Development of ZnO-based Thin Film Transistors with Ultra-thin Al_2O_3 Films as Gate Dielectrics
以超薄Al_2O_3薄膜作为栅介质的ZnO基薄膜晶体管的研制
基本信息
- 批准号:21760234
- 负责人:
- 金额:$ 2.66万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
- 财政年份:2009
- 资助国家:日本
- 起止时间:2009 至 2011
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
Ultra-thin Al_2O_3 films as high-k gate dielectric for ZnO-based thin film transistors were formed by using atomic oxygen treatments. The films were carefully characterized by X-ray photoelectron spectroscopy, X-ray reflectometry and scanning electron microscopy in order to investigate the details of surface oxidation process of the aluminum films. The oxidation process using the atomic oxygen treatment is found to be effective for formation of ultra-thin Al_2O_3 layers.
采用原子氧处理方法制备了用作ZnO基薄膜晶体管高k栅介质的超薄Al_2O_3薄膜。通过X射线光电子能谱、X射线反射仪和扫描电子显微镜对薄膜进行了表征,以研究铝膜表面氧化过程的细节。原子氧处理的氧化过程被发现是有效的超薄Al_2O_3层的形成。
项目成果
期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
低温成長GaドープZnO薄膜(1)-電気的特性-
低温生长Ga掺杂ZnO薄膜(1)-电性能-
- DOI:
- 发表时间:2010
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:S.Ohmagari;T.Yoshitake;Akira Nagano;S.AL-Riyami;R.Ohtani;H.Setoyama;E.Kobayashi;T.Hara;K.Nagayama;Tetsuro Sueyoshi;堀井貴大,佐野志保,村中司,鍋谷暢一,松本俊,平木哲,古川英明,深沢明広,坂本慎吾,萩原茂,河野裕,木島一広,安部治,八代浩二
- 通讯作者:堀井貴大,佐野志保,村中司,鍋谷暢一,松本俊,平木哲,古川英明,深沢明広,坂本慎吾,萩原茂,河野裕,木島一広,安部治,八代浩二
ZnO-TFTのI-V特性と深い準位の測定
ZnO-TFT的I-V特性和深能级测量
- DOI:
- 发表时间:2010
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Kazuya Maeda;Kunihiko Tanaka;HisaoUchiki;西辻正典;松井裕章;榊原章剛,森雄大,佐野志保,堀井貴大,村中司,鍋谷暢一,松本俊
- 通讯作者:榊原章剛,森雄大,佐野志保,堀井貴大,村中司,鍋谷暢一,松本俊
Electrical properties of Gadoped ZnO transparent conducting films prepared at temperatures close to room temperature
接近室温条件下制备的Ga掺杂ZnO透明导电薄膜的电学性能
- DOI:
- 发表时间:2010
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:T. Matsumoto;K. Mizuguchi;T. Horii;S. Sano;T. Muranaka;Y. Nabetani;S. Hiraki;H. Furukawa;A. Fukasawa;S. Sakamoto;S. Hagihara;Y. Kono;K. Kijima;O. Abe;K. Yashiro
- 通讯作者:K. Yashiro
Effects of Ga Doping and Substrate Temperature on Electrical properties of ZnO Transparent Conducting Films Grown by Plasma-Assisted Deposition
Ga 掺杂和衬底温度对等离子体辅助沉积 ZnO 透明导电薄膜电性能的影响
- DOI:10.1143/jjap.50.05fb13
- 发表时间:2011
- 期刊:
- 影响因子:1.5
- 作者:松井裕章;他;T.Muranaka
- 通讯作者:T.Muranaka
Nitrogen doping on ZnO films grown by plasma-assisted MBE and its effects to the transport properties of TFTs
等离子体辅助MBE生长的ZnO薄膜的氮掺杂及其对TFT传输特性的影响
- DOI:
- 发表时间:2011
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:T. Muranaka;Y. Ushiyama;N. Marumo;T. Horii;S. Sano;K. Mizuguchi;Y. Sakurai;Y. Nabetani;T. Matsumoto
- 通讯作者:T. Matsumoto
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ patent.updateTime }}
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{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
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