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Studyies on Interband and Intersubband Long Wavelength Infrared Lasers

带间和子带间长波长红外激光器的研究

基本信息

批准号：
15560274
负责人：
FUJIYASU Hiroshi
金额：
$ 2.18万
依托单位：
Shizuoka University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2003
资助国家：
日本
起止时间：
2003 至 2004
项目状态：
已结题

项目摘要

AIN/GaN semiconductor quantum wells were studied for the intersubband Quantum cascade laser applications in near infrared-terahertz regions. We developed calculation program for the design of the quantum cascade structures taking into account the piezo and spontaneous polarizations. The [(A1N)_1/(GaN)n1]_m/(A1N)_<n2> quantum cascade structures were prepared by hot wall epitaxy, and the structure was analyzed by x-ray diffraction and TEM. HRTEM showed the existence of 1 atomic layer A1N, and well controlled structure was ascertained. PbSnCaTe/PbSnTe lasers were also prepared for interband tunable lasers of 4〜20μm region. PbS/SrS multilayer reflection mirror and multilayer cavity were also prepared for reflection coating of A1N/GaN quantum cascade laser, and surface emitting lasers in IV-VI material system.

研究了AlN/GaN半导体量子威尔斯阱在近红外太赫兹波段的量子级联激光器中的应用。我们开发的计算程序的量子级联结构的设计考虑到压电和自发极化。采用热壁外延法制备了[（AlN）1/（GaN）n1] m/（AlN）1<n2>量子级联结构，并对其结构进行了X射线衍射和透射电镜分析。HRTEM显示存在1原子层A1 N，并且确定了良好控制的结构。制备了4 ~ 20μm波段可调谐的PbSnCaTe/PbSnTe激光器。还制备了PbS/SrS多层反射镜和多层腔，用于AlN/GaN量子级联激光器的反射膜和IV-VI材料系统的面发射激光器。

项目成果

期刊论文数量（34）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

エンベロップ関数近似による量子カスケード構造の設計

通过包络函数近似设计量子级联结构

DOI：
发表时间：
2005
期刊：
日本赤外線学会誌 14
影响因子：
0
作者：
A.Ishida 他;石田明広
通讯作者：
石田明広

[(AlN)_1/(GaN)_<n1>]/(AlN)_<n2>-based quantum wells for quantum cascade-laser application

用于量子级联激光应用的[(AlN)_1/(GaN)_<n1>]/(AlN)_<n2>基量子阱

DOI：
发表时间：
2004
期刊：
Physica E 21
影响因子：
0
作者：
A.Ishida;K.Matsue;Y.Inoue;H.Fujiyasu;石田明広;A.Ishida 他
通讯作者：
A.Ishida 他

Y.Inoue, H.Nagasawa, N.Sone, K.Ishino, A.Ishida, H.Fujiyasu, J.J.Kim, H.Makino, T.Yao, S.Sakakibara, M.Kuwabara: "Fabrication and characterization of short period AlN/GaN quantum cascade laser structures"J.Cryst.Growth. (印刷中). (2004)

Y.Inoue、H.Nagasawa、N.Sone、K.Ishino、A.Ishida、H.Fujiyasu、J.J.Kim、H.Makino、T.Yao、S.Sakakibara、M.Kuwabara：“短周期的制作和表征AlN/GaN 量子级联激光器结构“J.Cryst.Growth.（印刷中）。（2004 年）