刷新
Formation of Si nanostructure solar cells on glass substrates using aluminum induced crystallization
利用铝诱导结晶在玻璃基板上形成硅纳米结构太阳能电池
基本信息
- 批准号：26600049
- 负责人：
- 金额：$ 2.5万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
- 财政年份：2014
- 资助国家：日本
- 起止时间：2014-04-01 至 2016-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（30）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Nanoimprint SiNW-based Solar Cells fabrication and p-matrix coverage optimization
基于纳米压印 SiNW 的太阳能电池制造和 p 矩阵覆盖优化
- DOI：
- 发表时间：2015
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：ジェバスワン ウィパコーン;中島清美;杉本喜正;深田 直樹
- 通讯作者：深田 直樹
Formation of Large-grain polycrystalline Si Layer on Quartz by Al-induced Crystallization for Thin-Film Solar Cells
用于薄膜太阳能电池的铝诱导结晶在石英上形成大晶粒多晶硅层
- DOI：
- 发表时间：2016
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Joko Suwardy;Wipakorn Jevasuwan,Kaoru Toko;Takashi Suemasu;Naoki Fukata
- 通讯作者：Naoki Fukata
Low-temperature UV ozone-treated high efficiency radial p-n junction solar cells: N-Si NW arrays embedded in a p-Si matrix
- DOI：10.1016/j.nanoen.2014.10.028
- 发表时间：2015
- 期刊：
- 影响因子：17.6
- 作者：M. Dutta;N. Fukata
- 通讯作者：M. Dutta;N. Fukata
Transfer-free synthesis of highly ordered Ge nanowire arrays on glass substrate
玻璃基板上无转移合成高度有序的Ge纳米线阵列
- DOI：10.1063/1.4932054
- 发表时间：2015
- 期刊：
- 影响因子：4
- 作者：M. Nakata;K. Toko;W. Jevasuwan;N. Fukata;N. Saitoh;N. Yoshizawa;and T. Suemasu
- 通讯作者：and T. Suemasu
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ patent.updateTime }}
Fukata Naoki其他文献
Formation of Free Hydrogen Gas By Annealing ALD-Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/Si Stacked Structure
ALD-Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/Si叠层结构退火形成游离氢气
- DOI：
10.1149/10805.0057ecst - 发表时间：
2022 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
Matsumura Ryo;Fukata Naoki - 通讯作者：
Fukata Naoki
Dopant Redistribution in High-Temperature-Grown Sb-Doped Ge Epitaxial Films
高温生长的掺锑锗外延薄膜中的掺杂剂再分布
- DOI：
10.1021/acs.cgd.1c00966 - 发表时间：
2021 - 期刊：
- 影响因子：3.8
- 作者：
Saputro Rahmat Hadi;Matsumura Ryo;Fukata Naoki - 通讯作者：
Fukata Naoki
Crystallization Of Tensile Strained n-Type Ge By Continuous Wave Laser Annealing
连续波激光退火拉伸应变n型Ge的结晶
- DOI：
10.1149/10805.0079ecst - 发表时间：
2022 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
Saputro Rahmat Hadi;Matsumura Ryo;Fukata Naoki - 通讯作者：
Fukata Naoki
Growth of SiGe thin films with uniform and non-uniform Si concentration profiles on insulating substrates by high-speed continuous wave laser annealing
通过高速连续波激光退火在绝缘衬底上生长具有均匀和非均匀 Si 浓度分布的 SiGe 薄膜
- DOI：
10.1016/j.mssp.2021.106024 - 发表时间：
2021 - 期刊：
- 影响因子：4.1
- 作者：
Matsumura Ryo;Ishii Satoshi;Fukata Naoki - 通讯作者：
Fukata Naoki
Growth of High Sn Concentration Germanium-Tin Films on Insulators by Microsecond Laser Annealing
微秒激光退火在绝缘体上生长高锡浓度锗锡薄膜
- DOI：
10.1149/10202.0141ecst - 发表时间：
2021 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
Matsumura Ryo;Fukata Naoki - 通讯作者：
Fukata Naoki
Fukata Naoki的其他文献
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
{{ truncateString('Fukata Naoki', 18)}}的其他基金
Control of site selective doping and carrier transport in core-shell heterojunction nanowires
核壳异质结纳米线中位点选择性掺杂和载流子传输的控制
- 批准号：
26246021 - 财政年份：2014
- 资助金额：
$ 2.5万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
相似海外基金
Study on melt growth mechanisms of multicrystalline silicon by in situ observations(Fostering Joint International Research)
通过原位观测研究多晶硅熔体生长机制（促进国际联合研究）
- 批准号：
15KK0198 - 财政年份：2016
- 资助金额：
$ 2.5万 - 项目类别：
Fund for the Promotion of Joint International Research (Fostering Joint International Research)
太陽電池用高品質シリコン多結晶インゴットの成長技術の開発
太阳能电池用高品质多晶硅锭生长技术开发
- 批准号：
14F04356 - 财政年份：2014
- 资助金额：
$ 2.5万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
Study of melt growth mechanisms of multicrystalline Si by in situ observations
原位观测研究多晶硅熔体生长机制
- 批准号：
26246016 - 财政年份：2014
- 资助金额：
$ 2.5万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
Study of carbon impurities in bulk multicrystalline silicon
大块多晶硅中碳杂质的研究
- 批准号：
23760004 - 财政年份：2011
- 资助金额：
$ 2.5万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
Microstructure control of polycrystalline silicon ingot by the vibrating unidirectional solidification method
振动单向凝固法多晶硅锭的显微组织控制
- 批准号：
23760714 - 财政年份：2011
- 资助金额：
$ 2.5万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)