Y. Nakamura;韓斌，清水康雄，高見澤悠，余銘珂，Wipakorn Jevasuwan，深田直樹，井上耕治，永井康介
  • 通讯作者：
    韓斌，清水康雄，高見澤悠，余銘珂，Wipakorn Jevasuwan，深田直樹，井上耕治，永井康介
High efficiency silicon hybrid solar cells via energy management by employing nanocrystalline Si quantum dots and Si nanoholes
采用纳米晶硅量子点和硅纳米孔进行能量管理的高效硅混合太阳能电池
  • DOI：
  • 发表时间：
    2017
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    T. Subramani;J. Chen;W. Jevasuwan;and N. Fukata
  • 通讯作者：
    and N. Fukata
Si/GeおよびGe/Siコアシェルナノ構造の形成と不純物ドーピング制御
Si/Ge和Ge/Si核壳纳米结构的形成及杂质掺杂控制
  • DOI：
  • 发表时间：
    2015
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    西部 康太郎;余 銘珂;Wipakorn Jevasuwan;武井 俊朗;深田 直樹
  • 通讯作者：
    深田 直樹
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Fukata Naoki其他文献

Formation of Free Hydrogen Gas By Annealing ALD-Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/Si Stacked Structure
ALD-Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/Si叠层结构退火形成游离氢气
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  • 发表时间：
    2022
  • 期刊：
    ECS Transactions
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Matsumura Ryo;Fukata Naoki
  • 通讯作者：
    Fukata Naoki
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  • 发表时间：
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  • 期刊：
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  • 影响因子：
    3.8
  • 作者：
    Saputro Rahmat Hadi;Matsumura Ryo;Fukata Naoki
  • 通讯作者：
    Fukata Naoki
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  • DOI：
    10.1149/10805.0079ecst
  • 发表时间：
    2022
  • 期刊：
    ECS Transactions
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Saputro Rahmat Hadi;Matsumura Ryo;Fukata Naoki
  • 通讯作者：
    Fukata Naoki
Growth of SiGe thin films with uniform and non-uniform Si concentration profiles on insulating substrates by high-speed continuous wave laser annealing
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高速连续波激光退火在玻璃基板上生长拉伸应变多聚锗薄膜及其在锗锡中的应用

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  • 作者：
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  • 通讯作者：
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利用铝诱导结晶在玻璃基板上形成硅纳米结构太阳能电池
  • 批准号：
    26600049
  • 财政年份：
    2014
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    $ 22.88万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research

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Bottom up growth of Si based nanowires on insulating substrates
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    2017
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    $ 22.88万
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    Grant-in-Aid for Research Activity Start-up
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  • 资助金额：
    $ 22.88万
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硅基二维材料的生长和表征
  • 批准号：
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  • 财政年份：
    2015
  • 资助金额：
    $ 22.88万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
面方位混載型・歪みゲルマニウム超薄膜の創製と超高速トランジスタへの応用
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  • 批准号：
    12J04434
  • 财政年份：
    2012
  • 资助金额：
    $ 22.88万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
Formation of relaxed Ge thin films by surfactant mediation and its application to devices
表面活性剂介导松弛Ge薄膜的形成及其在器件中的应用
  • 批准号：
    24246003
  • 财政年份：
    2012
  • 资助金额：
    $ 22.88万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
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