Precise structure control of 3-dimensional integration CMOS using high mobility materials through layer transfer
Precise structure control of 3-dimensional integration CMOS using high mobility materials through layer transfer
通过层转移使用高迁移率材料对 3 维集成 CMOS 进行精确结构控制
批准号：
17H06148
负责人：
Takagi Shinichi
金额：
$132.2万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (S)
财政年份：
2017
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2017-05-31 至 2022-03-31
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Impact of La2O3/InGaAs MOS Interfaces on the Performance of InGaAs MOSFETs
La2O3/InGaAs MOS 界面对 InGaAs MOSFET 性能的影响
La2O3/InGaAs MOS 界面对 InGaAs MOSFET 性能的影响
DOI：
10.1109/ted.2017.2696741
发表时间：
2017
期刊：
IEEE Trans. Electron Devices
影响因子：
--
作者：
[C.-Y. Chang, C. Yokoyama, M. Takenaka, Member and S. Takagi]
通讯作者：
Member and S. Takagi
Slow Trap Properties and Generation in Al2O3/GeOx/Ge MOS Interfaces Formed by Plasma Oxidation Process
等离子体氧化工艺形成的 Al2O3/GeOx/Ge MOS 界面的慢陷阱特性和生成
等离子体氧化工艺形成的 Al2O3/GeOx/Ge MOS 界面的慢陷阱特性和生成
DOI：
10.1021/acsaelm.8b00071
发表时间：
2019
期刊：
ACS Applied Electronic Materials
影响因子：
4.7
作者：
[Ke Mengnan, Takenaka Mitsuru, Takagi Shinichi]
通讯作者：
Takagi Shinichi
SWIR Detection of Front Side Illumination InGaAs PhotoFETs on Si Substrate through Layer Transfer Technology
通过层转移技术对硅衬底上的前侧照明 InGaAs PhotoFET 进行短波红外 (SWIR) 检测
通过层转移技术对硅衬底上的前侧照明 InGaAs PhotoFET 进行短波红外 (SWIR) 检测
DOI：
10.1380/vss.64.74
发表时间：
2021
期刊：
Vacuum and Surface Science
影响因子：
--
作者：
[OISHI Kazuaki, ISHII Hiroyuki, CHANG Wen-Hsin, SHIMIZU Tetsuji, ISHII Hiroto, FUJISHIRO Hiroki, ENDOH Akira, MAEDA Tatsuro]
通讯作者：
MAEDA Tatsuro
Anisotropic Strain States in Extremely-Thin Body Ge-on-Insulator p-type MOSFET Observed by Oil-immersion Raman Spectroscopy
油浸拉曼光谱观察极薄体绝缘体上Ge p型MOSFET中的各向异性应变状态
油浸拉曼光谱观察极薄体绝缘体上Ge p型MOSFET中的各向异性应变状态
DOI：
--
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
--
作者：
[R. Yokogawa, C.-T. Chen, T. Kasidit, M. Takenaka, S. Takagi and A. Ogura]
通讯作者：
S. Takagi and A. Ogura
エピタキシャルリフトオフ(ELO)法によるGeOI(111)構造の作成
通过外延剥离 (ELO) 方法创建 GeOI(111) 结构
通过外延剥离 (ELO) 方法创建 GeOI(111) 结构
DOI：
--
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
--
作者：
[W. H. Chang, H. -W. Wan, Yi. -T. Cheng, Y. -H. G. Lin, T. Irisawa, H Ishii, J. Kwo, M. Hong, and T. Maeda]
通讯作者：
and T. Maeda
共 140 条
Understanding of carrier transport properties of Ge-On-Insulator CMOS and establishment of performance enhancement engineering
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批准号：26249038
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
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资助金额：$26.54万
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财政年份：2014
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负责人：Takagi Shinichi
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依托单位：
海外基金