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Formation of Si nanostructure solar cells on glass substrates using aluminum induced crystallization

利用铝诱导结晶在玻璃基板上形成硅纳米结构太阳能电池

基本信息

批准号：
26600049
负责人：
Fukata Naoki
金额：
$ 2.5万
依托单位：
National Institute for Materials Science
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
财政年份：
2014
资助国家：
日本
起止时间：
2014-04-01 至 2016-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（30）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

Nanoimprint SiNW-based Solar Cells fabrication and p-matrix coverage optimization

基于纳米压印 SiNW 的太阳能电池制造和 p 矩阵覆盖优化

DOI：
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
0
作者：
ジェバスワンウィパコーン;中島清美;杉本喜正;深田直樹
通讯作者：
深田直樹

分子終端シリコンナノ粒子を利用した太陽電池

使用分子封端硅纳米颗粒的太阳能电池

DOI：
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
0
作者：
通讯作者：

Low-temperature UV ozone-treated high efficiency radial p-n junction solar cells: N-Si NW arrays embedded in a p-Si matrix

DOI：
10.1016/j.nanoen.2014.10.028
发表时间：
2015
期刊：
Nano Energy
影响因子：
17.6
作者：
M. Dutta;N. Fukata
通讯作者：
M. Dutta;N. Fukata

Formation of Large-grain polycrystalline Si Layer on Quartz by Al-induced Crystallization for Thin-Film Solar Cells

用于薄膜太阳能电池的铝诱导结晶在石英上形成大晶粒多晶硅层

DOI：
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
0
作者：
Joko Suwardy;Wipakorn Jevasuwan,Kaoru Toko;Takashi Suemasu;Naoki Fukata
通讯作者：
Naoki Fukata

Transfer-free synthesis of highly ordered Ge nanowire arrays on glass substrate

玻璃基板上无转移合成高度有序的Ge纳米线阵列

DOI：
10.1063/1.4932054
发表时间：
2015
期刊：
Applied Physics Letters
影响因子：
4
作者：
M. Nakata;K. Toko;W. Jevasuwan;N. Fukata;N. Saitoh;N. Yoshizawa;and T. Suemasu
通讯作者：
and T. Suemasu

DOI：
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作者：
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Fukata Naoki其他文献

Formation of Free Hydrogen Gas By Annealing ALD-Al2O3/Si Stacked Structure

ALD-Al2O3/Si叠层结构退火形成游离氢气

DOI：
10.1149/10805.0057ecst
发表时间：
2022
期刊：
ECS Transactions
影响因子：
0
作者：
Matsumura Ryo;Fukata Naoki
通讯作者：
Fukata Naoki

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连续波激光退火拉伸应变n型Ge的结晶

DOI：
10.1149/10805.0079ecst
发表时间：
2022
期刊：
ECS Transactions
影响因子：
0
作者：
Saputro Rahmat Hadi;Matsumura Ryo;Fukata Naoki
通讯作者：
Fukata Naoki

Dopant Redistribution in High-Temperature-Grown Sb-Doped Ge Epitaxial Films

高温生长的掺锑锗外延薄膜中的掺杂剂再分布

DOI：
10.1021/acs.cgd.1c00966
发表时间：
2021
期刊：
Crystal Growth and Design
影响因子：
3.8
作者：
Saputro Rahmat Hadi;Matsumura Ryo;Fukata Naoki
通讯作者：
Fukata Naoki

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通过高速连续波激光退火在绝缘衬底上生长具有均匀和非均匀 Si 浓度分布的 SiGe 薄膜

DOI：
10.1016/j.mssp.2021.106024
发表时间：
2021
期刊：
Materials Science in Semiconductor Processing
影响因子：
4.1
作者：
Matsumura Ryo;Ishii Satoshi;Fukata Naoki
通讯作者：
Fukata Naoki

Au-Sn Catalyzed Growth of Ge_(1-x)Sn_x Nanowires: Growth Direction, Crystallinity, and Sn Incorporation

Au-Sn 催化 Ge_(1-x)Sn_x 纳米线的生长：生长方向、结晶度和 Sn 掺入

DOI：
10.1021/acs.nanolett.9b02395
发表时间：
2019
期刊：
Nano Letters
影响因子：
10.8
作者：
Sun Yong-Lie;Matsumura Ryo;Jevasuwan Wipakorn;Fukata Naoki
通讯作者：
Fukata Naoki

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DOI：
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通讯作者：
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核壳异质结纳米线中位点选择性掺杂和载流子传输的控制

批准号：
26246021
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2014
资助金额：
$ 2.5万
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Grant-in-Aid for Scientific Research (A)

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批准号：
15H04154
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Grant-in-Aid for Scientific Research (B)

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批准号：
26870342
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2014
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$ 2.5万
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Grant-in-Aid for Young Scientists (B)

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太阳能电池用高品质多晶硅锭生长技术开发

批准号：
14F04356
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资助金额：
$ 2.5万
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振动单向凝固法多晶硅锭的显微组织控制

批准号：
23760714
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$ 2.5万
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批准号：
23360137
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$ 2.5万
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利用快速结晶技术开发下一代多晶硅太阳能电池制造技术

批准号：
23760692
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资助金额：
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シリコン多結晶の微細組織制御と高効率薄膜太陽電池への応用

硅多晶微结构控制及其在高效薄膜太阳能电池中的应用

批准号：
10F00058
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2010
资助金额：
$ 2.5万
项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows

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批准号：
22560341
财政年份：
2010
资助金额：
$ 2.5万
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)

局所溶融化・マイクロメルトグロース法による規則性単結晶多結晶材料の創製

通过局部熔化/微熔生长方法制备规则单晶多晶材料

批准号：
21656196
财政年份：
2009
资助金额：
$ 2.5万
项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research

会员权益说明：