Development of the CIGS semiconductoe detector which has recovery feature from radiation damage

开发具有辐射损伤恢复功能的CIGS半导体探测器

基本信息

  • 批准号:
    23H01191
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 11.9万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 财政年份:
    2023
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2023-04-01 至 2026-03-31
  • 项目状态:
    未结题

项目摘要

项目成果

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  • 影响因子:
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  • 发表时间:
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  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Nagasaki;Koichi and Yamaguchi;Satoshi;加藤恒彦;D. Jido;Baiotti L.;野中千穂;加藤恒彦;Baiotti L.;外川 学;T. Okazaki and S. Yamaguchi;加藤恒彦;外川学;Baiotti L.;加藤恒彦
  • 通讯作者:
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    2019
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  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    小林 大 ;Jocsan Hernandez;高嶋 隆一;東城 順治;外川 学;花垣 和則;藤野 主一;古市 歩;宮崎 祐太;山口 尚輝;山下 将暉;彌吉 拓哉 ;他 ATLAS 日本シリコングループ
  • 通讯作者:
    他 ATLAS 日本シリコングループ

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