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Formation of Si nanostructure solar cells on glass substrates using aluminum induced crystallization
利用铝诱导结晶在玻璃基板上形成硅纳米结构太阳能电池
基本信息
- 批准号：26600049
- 负责人：
- 金额：$ 2.5万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
- 财政年份：2014
- 资助国家：日本
- 起止时间：2014-04-01 至 2016-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（30）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Nanoimprint SiNW-based Solar Cells fabrication and p-matrix coverage optimization
基于纳米压印 SiNW 的太阳能电池制造和 p 矩阵覆盖优化
- DOI：
- 发表时间：2015
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：ジェバスワン ウィパコーン;中島清美;杉本喜正;深田 直樹
- 通讯作者：深田 直樹
Low-temperature UV ozone-treated high efficiency radial p-n junction solar cells: N-Si NW arrays embedded in a p-Si matrix
- DOI：10.1016/j.nanoen.2014.10.028
- 发表时间：2015
- 期刊：
- 影响因子：17.6
- 作者：M. Dutta;N. Fukata
- 通讯作者：M. Dutta;N. Fukata
Formation of Large-grain polycrystalline Si Layer on Quartz by Al-induced Crystallization for Thin-Film Solar Cells
用于薄膜太阳能电池的铝诱导结晶在石英上形成大晶粒多晶硅层
- DOI：
- 发表时间：2016
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Joko Suwardy;Wipakorn Jevasuwan,Kaoru Toko;Takashi Suemasu;Naoki Fukata
- 通讯作者：Naoki Fukata
Transfer-free synthesis of highly ordered Ge nanowire arrays on glass substrate
玻璃基板上无转移合成高度有序的Ge纳米线阵列
- DOI：10.1063/1.4932054
- 发表时间：2015
- 期刊：
- 影响因子：4
- 作者：M. Nakata;K. Toko;W. Jevasuwan;N. Fukata;N. Saitoh;N. Yoshizawa;and T. Suemasu
- 通讯作者：and T. Suemasu
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Fukata Naoki其他文献
Formation of Free Hydrogen Gas By Annealing ALD-Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/Si Stacked Structure
ALD-Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/Si叠层结构退火形成游离氢气
- DOI：
10.1149/10805.0057ecst - 发表时间：
2022 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
Matsumura Ryo;Fukata Naoki - 通讯作者：
Fukata Naoki
Crystallization Of Tensile Strained n-Type Ge By Continuous Wave Laser Annealing
连续波激光退火拉伸应变n型Ge的结晶
- DOI：
10.1149/10805.0079ecst - 发表时间：
2022 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
Saputro Rahmat Hadi;Matsumura Ryo;Fukata Naoki - 通讯作者：
Fukata Naoki
Dopant Redistribution in High-Temperature-Grown Sb-Doped Ge Epitaxial Films
高温生长的掺锑锗外延薄膜中的掺杂剂再分布
- DOI：
10.1021/acs.cgd.1c00966 - 发表时间：
2021 - 期刊：
- 影响因子：3.8
- 作者：
Saputro Rahmat Hadi;Matsumura Ryo;Fukata Naoki - 通讯作者：
Fukata Naoki
Growth of SiGe thin films with uniform and non-uniform Si concentration profiles on insulating substrates by high-speed continuous wave laser annealing
通过高速连续波激光退火在绝缘衬底上生长具有均匀和非均匀 Si 浓度分布的 SiGe 薄膜
- DOI：
10.1016/j.mssp.2021.106024 - 发表时间：
2021 - 期刊：
- 影响因子：4.1
- 作者：
Matsumura Ryo;Ishii Satoshi;Fukata Naoki - 通讯作者：
Fukata Naoki
Au-Sn Catalyzed Growth of Ge_(1-x)Sn_x Nanowires: Growth Direction, Crystallinity, and Sn Incorporation
Au-Sn 催化 Ge_(1-x)Sn_x 纳米线的生长：生长方向、结晶度和 Sn 掺入
- DOI：
10.1021/acs.nanolett.9b02395 - 发表时间：
2019 - 期刊：
- 影响因子：10.8
- 作者：
Sun Yong-Lie;Matsumura Ryo;Jevasuwan Wipakorn;Fukata Naoki - 通讯作者：
Fukata Naoki
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- DOI：
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{{ truncateString('Fukata Naoki', 18)}}的其他基金
Control of site selective doping and carrier transport in core-shell heterojunction nanowires
核壳异质结纳米线中位点选择性掺杂和载流子传输的控制
- 批准号：
26246021 - 财政年份：2014
- 资助金额：
$ 2.5万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
相似海外基金
多結晶シリコン基板を用いたⅢ族窒化物半導体面状発光デバイスの開発に関する研究
使用多晶硅衬底的III族氮化物半导体平面发光器件的开发研究
- 批准号：
24K07603 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 2.5万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
太陽電池用高品質シリコン多結晶インゴットの成長技術の開発
太阳能电池用高品质多晶硅锭生长技术开发
- 批准号：
14F04356 - 财政年份：2014
- 资助金额：
$ 2.5万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
シリコン多結晶の微細組織制御と高効率薄膜太陽電池への応用
硅多晶微结构控制及其在高效薄膜太阳能电池中的应用
- 批准号：
10F00058 - 财政年份：2010
- 资助金额：
$ 2.5万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
局所溶融化・マイクロメルトグロース法による規則性単結晶多結晶材料の創製
通过局部熔化/微熔生长方法制备规则单晶多晶材料
- 批准号：
21656196 - 财政年份：2009
- 资助金额：
$ 2.5万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
ファセットデンドライト成長を利用した高品質薄板多結晶シリコンの成長技術の開発
开发利用多面枝晶生长的高质量薄多晶硅生长技术
- 批准号：
21686001 - 财政年份：2009
- 资助金额：
$ 2.5万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
薄膜フォトトランジスタと多結晶シリコン薄膜トランジスタによる人工網膜
使用薄膜光电晶体管和多晶硅薄膜晶体管的人工视网膜
- 批准号：
20656059 - 财政年份：2008
- 资助金额：
$ 2.5万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
塩素化合物を経由しない新たな太陽電池用多結晶シリコン製造プロセスの開発
开发不涉及氯化合物的太阳能电池用多晶硅新制造工艺
- 批准号：
19656212 - 财政年份：2007
- 资助金额：
$ 2.5万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
方位・粒界・粒サイズを制御した太陽電池用バルク多結晶シリコンの成長技術の確立
建立具有受控取向、晶界和晶粒尺寸的太阳能电池块状多晶硅生长技术
- 批准号：
18686060 - 财政年份：2006
- 资助金额：
$ 2.5万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
太陽電池用高品質バルク多結晶シリコンの開発
太阳能电池用高品质块状多晶硅的开发
- 批准号：
06J05177 - 财政年份：2006
- 资助金额：
$ 2.5万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
デンドライト成長を利用した完全配向半導体バルク多結晶の成長技術の開発
利用枝晶生长开发完美取向半导体块状多晶的生长技术
- 批准号：
17656223 - 财政年份：2005
- 资助金额：
$ 2.5万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Exploratory Research