Formation of Si nanostructure solar cells on glass substrates using aluminum induced crystallization
利用铝诱导结晶在玻璃基板上形成硅纳米结构太阳能电池
基本信息
- 批准号:26600049
- 负责人:
- 金额:$ 2.5万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
- 财政年份:2014
- 资助国家:日本
- 起止时间:2014-04-01 至 2016-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
期刊论文数量(30)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Nanoimprint SiNW-based Solar Cells fabrication and p-matrix coverage optimization
基于纳米压印 SiNW 的太阳能电池制造和 p 矩阵覆盖优化
- DOI:
- 发表时间:2015
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:ジェバスワン ウィパコーン;中島清美;杉本喜正;深田 直樹
- 通讯作者:深田 直樹
Low-temperature UV ozone-treated high efficiency radial p-n junction solar cells: N-Si NW arrays embedded in a p-Si matrix
- DOI:10.1016/j.nanoen.2014.10.028
- 发表时间:2015
- 期刊:
- 影响因子:17.6
- 作者:M. Dutta;N. Fukata
- 通讯作者:M. Dutta;N. Fukata
Formation of Large-grain polycrystalline Si Layer on Quartz by Al-induced Crystallization for Thin-Film Solar Cells
用于薄膜太阳能电池的铝诱导结晶在石英上形成大晶粒多晶硅层
- DOI:
- 发表时间:2016
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Joko Suwardy;Wipakorn Jevasuwan,Kaoru Toko;Takashi Suemasu;Naoki Fukata
- 通讯作者:Naoki Fukata
Transfer-free synthesis of highly ordered Ge nanowire arrays on glass substrate
玻璃基板上无转移合成高度有序的Ge纳米线阵列
- DOI:10.1063/1.4932054
- 发表时间:2015
- 期刊:
- 影响因子:4
- 作者:M. Nakata;K. Toko;W. Jevasuwan;N. Fukata;N. Saitoh;N. Yoshizawa;and T. Suemasu
- 通讯作者:and T. Suemasu
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ patent.updateTime }}
Fukata Naoki其他文献
Formation of Free Hydrogen Gas By Annealing ALD-Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/Si Stacked Structure
ALD-Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/Si叠层结构退火形成游离氢气
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- 影响因子:0
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Fukata Naoki
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- 影响因子:0
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Dopant Redistribution in High-Temperature-Grown Sb-Doped Ge Epitaxial Films
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- 作者:
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Fukata Naoki
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- 影响因子:4.1
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Fukata Naoki
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Au-Sn 催化 Ge_(1-x)Sn_x 纳米线的生长:生长方向、结晶度和 Sn 掺入
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10.1021/acs.nanolett.9b02395 - 发表时间:
2019 - 期刊:
- 影响因子:10.8
- 作者:
Sun Yong-Lie;Matsumura Ryo;Jevasuwan Wipakorn;Fukata Naoki - 通讯作者:
Fukata Naoki
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{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
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核壳异质结纳米线中位点选择性掺杂和载流子传输的控制
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$ 2.5万 - 项目类别:
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使用薄膜光电晶体管和多晶硅薄膜晶体管的人工视网膜
- 批准号:
20656059 - 财政年份:2008
- 资助金额:
$ 2.5万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
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- 批准号:
19656212 - 财政年份:2007
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$ 2.5万 - 项目类别:
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18686060 - 财政年份:2006
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$ 2.5万 - 项目类别:
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