Understanding of carrier transport properties of Ge-On-Insulator CMOS and establishment of performance enhancement engineering
Understanding of carrier transport properties of Ge-On-Insulator CMOS and establishment of performance enhancement engineering
了解Ge-On-Insulator CMOS的载流子传输特性并建立性能增强工程
批准号：
26249038
负责人：
Takagi Shinichi
金额：
$26.54万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
财政年份：
2014
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2014-04-01 至 2017-03-31
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Sb-Doped S/D Ultrathin body Ge-On-insulator nMOSFET fabricated by improved Ge condensation process
采用改进的 Ge 冷凝工艺制造的 Sb 掺杂 S/D 超薄体 Ge-On-insulator nMOSFET
采用改进的 Ge 冷凝工艺制造的 Sb 掺杂 S/D 超薄体 Ge-On-insulator nMOSFET
DOI：
10.1109/ted.2014.2350457
发表时间：
2014
期刊：
IEEE Trans. Electron Devices
影响因子：
--
作者：
[W.-K. Kim, K. Kuroda, T. Osada, M. Hata, M. Takenaka and S. Takagi]
通讯作者：
M. Takenaka and S. Takagi
III-V/Ge MOS Device Technologies for Ultra-Low Power LSIs
用于超低功耗 LSI 的 III-V/Ge MOS 器件技术
用于超低功耗 LSI 的 III-V/Ge MOS 器件技术
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
作者：
[M. Tsujikawa, Y. Matsuzawa, M. Shirai, 宮本恭幸, S. Takagi]
通讯作者：
S. Takagi
低消費LSIのためのIII-V族半導体およびGe/ひずみSOIトンネルFETテクノロジー
用于低功率 LSI 的 III-V 半导体和 Ge/应变 SOI 隧道 FET 技术
用于低功率 LSI 的 III-V 半导体和 Ge/应变 SOI 隧道 FET 技术
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
[高木信一, 金閔洙, 野口宗隆, ジ・サンミン, 西康一, 竹中充]
通讯作者：
竹中充
DOI：
10.7567/jjap.54.06fa01
发表时间：
2015-06-01
期刊：
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
影响因子：
1.5
作者：
[Takagi, Shinichi, Zhang, Rui, Takenaka, Mitsuru]
通讯作者：
Takenaka, Mitsuru
DOI：
10.1109/ted.2015.2509961
发表时间：
2016-02-01
期刊：
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES
影响因子：
3.1
作者：
[Zhang, Rui, Yu, Xiao, Takagi, Shinichi]
通讯作者：
Takagi, Shinichi
共 53 条
Precise structure control of 3-dimensional integration CMOS using high mobility materials through layer transfer
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批准号：17H06148
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (S)
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资助金额：$132.2万
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财政年份：2017
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负责人：Takagi Shinichi
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依托单位：
海外基金