Formation of Si nanostructure solar cells on glass substrates using aluminum induced crystallization

利用铝诱导结晶在玻璃基板上形成硅纳米结构太阳能电池

基本信息

  • 批准号:
    26600049
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 2.5万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
  • 财政年份:
    2014
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2014-04-01 至 2016-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量(30)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Nanoimprint SiNW-based Solar Cells fabrication and p-matrix coverage optimization
基于纳米压印 SiNW 的太阳能电池制造和 p 矩阵覆盖优化
  • DOI:
  • 发表时间:
    2015
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    ジェバスワン ウィパコーン;中島清美;杉本喜正;深田 直樹
  • 通讯作者:
    深田 直樹
分子終端シリコンナノ粒子を利用した太陽電池
使用分子封端硅纳米颗粒的太阳能电池
  • DOI:
  • 发表时间:
    2015
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
Low-temperature UV ozone-treated high efficiency radial p-n junction solar cells: N-Si NW arrays embedded in a p-Si matrix
  • DOI:
    10.1016/j.nanoen.2014.10.028
  • 发表时间:
    2015
  • 期刊:
  • 影响因子:
    17.6
  • 作者:
    M. Dutta;N. Fukata
  • 通讯作者:
    M. Dutta;N. Fukata
Formation of Large-grain polycrystalline Si Layer on Quartz by Al-induced Crystallization for Thin-Film Solar Cells
用于薄膜太阳能电池的铝诱导结晶在石英上形成大晶粒多晶硅层
  • DOI:
  • 发表时间:
    2016
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Joko Suwardy;Wipakorn Jevasuwan,Kaoru Toko;Takashi Suemasu;Naoki Fukata
  • 通讯作者:
    Naoki Fukata
Transfer-free synthesis of highly ordered Ge nanowire arrays on glass substrate
玻璃基板上无转移合成高度有序的Ge纳米线阵列
  • DOI:
    10.1063/1.4932054
  • 发表时间:
    2015
  • 期刊:
  • 影响因子:
    4
  • 作者:
    M. Nakata;K. Toko;W. Jevasuwan;N. Fukata;N. Saitoh;N. Yoshizawa;and T. Suemasu
  • 通讯作者:
    and T. Suemasu
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Formation of Free Hydrogen Gas By Annealing ALD-Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/Si Stacked Structure
ALD-Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/Si叠层结构退火形成游离氢气
  • DOI:
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  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Matsumura Ryo;Fukata Naoki
  • 通讯作者:
    Fukata Naoki
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  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Saputro Rahmat Hadi;Matsumura Ryo;Fukata Naoki
  • 通讯作者:
    Fukata Naoki
Dopant Redistribution in High-Temperature-Grown Sb-Doped Ge Epitaxial Films
高温生长的掺锑锗外延薄膜中的掺杂剂再分布
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  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    3.8
  • 作者:
    Saputro Rahmat Hadi;Matsumura Ryo;Fukata Naoki
  • 通讯作者:
    Fukata Naoki
Growth of SiGe thin films with uniform and non-uniform Si concentration profiles on insulating substrates by high-speed continuous wave laser annealing
通过高速连续波激光退火在绝缘衬底上生长具有均匀和非均匀 Si 浓度分布的 SiGe 薄膜
Au-Sn Catalyzed Growth of Ge_(1-x)Sn_x Nanowires: Growth Direction, Crystallinity, and Sn Incorporation
Au-Sn 催化 Ge_(1-x)Sn_x 纳米线的生长:生长方向、结晶度和 Sn 掺入
  • DOI:
    10.1021/acs.nanolett.9b02395
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    10.8
  • 作者:
    Sun Yong-Lie;Matsumura Ryo;Jevasuwan Wipakorn;Fukata Naoki
  • 通讯作者:
    Fukata Naoki

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    2014
  • 资助金额:
    $ 2.5万
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    Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
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  • 批准号:
    14F04356
  • 财政年份:
    2014
  • 资助金额:
    $ 2.5万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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  • 批准号:
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  • 财政年份:
    2011
  • 资助金额:
    $ 2.5万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
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  • 批准号:
    23360137
  • 财政年份:
    2011
  • 资助金额:
    $ 2.5万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Development of the fabrication technology of next-generation polycrystalline silicon solar cells using rapid crystallization
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  • 批准号:
    23760692
  • 财政年份:
    2011
  • 资助金额:
    $ 2.5万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
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硅多晶微结构控制及其在高效薄膜太阳能电池中的应用
  • 批准号:
    10F00058
  • 财政年份:
    2010
  • 资助金额:
    $ 2.5万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
Self-Aligned Embedded Metal Double-Gate Polycrystalline-Silicon Thin-Film Transistors Fabricated at Low Temperature on Glass Substrate
玻璃衬底上低温制作的自对准嵌入式金属双栅多晶硅薄膜晶体管
  • 批准号:
    22560341
  • 财政年份:
    2010
  • 资助金额:
    $ 2.5万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
局所溶融化・マイクロメルトグロース法による規則性単結晶多結晶材料の創製
通过局部熔化/微熔生长方法制备规则单晶多晶材料
  • 批准号:
    21656196
  • 财政年份:
    2009
  • 资助金额:
    $ 2.5万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
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知道了