原子層堆積ハイブリッド表面の局所ダイナミクスの解明と3Dヘテロデバイスへの応用
原子層堆積ハイブリッド表面の局所ダイナミクスの解明と3Dヘテロデバイスへの応用
批准号:
23H01695
负责人:
井上 史大
金额:
$11.98万
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份:
2023
资助国家:
日本
项目状态:
未结题
起止时间:
2023-04-01 至 2026-03-31
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会议论文
原子層堆積ハイブリッド表面の局所ダイナミクスの解明と3Dヘテロデバイスへの応用
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批准号:23K26388
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额:$7.99万
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财政年份:2024
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负责人:井上 史大
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依托单位:
低温プロセス高アスペクト比Cu-TSVによるチップ内低応力化
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批准号:13J08369
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$1.91万
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财政年份:2013
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负责人:井上 史大
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依托单位:
新規な無電解めっき法によるシリコンウエハ貫通電極の形成と評価
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批准号:10J04517
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$1.34万
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财政年份:2010
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负责人:井上 史大
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依托单位:
海外基金