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Understanding of carrier transport properties of Ge-On-Insulator CMOS and establishment of performance enhancement engineering

了解Ge-On-Insulator CMOS的载流子传输特性并建立性能增强工程

基本信息

批准号：
26249038
负责人：
Takagi Shinichi
金额：
$ 26.54万
依托单位：
The University of Tokyo
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
财政年份：
2014
资助国家：
日本
起止时间：
2014-04-01 至 2017-03-31
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-26249038/
关键词：
MOSFET ゲルマニウム移動度反転層サブバンド

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（69）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

Sb-Doped S/D Ultrathin body Ge-On-insulator nMOSFET fabricated by improved Ge condensation process

采用改进的 Ge 冷凝工艺制造的 Sb 掺杂 S/D 超薄体 Ge-On-insulator nMOSFET

DOI：
10.1109/ted.2014.2350457
发表时间：
2014
期刊：
IEEE Trans. Electron Devices
影响因子：
0
作者：
W.-K. Kim;K. Kuroda;T. Osada;M. Hata;M. Takenaka and S. Takagi
通讯作者：
M. Takenaka and S. Takagi

III-V/Ge MOS Device Technologies for Ultra-Low Power LSIs

用于超低功耗 LSI 的 III-V/Ge MOS 器件技术

DOI：
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
0
作者：
M. Tsujikawa;Y. Matsuzawa;M. Shirai;宮本恭幸;S. Takagi
通讯作者：
S. Takagi

低消費LSIのためのIII-V族半導体およびGe/ひずみSOIトンネルFETテクノロジー

用于低功率 LSI 的 III-V 半导体和 Ge/应变 SOI 隧道 FET 技术

DOI：
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
0
作者：
高木信一;金閔洙;野口宗隆;ジ・サンミン;西康一;竹中充
通讯作者：
竹中充

III-V/Ge channel MOS device technologies in nano CMOS era

DOI：
10.7567/jjap.54.06fa01
发表时间：
2015-06-01
期刊：
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
影响因子：
1.5
作者：
Takagi, Shinichi;Zhang, Rui;Takenaka, Mitsuru
通讯作者：
Takenaka, Mitsuru

Impact of Postdeposition Annealing Ambient on the Mobility of Ge nMOSFETs With 1-nm EOT Al2O3/GeOx/Ge Gate-Stacks

DOI：
10.1109/ted.2015.2509961
发表时间：
2016-02-01
期刊：
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES
影响因子：
3.1
作者：
Zhang, Rui;Yu, Xiao;Takagi, Shinichi
通讯作者：
Takagi, Shinichi

DOI：
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Takagi Shinichi其他文献

Ge-on-insulator Platform for Mid-infrared Photonic Integrated Circuits

用于中红外光子集成电路的绝缘体上Ge平台

DOI：
10.1149/10904.0047ecst
发表时间：
2022
期刊：
ECS Transactions
影响因子：
0
作者：
Takenaka Mitsuru;Zhao Ziqiang;Ho Chong Pei;Fujigaki Takumi;Piyapatarakul Tipat;Miyatake Yuto;Tang Rui;Toprasertpong Kasidit;Takagi Shinichi
通讯作者：
Takagi Shinichi

Metal?oxide?semiconductor interface properties of TiN/Y2O3/Si0.62Ge0.38 gate stacks with high temperature post-metallization annealing

TiN/Y2O3/Si0.62Ge0.38栅叠层高温金属化后退火的金属氧化物半导体界面特性

DOI：
10.1063/1.5144198
发表时间：
2020
期刊：
Journal of Applied Physics
影响因子：
3.2
作者：
Lee Tsung-En;Ke Mengnan;Kato Kimihiko;Takenaka Mitsuru;Takagi Shinichi
通讯作者：
Takagi Shinichi

Non-volatile compact optical phase shifter based on Ge2Sb2Te5 operating at 2.3 μm

基于 Ge2Sb2Te5 工作波长为 2.3 μm 的非易失性紧凑型光学移相器

DOI：
10.1364/ome.473987
发表时间：
2022
期刊：
Optical Materials Express
影响因子：
2.8
作者：
Miyatake Yuto;Ho Chong Pei;Pitchappa Prakash;Singh Ranjan;Makino Kotaro;Tominaga Junji;Miyata Noriyuki;Nakano Takashi;Toprasertpong Kasidit;Takagi Shinichi;Takenaka Mitsuru
通讯作者：
Takenaka Mitsuru

TiN/Al2O3/ZnO gate stack engineering for top-gate thin film transistors by combination of post oxidation and annealing

通过后氧化和退火相结合的顶栅薄膜晶体管 TiN/Al2O3/ZnO 栅堆叠工程

DOI：
10.1063/1.5020080
发表时间：
2018
期刊：
APPLIED PHYSICS LETTERS
影响因子：
4
作者：
Kato Kimihiko;Matsui Hiroaki;Tabata Hitoshi;Takenaka Mitsuru;Takagi Shinichi
通讯作者：
Takagi Shinichi

Accurate evaluation of specific contact resistivity between InAs/Ni?InAs alloy using a multi-sidewall transmission line method

采用多侧壁传输线法准确评估InAs/Ni?InAs合金之间的比接触电阻率

DOI：
10.35848/1347-4065/ab6cb3
发表时间：
2020
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子：
1.5
作者：
Sumita Kei;Kato Kimihiko;Takeyasu Jun;Toprasertpong Kasidit;Takenaka Mitsuru;Takagi Shinichi
通讯作者：
Takagi Shinichi