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Precise structure control of 3-dimensional integration CMOS using high mobility materials through layer transfer
通过层转移使用高迁移率材料对 3 维集成 CMOS 进行精确结构控制
基本信息
- 批准号：17H06148
- 负责人：
- 金额：$ 132.2万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (S)
- 财政年份：2017
- 资助国家：日本
- 起止时间：2017-05-31 至 2022-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Anisotropic Strain States in Extremely-Thin Body Ge-on-Insulator p-type MOSFET Observed by Oil-immersion Raman Spectroscopy
油浸拉曼光谱观察极薄体绝缘体上Ge p型MOSFET中的各向异性应变状态
- DOI：
- 发表时间：2021
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：R. Yokogawa;C.-T. Chen;T. Kasidit;M. Takenaka;S. Takagi and A. Ogura
- 通讯作者：S. Takagi and A. Ogura
エピタキシャルリフトオフ(ELO)法によるGeOI(111)構造の作成
通过外延剥离 (ELO) 方法创建 GeOI(111) 结构
- DOI：
- 发表时间：2021
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：W. H. Chang;H. -W. Wan;Yi. -T. Cheng;Y. -H. G. Lin;T. Irisawa;H Ishii;J. Kwo;M. Hong;and T. Maeda
- 通讯作者：and T. Maeda
Hole mobility enhancement in extremely-thin body asymmetrically-strained (100) GOI pMOSFETs
极薄体不对称应变 (100) GOI pMOSFET 中的空穴迁移率增强
- DOI：
- 发表时间：2021
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：C. -T. Chen;R. Yokogawa;K. Toprasertpong;A. Ogura;M. Takenaka and S. Takagi
- 通讯作者：M. Takenaka and S. Takagi
Advanced Layer Transfer Technology of post-Si Materials for Heterogeneous Integration
用于异质集成的后硅材料先进层转移技术
- DOI：
- 发表时间：2020
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：T. Maeda;T. Irisawa;H. Ishii;and W. H. Chang
- 通讯作者：and W. H. Chang
Electron and Acoustic Phonon Confinement in Ultrathin-Body Ge on Insulator
绝缘体上超薄体 Ge 中的电子和声声子约束
- DOI：
- 发表时间：2018
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：V. Poborchii;W. H. Chang;T. Irisawa;H. Ishii;H. Hattori;N. Uchida;J. Groenen;P. Geshev and T. Maeda
- 通讯作者：P. Geshev and T. Maeda
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Takagi Shinichi其他文献
Ge-on-insulator Platform for Mid-infrared Photonic Integrated Circuits
用于中红外光子集成电路的绝缘体上Ge平台
- DOI：
10.1149/10904.0047ecst - 发表时间：
2022 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
Takenaka Mitsuru;Zhao Ziqiang;Ho Chong Pei;Fujigaki Takumi;Piyapatarakul Tipat;Miyatake Yuto;Tang Rui;Toprasertpong Kasidit;Takagi Shinichi - 通讯作者：
Takagi Shinichi
Non-volatile compact optical phase shifter based on Ge<sub>2</sub>Sb<sub>2</sub>Te<sub>5</sub> operating at 2.3 μm
基于 Ge<sub>2</sub>Sb<sub>2</sub>Te<sub>5</sub> 工作波长为 2.3 μm 的非易失性紧凑型光学移相器
- DOI：
10.1364/ome.473987 - 发表时间：
2022 - 期刊：
- 影响因子：2.8
- 作者：
Miyatake Yuto;Ho Chong Pei;Pitchappa Prakash;Singh Ranjan;Makino Kotaro;Tominaga Junji;Miyata Noriyuki;Nakano Takashi;Toprasertpong Kasidit;Takagi Shinichi;Takenaka Mitsuru - 通讯作者：
Takenaka Mitsuru
TiN/Al2O3/ZnO gate stack engineering for top-gate thin film transistors by combination of post oxidation and annealing
通过后氧化和退火相结合的顶栅薄膜晶体管 TiN/Al2O3/ZnO 栅堆叠工程
- DOI：
10.1063/1.5020080 - 发表时间：
2018 - 期刊：
- 影响因子：4
- 作者：
Kato Kimihiko;Matsui Hiroaki;Tabata Hitoshi;Takenaka Mitsuru;Takagi Shinichi - 通讯作者：
Takagi Shinichi
EarthCARE Science Status (2)
EarthCARE 科学状况 (2)
- DOI：
- 发表时间：
2018 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
Lee Tsung-En;Ke Mengnan;Kato Kimihiko;Takenaka Mitsuru;Takagi Shinichi;Okamoto H. - 通讯作者：
Okamoto H.
Proposal and demonstration of oxide-semiconductor/(Si, SiGe, Ge) bilayer tunneling field effect transistor with type-II energy band alignment
具有II型能带排列的氧化物半导体/（Si、SiGe、Ge）双层隧道场效应晶体管的提出和演示
- DOI：
- 发表时间：
2018 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
Kato Kimihiko;Matsui Hiroaki;Tabata Hitoshi;Takenaka Mitsuru;Takagi Shinichi - 通讯作者：
Takagi Shinichi
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{{ truncateString('Takagi Shinichi', 18)}}的其他基金
Understanding of carrier transport properties of Ge-On-Insulator CMOS and establishment of performance enhancement engineering
了解Ge-On-Insulator CMOS的载流子传输特性并建立性能增强工程
- 批准号：
26249038 - 财政年份：2014
- 资助金额：
$ 132.2万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
相似海外基金
高圧相変態が拓くシリコン―ゲルマニウム合金の結晶多型と新奇物性解明
阐明高压相变开发的硅锗合金的晶体多态性和新的物理性能
- 批准号：
23K26405 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 132.2万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
半導体デバイス特性向上のためのゲルマニウムおよび有機金属の酸化反応の解明
阐明锗和有机金属氧化反应以改善半导体器件性能
- 批准号：
24K07586 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 132.2万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
中空ゲルマニウム構造に基づく高性能電子・光デバイス集積化技術の開発
基于空心锗结构的高性能电子/光器件集成技术开发
- 批准号：
24K07576 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 132.2万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
ゲルマニウム二次元結晶のヘテロ構造形成と電子物性制御
锗二维晶体的异质结构形成及电子性质控制
- 批准号：
23K22794 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 132.2万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
多結晶Geの物性評価とデバイス応用のためのpn接合形成技術の構築
多晶Ge物理性能评价及器件应用pn结形成技术构建
- 批准号：
23K13674 - 财政年份：2023
- 资助金额：
$ 132.2万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
接合型Ge検出器の2次元構造展開で切り拓く超高感度な中間-遠赤外線センサーの実現
开发结型Ge探测器二维结构实现超高灵敏度中远红外传感器
- 批准号：
23H01223 - 财政年份：2023
- 资助金额：
$ 132.2万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
アニオン種の光励起を基軸とした14族元素化合物の新規合成法の開発
开发基于阴离子光激发的14族元素化合物新合成方法
- 批准号：
22KJ1145 - 财政年份：2023
- 资助金额：
$ 132.2万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
On-demand preparation of heteroatom radical species
按需制备杂原子自由基物种
- 批准号：
23K13741 - 财政年份：2023
- 资助金额：
$ 132.2万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
Exploring spin coherence engineering in group IV semiconductor quantum structures
探索 IV 族半导体量子结构中的自旋相干工程
- 批准号：
23H05455 - 财政年份：2023
- 资助金额：
$ 132.2万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (S)
ゲルマニウム二次元結晶のヘテロ構造形成と電子物性制御
二维锗晶体异质结构形成及电子性质控制
- 批准号：
22H01524 - 财政年份：2022
- 资助金额：
$ 132.2万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)