紫外光励起によるシリコン基板上への数原子層絶縁膜の形成過程
紫外光激发在硅衬底上形成多层原子层绝缘薄膜的工艺
基本信息
- 批准号:62750260
- 负责人:
- 金额:$ 0.58万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
- 财政年份:1987
- 资助国家:日本
- 起止时间:1987 至 无数据
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
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