アモルファスＳｉ－Ｇｅの構造と結晶化挙動

非晶Si-Ge的结构和结晶行为

• 批准号: 17J06339
• 负责人: 奥川 将行
• 金额: $ 1.22万
• 依托单位: Osaka Prefecture University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for JSPS Fellows
• 财政年份: 2017
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2017-04-26 至 2019-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-17J06339/
• 关键词: アモルファス; シリコンゲルマニウム; 結晶化; 構造解析

今年度は，組成によるアモルファス構造の違いを電子線二体分布解析によって詳しく調べた．加えて，分子動力学シミュレーションによって実験結果と類似するアモルファスの構造モデルを作り，実験では得ることが難しい結合角分布や配位数分布などの構造に関する知見を得た．それにもとづいて結晶化挙動の検討を行った．電子線二体分布関数の第1，第2および第3ピーク位置は，組成のSi濃度が増加するにつれて短距離側にシフトした．第1ピークの強度は，Si濃度が50%で最小値をとる．第2ピーク強度は，組成のSi濃度が増加するにつれて低下した．MDシミュレーションによってアモルファス構造へ組成が与える影響を検討した．Si濃度の異なるアモルファスモデルを作製して二体分布関数を計算すると，第1ピークはSi濃度が増加するにつれて短距離側にシフトし，その高さは50%で最小値をとった．これは，実験の二体分布関数をよく再現する．シミュレーションで作られたモデルの原子配列を解析してアモルファス構造を詳しく調べた．MROクラスターのサイズは組成に対して単調に変化するのではなく，Si濃度が20%と80%で極大値をとることが明らかとなった．昨年度の研究で得られたアモルファスSi-Ge薄膜の結晶化における粗大結晶粒子が形成する温度の不連続は，組成によるMROクラスターのサイズの違いから理解できる．MDシミュレーションから，アモルファスSi-Ge構造中のMROクラスターの割合およびサイズはSi濃度が80で極大値を取る．結晶化温度の不連続な変化はこのMROクラスターのサイズを反映しており，サイズの大きなクラスターを含むアモルファスではより低温で結晶化したと推測される．

This year, it is necessary to analyze the two-body distribution of the electronic cables of this year. The results are similar to those of the other two-body distribution analysis. The combination of the angular distribution and the coordination number distribution is known to be successful. The results show that the two-body distribution of the electrical cable is the first, the second is the third, and the third is the position, which forms the Si temperature and the strength of the short-haul cable. The Si is 50% minimum. The second is the strength of the Si, which increases the temperature of the low temperature. The MD temperature increases the temperature of the system. The number of two-body distribution is calculated by the computer. In the first half of the year, there is a short distance between Si and a minimum of 50%. The data of the two-body distribution has been found again. This is the result of the analysis of the atomic configuration of the two-body distribution. in this paper, the data of the two-body distribution is reproduced. the data of the two-body distribution is reproduced. the atomic configuration is analyzed in this paper. The temperature range of Si is 20% and 80%. The results of yesterday's study showed that the crystallization of Si-Ge thin film crystallized and the coarse crystalline particles formed the temperature dependence of the temperature. The temperature of the system is very high. The temperature of the system is very high. In the production of Si-Ge, the temperature of MRO is very high. The temperature of crystallization is not linked. The temperature of crystallization is different. The temperature of crystallization is different from that of MRO. The effect of temperature on the temperature of crystallization is very sensitive.