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紫外光励起ガスソースMBE法によるエピタキシャル絶縁薄膜の超低温形成に関する研究

紫外光激发气源MBE法超低温形成外延绝缘薄膜的研究

基本信息

批准号：
04223201
负责人：
石田誠
金额：
$ 1.28万
依托单位：
Toyohashi University of Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份：
1992
资助国家：
日本
起止时间：
1992 至无数据
项目状态：
已结题

项目摘要

本年度は、TMA,N_2O,O_2ともに吸収がArF(193nm)に比べて小さいKrF(248nm)を用いることにより基板励起効果を調べた。また、レーザー照射によりN_2O分子から得られる活性酸素の代わりにリモートプラズマ源から活性酸素を導入し、活性酸素の効果も直接的に調べた。さらにこれらの結果からTMAの直接励起を調べるため、TMA,O2ガスを用いてArFレーザー照射実験を行った。以上から、成長機構モデルを提案した。1.ArFではTMA,N_2Oともに励起されているが、O_2は吸収されにくい。この性質を利用すれば、KrFで基板照射することにより光励起効果は主に、基板励起効果のみになり、気相中ガス分子、基板表面吸着分子の励起、解離過程を考慮する必要がなくなる。レーザ照射のある場合は720Cでエピタキシャル成長しているが、照射のない場合は750Cでエピタキシャル成長しない場合とする場合が混在している。また成長速度に関しては、明確な差異はみられなかった。2.活性酸素を用いた実験では、気相中の活性酸素原子が、通常のO_2ガスよりも成長速度、温度に影響を与えるかを直接的に調べてみた。活性酸素原子を用いた成長では、1.4〜1.6倍の成長速度の増加が認められた。また成長温度も約100C低下した。3・TMA,O2にArfレーザの垂直照射を行うことで、エピタキシャル温度が約140C低下した。この結果とKrFの結果とを比較すると基盤上に吸着したTMAの励起、解離効果と言える。4.成長機構モデル:基板励起過程は小さい。光励起による活性酸素及び吸着TMAからのアルミ原子の生成の両効果が働きあって、表面での成長原子の移動促進、表面クリーニング等によってArFによる低温エピタキシャルが生じているものと考えられる。

This year, TMA, N_2O, O_2 absorption ratio is lower than that of KrF(248nm). In addition, when N_2O molecules are irradiated, the active acid is obtained and the active acid is introduced from the remote control source, and the effect of the active acid is directly regulated. As a result, TMA is directly excited and the radiation is applied to the surface. The above is a proposal for a growth organization. 1. ArF, TMA, N_2O and O_2 are excited and absorbed. The properties of these compounds are discussed in detail below. For example, it is necessary to consider the excitation and dissociation processes of molecules adsorbed on the surface of the substrate and in the gaseous phase. In case of irradiation, 720C is mixed with growth, 750 C is mixed with growth, 750C is mixed with growth. The speed of growth depends on the difference. 2. Active acid atoms in the middle and lower phases are usually affected by the growth rate and temperature of the active acid atoms. The growth rate of active acid atoms is 1.4 ~ 1.6 times higher than that of active acid atoms. The growth temperature is about 100C low. 3. TMA,O2, Arf, Arf. The results of this study were compared with those of the previous study. 4. Growth mechanism: substrate excitation process is not small. Light excitation of active acids and adsorption of TMA can promote the formation of atoms on the surface, promote the movement of atoms on the surface, and promote the formation of atoms on the surface.