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電子ビーム励起直接選択エピタキシャル成長による量子構造形成方法の研究

电子束激发直接选择性外延生长量子结构形成方法研究

基本信息

批准号：
06238214
负责人：
石田誠
金额：
$ 1.6万
依托单位：
Toyohashi University of Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份：
1994
资助国家：
日本
起止时间：
1994 至无数据
项目状态：
已结题

项目摘要

電子ビーム照射によるAl_2O_3上でのSi選択成長成長メカニズムの解明とサファイア上のSi選択成長においてIncubation timeの詳細な解明を行った。その結果、電子ビームを照射したサファイア基板表面でのSiのIncubation timeは非照射面でのそれよりも長いことが分かった。この電子ビーム照射によるIncubation timeの変化と各成長温度でのSiの成長速度が、Siの選択成長に大きく関わっている。また、電子ビーム照射による選択成長の応用として、サファイア基板(α-Al_2O_3)と同じ酸化物絶縁膜であるSiO_2上でのSi選択成長について調べた。これより、電子ビーム照射によるSiO_2/Si基板上へのSi選択成長が可能であることが分かり、また電子ビーム照射面上では非照射面に比べてSiの成長がよりしやすいことが分かったこの電子ビーム照射によるSi選択エピタキシャル成長法を今後さらにナノスケール極微細領域での選択エピタキシャル成長の可能性と特徴を明らかにしていく。そのために、現在極微細領域での電子ビーム描画条件を確立しているところである。それにより、ナノスケール極微細領域にSi選択成長を行う予定である。また、結晶学的には、この極微細領域に限定された成長はヘテロ構造に伴う格子不整合、歪みによる欠陥導入メカニズムを変え、無欠陥結晶成長の期待が持たれる。また、SiO2/Si板上へのSi選択成長に関してはSiO_2膜厚を自然酸化膜程度の約20-30Å程度にすれば、ここに十分な電子ビーム照射をすることで、薄膜酸化膜中の酸素原子が完全に脱離し、良質な単結晶Siが成長できる可能性がある。この点についても研究が急がれる。

The elective growth of the Si on the Al _ 2O_3 computer shows that the growth of the Si is selected and the Incubation time is used to explain the performance of the system. The results show that the surface of the Si substrate is not irradiated by the electron beam, and the surface of the substrate is not exposed to the radiation surface. The temperature of each growth, the growth rate of Si, the growth rate of Incubation time, the growth rate of Si, the growth rate of thermal energy, the temperature of growth, the growth rate of thermal power, the growth rate of thermal energy, the growth rate The substrate (α-Al_2O_3) is the same as that of the acidified material. The Si on Sio _ 2 is selected for growth. The Si on the Sio _ 2/Si substrate is selected as a long-term device, which may be used for long-term use. The growth of the non-irradiating surface on the irradiated surface is much higher than that of the Si. The election of the Si is highly sensitive to the possibility of growth in the future. It is necessary to make sure that the conditions for the drawing of electronic equipment in the field are very important. The Si is selected as a long-term predetermined one. In the field of microstructure, crystallography, and extreme micro-fields, the growth of the system is limited to the fact that the lattice is not integrated, that the distorted crystal is not integrated, and that the growth of the crystal is expected to continue. The choice of Si on the SiO2/Si board is that the thickness of the long-term Sio _ 2 film is about 20-30 years old, the degree of the natural acidizing film is about 20-30 years old, the radiation temperature is very high, the acid atoms in the thin film acidified film are completely isolated, and the possibility of Si growth is very high. Do some research on the urgent situation.