权益分类	功能权益	普通用户	{{item.name}}会员
{{category.name}}	{{benefitItem.name}}

Substrate using epitaxial Al_2O_3 film for hetero-epitaxial growth and device applications

用于异质外延生长和器件应用的外延Al_2O_3薄膜衬底

基本信息

批准号：
13555093
负责人：
ISHIDA Makoto
金额：
$ 8.64万
依托单位：
Toyohashi University of Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2001
资助国家：
日本
起止时间：
2001 至 2003
项目状态：
已结题

项目摘要

We proposed the use of an epitaxial γ-Al_2O_3 film as a buffer layer to form epitaxial PZT thin file and, epitaxial Pt films on Si substrates. The epitaxial γ-Al_2O_3 films were grown on a Si substrate using chemical vapor deposition (CVD) and their applications have been reported γ-Al_2O_3 is spinel structure as is MgO. The lattice mismatch between γ-Al_2O_3 and Pt is smaller than that between MgO and Pt. This suggests a possibility of growing epitaxial Pt films on γ-Al_2O_3. We report the first successful formation of epitaxial Pt films and PZT film on Si substrates by using an epitaxial γ-Al_2O_3 buffer layer. Epitaxial Pt films were successfully RF sputtered on Si substrates using an epitaxial γ-Al_2O_3 buffer layer. The Crystallinity of the Pt films was strongly affected by deposition temperature. XRD and RHEED patterns indicated that an epitaxial Pt film was grown on the γ-Al_2O_3/Si substrate. Epitaxial Pt on γ-Al_2O_3/Si substrates could provide a possible way to improve the performance of a device whose properties depend on the orientation of a ferroelectric film.

我们提出了用外延的γ-Al_2O_3薄膜作为缓冲层，在Si衬底上外延PZT薄膜和外延Pt薄膜。用化学气相沉积（CVD）法在Si衬底上外延生长γ-Al_2O_3薄膜，并报道了其应用。γ-Al_2O_3与Pt之间的晶格失配小于MgO与Pt之间的晶格失配。这表明在γ-Al_2O_3上外延生长Pt膜是可能的。本文首次报道了用γ-Al_2O_3缓冲层在Si衬底上外延生长Pt膜和PZT膜。用射频溅射法在Si衬底上外延生长了Pt薄膜，并以γ-Al_2O_3为缓冲层。沉积温度对Pt薄膜的结晶度有很大的影响。XRD和RHEED分析表明，在γ-Al_2O_3/Si衬底上生长了Pt外延膜。在γ-Al_2O_3/Si基片上外延Pt，可以改善铁电薄膜取向性决定的器件性能。

项目成果

期刊论文数量（100）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

M.Shahjahan, K.Koji, K.Sawada, M.Ishida: "Fabrication of Resonance Tunnel Diode by γ-Al2O3/Si Multiple Heterostructures"Jpn.J.Appl.Phys. (in press). (2002)

M.Shahjahan、K.Koji、K.Sawada、M.Ishida：“用 γ-Al2O3/Si 多重异质结构制作谐振隧道二极管”Jpn.J.Appl.Phys（出版中）。

DOI：
发表时间：
期刊：
影响因子：
0
作者：
通讯作者：

D.Akai, K.Hirabayashi, M.Yokawa, K.Sawada, M.Ishida: "Epitaxial growth of Pt(001) thin films on Si substrates using an epitaxial γ-Al_2O_3(001) buffer layer"Journal of Crystal Growth. Vol.264,No.1-3. 463-467 (2004)

D.Akai、K.Hirabayashi、M.Yokawa、K.Sawada、M.Ishida：“使用外延 γ-Al_2O_3(001) 缓冲层在 Si 衬底上外延生长 Pt(001) 薄膜”晶体生长杂志。第 264 卷，第 1-3 期。（2004 年）

DOI：
发表时间：
期刊：
影响因子：
0
作者：
通讯作者：

D.Akai, M.Yokawa, K.Hirabayashi, K.Sawada, M.Ishida: "Ferroelectric Thin Fllms on Epitaxial γ-Al_2O_3/Si substrates"Technical Report of IEICE. Vol.103,No.51. 61-65 (2003)

D.Akai、M.Yokawa、K.Hirabayashi、K.Sawada、M.Ishida：“外延 γ-Al_2O_3/Si 衬底上的铁电薄膜”IEICE 技术报告第 103 卷，第 61-65 期。 2003）

DOI：
发表时间：
期刊：
影响因子：
0
作者：
通讯作者：

N.Oshima, S.Okamoto, K.Shibata, Y.Orihashi, S.Kageyama, M.Ishida, T.Yazawa, Gomes Camargo: "Epitaxial Growth of GaN by Gas Source Morecular Beam Epitaxy Using NH_3"Transactions of the Materials Research Society of Japan. 27(2). 475-478 (2003)

N.Oshima、S.Okamoto、K.Shibata、Y.Orihashi、S.Kageyama、M.Ishida、T.Yazawa、Gomes Camargo：“使用 NH_3 通过气源多束束外延进行 GaN 的外延生长”Transactions of the Materials Research