Formation of Si nanostructure solar cells on glass substrates using aluminum induced crystallization

利用铝诱导结晶在玻璃基板上形成硅纳米结构太阳能电池

基本信息

  • 批准号:
    26600049
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 2.5万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
  • 财政年份:
    2014
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2014-04-01 至 2016-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量(30)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Nanoimprint SiNW-based Solar Cells fabrication and p-matrix coverage optimization
基于纳米压印 SiNW 的太阳能电池制造和 p 矩阵覆盖优化
  • DOI:
  • 发表时间:
    2015
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    ジェバスワン ウィパコーン;中島清美;杉本喜正;深田 直樹
  • 通讯作者:
    深田 直樹
分子終端シリコンナノ粒子を利用した太陽電池
使用分子封端硅纳米颗粒的太阳能电池
  • DOI:
  • 发表时间:
    2015
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
Low-temperature UV ozone-treated high efficiency radial p-n junction solar cells: N-Si NW arrays embedded in a p-Si matrix
  • DOI:
    10.1016/j.nanoen.2014.10.028
  • 发表时间:
    2015
  • 期刊:
  • 影响因子:
    17.6
  • 作者:
    M. Dutta;N. Fukata
  • 通讯作者:
    M. Dutta;N. Fukata
Formation of Large-grain polycrystalline Si Layer on Quartz by Al-induced Crystallization for Thin-Film Solar Cells
用于薄膜太阳能电池的铝诱导结晶在石英上形成大晶粒多晶硅层
  • DOI:
  • 发表时间:
    2016
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Joko Suwardy;Wipakorn Jevasuwan,Kaoru Toko;Takashi Suemasu;Naoki Fukata
  • 通讯作者:
    Naoki Fukata
Transfer-free synthesis of highly ordered Ge nanowire arrays on glass substrate
玻璃基板上无转移合成高度有序的Ge纳米线阵列
  • DOI:
    10.1063/1.4932054
  • 发表时间:
    2015
  • 期刊:
  • 影响因子:
    4
  • 作者:
    M. Nakata;K. Toko;W. Jevasuwan;N. Fukata;N. Saitoh;N. Yoshizawa;and T. Suemasu
  • 通讯作者:
    and T. Suemasu
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Fukata Naoki其他文献

Formation of Free Hydrogen Gas By Annealing ALD-Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/Si Stacked Structure
ALD-Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/Si叠层结构退火形成游离氢气
  • DOI:
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  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Matsumura Ryo;Fukata Naoki
  • 通讯作者:
    Fukata Naoki
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  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Saputro Rahmat Hadi;Matsumura Ryo;Fukata Naoki
  • 通讯作者:
    Fukata Naoki
Dopant Redistribution in High-Temperature-Grown Sb-Doped Ge Epitaxial Films
高温生长的掺锑锗外延薄膜中的掺杂剂再分布
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  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    3.8
  • 作者:
    Saputro Rahmat Hadi;Matsumura Ryo;Fukata Naoki
  • 通讯作者:
    Fukata Naoki
Growth of SiGe thin films with uniform and non-uniform Si concentration profiles on insulating substrates by high-speed continuous wave laser annealing
通过高速连续波激光退火在绝缘衬底上生长具有均匀和非均匀 Si 浓度分布的 SiGe 薄膜
Au-Sn Catalyzed Growth of Ge_(1-x)Sn_x Nanowires: Growth Direction, Crystallinity, and Sn Incorporation
Au-Sn 催化 Ge_(1-x)Sn_x 纳米线的生长:生长方向、结晶度和 Sn 掺入
  • DOI:
    10.1021/acs.nanolett.9b02395
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    10.8
  • 作者:
    Sun Yong-Lie;Matsumura Ryo;Jevasuwan Wipakorn;Fukata Naoki
  • 通讯作者:
    Fukata Naoki

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  • 资助金额:
    $ 2.5万
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    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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    2009
  • 资助金额:
    $ 2.5万
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    21686001
  • 财政年份:
    2009
  • 资助金额:
    $ 2.5万
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    Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
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  • 批准号:
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  • 财政年份:
    2008
  • 资助金额:
    $ 2.5万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
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  • 批准号:
    19656212
  • 财政年份:
    2007
  • 资助金额:
    $ 2.5万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
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  • 批准号:
    18686060
  • 财政年份:
    2006
  • 资助金额:
    $ 2.5万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
太陽電池用高品質バルク多結晶シリコンの開発
太阳能电池用高品质块状多晶硅的开发
  • 批准号:
    06J05177
  • 财政年份:
    2006
  • 资助金额:
    $ 2.5万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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  • 批准号:
    17656223
  • 财政年份:
    2005
  • 资助金额:
    $ 2.5万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Exploratory Research
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知道了