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Development of ZnO-based Thin Film Transistors with Ultra-thin Al_2O_3 Films as Gate Dielectrics

Development of ZnO-based Thin Film Transistors with Ultra-thin Al_2O_3 Films as Gate Dielectrics
以超薄Al_2O_3薄膜作为栅介质的ZnO基薄膜晶体管的研制
批准号：
21760234
负责人：
MURANAKA Tsutomu
金额：
$2.66万
依托单位：
University of Yamanashi
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份：
2009
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2009 至 2011
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-21760234/
关键词：
薄膜・量子構造薄膜トランジスタMBE, エピタキシャル半導体物性表面・界面物性デバイス設計・製造プロセスMBE,エピタキシャル

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Ultra-thin Al_2O_3 films as high-k gate dielectric for ZnO-based thin film transistors were formed by using atomic oxygen treatments. The films were carefully characterized by X-ray photoelectron spectroscopy, X-ray reflectometry and scanning electron microscopy in order to investigate the details of surface oxidation process of the aluminum films. The oxidation process using the atomic oxygen treatment is found to be effective for formation of ultra-thin Al_2O_3 layers.
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会议论文
低温成長GaドープZnO薄膜(1)-電気的特性-
低温生长Ga掺杂ZnO薄膜（1）-电性能-
DOI： --
发表时间： 2010
期刊：
影响因子： --
作者： [S.Ohmagari, T.Yoshitake, Akira Nagano, S.AL-Riyami, R.Ohtani, H.Setoyama, E.Kobayashi, T.Hara, K.Nagayama, Tetsuro Sueyoshi, 堀井貴大,佐野志保,村中司,鍋谷暢一,松本俊,平木哲,古川英明,深沢明広,坂本慎吾,萩原茂,河野裕,木島一広,安部治,八代浩二]
通讯作者： 堀井貴大,佐野志保,村中司,鍋谷暢一,松本俊,平木哲,古川英明,深沢明広,坂本慎吾,萩原茂,河野裕,木島一広,安部治,八代浩二
ZnO-TFTのI-V特性と深い準位の測定
ZnO-TFT的I-V特性和深能级测量
DOI： --
发表时间： 2010
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影响因子： --
作者： [Kazuya Maeda, Kunihiko Tanaka, HisaoUchiki, 西辻正典, 松井裕章, 榊原章剛,森雄大,佐野志保,堀井貴大,村中司,鍋谷暢一,松本俊]
通讯作者： 榊原章剛,森雄大,佐野志保,堀井貴大,村中司,鍋谷暢一,松本俊
Electrical properties of Gadoped ZnO transparent conducting films prepared at temperatures close to room temperature
接近室温条件下制备的Ga掺杂ZnO透明导电薄膜的电学性能
DOI： --
发表时间： 2010
期刊：
影响因子： --
作者： [T. Matsumoto, K. Mizuguchi, T. Horii, S. Sano, T. Muranaka, Y. Nabetani, S. Hiraki, H. Furukawa, A. Fukasawa, S. Sakamoto, S. Hagihara, Y. Kono, K. Kijima, O. Abe, K. Yashiro]
通讯作者： K. Yashiro
Effects of Ga Doping and Substrate Temperature on Electrical properties of ZnO Transparent Conducting Films Grown by Plasma-Assisted Deposition
Ga 掺杂和衬底温度对等离子体辅助沉积 ZnO 透明导电薄膜电性能的影响
DOI： 10.1143/jjap.50.05fb13
发表时间： 2011
期刊： Japanese Journal of Applied Physics
影响因子： 1.5
作者： [松井裕章, 他, T.Muranaka]
通讯作者： T.Muranaka
共 11 条
    Development of ZnO-based semiconductor flexible device fabrication processes by using atomic-oxygen-assisted molecular beam epitaxy growth
    • 批准号：
      16K06297
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • 资助金额：
      $2.83万
    • 财政年份：
      2016
    • 负责人：
      MURANAKA Tsutomu
    • 依托单位：
      University of Yamanashi
    海外基金