成長初期におけるエピタキシャル膜構造の研究

外延薄膜生长早期结构研究

基本信息

  • 批准号:
    04227221
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 0.96万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 财政年份:
    1992
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    1992 至 无数据
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

結晶表面における斜入射イオン散乱により表面状態の評価を行う手法を確立した。原子手に平滑な結晶表面に小角度で入射した高速イオンは、表面第一層原子による小角多重散乱により鏡面反射方向に散乱される。この散乱過程は表面ステップ、表面歪に敏感である。これを利用して、エピタキシャル成長中の結晶表面で高速イオンを斜入射散乱させ、散乱イオンの角度分布、エネルギー損失の「その場」測定により、成長膜表面の構造、2次元核の研究を行った。昨年度、このような斜入射イオン散乱の計測を、エピタキシャル成長を一時中止することなく、「その場」で迅速に測定できるイオン散乱計測システムを作成した。この計測システムを用いて、SnTe(001)上のPbTe,PbSe,PbSの初期成長過程の研究を行った。製作したイオン散乱計測システムは良好に作動し、イオン散乱の測定時間は100分の1以下に短縮でき、イオンビームによる結晶成長の「その場観察」が可能となった。そして散乱イオンの散乱面内の分布と、表面に平行方向の散乱イオンの角度分布の同時測定が可能となった。Pbte、PbSe、PbSのいずれのエピタキシャル成長の初期過程においても成長膜の厚さが約3nm前後から10nmのとき顕著な散乱の異常が起こることを見いだし、イオン散乱のモンテカルロ・シミュレーションとの比較により、これが成長界面に出来る不整合転位に起因する表面の歪に起因することを示した。この研究により、斜入射イオン散乱による表面及びエピタキシー薄膜の新しい評価法を確立した。また、この研究で下地に用いたSnTe(001)表面の構造をAFMにより観測し、成長速度と表面ステップ趣度との関係を見いだし、斜入射散乱したイオンのエネルギー・スペクトルから表面ステップ密度の評価が出来ることを示した。
Crystal surface oblique incidence, scattering, surface state evaluation, method of operation, etc. Atomic hands smooth crystal surface small angle incident high speed, surface first layer atoms small angle multiple scattered specular reflection direction scattered The process of scattering is sensitive to the surface. This paper is devoted to the study of the structure of the growing film surface and the two-dimensional nucleus by using the high-speed scattering of the growing crystal surface, the angular distribution of the scattering, the measurement of the "field" of the growth loss. In the past year, the oblique incidence of light scattered measurement, light scattered measurement. The initial growth process of PbTe,PbSe,PbS on SnTe(001) was studied. The production time of the scattered measurement system is less than 100 minutes, and the crystal growth time of the scattered measurement system is less than 1 minute. It is possible to simultaneously measure the angular distribution of scattered light in the plane and parallel direction on the surface. Pbte, PbSe, PbS and PbS are included in the initial growth process, the thickness of the growth film is about 3nm, the thickness of the growth film is about 10nm, and the dispersion of the growth film is abnormal. A new method for evaluating the surface and film properties of thin films with oblique incidence was established. The structure of SnTe(001) surface was measured by AFM, and the relationship between growth rate and surface temperature was shown.

项目成果

期刊论文数量(14)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Y.Fujii: "Glowth of lead chalcogenides on SnTe(001) studied by glancing angle scattering of fast inos" Proceedings of the sixth topical meeting on crystal mechanism,Awara,Fukui Prefec.267-272 (1993)
Y.Fujii:“通过快速inos的掠射角散射研究了SnTe(001)上的铅硫属化物的发光”第六次晶体机制专题会议记录,Awara,Fukui Prefec.267-272 (1993)
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
Y.Fujii: "Position-dependent stopping powers of the(001) surfaces of NaCl-type crystals for MeV light ions" Surface Science. 277. 164-172 (1992)
Y.Fujii:“对于 MeV 轻离子来说,NaCl 型晶体的 (001) 表面的位置相关阻止本领”表面科学。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
Y.Fujii: "Glowth of lead chalcogenides on SnTe(001) studied by glancing angle scattering of fast ions" Proceedings of the fifth topical meeting on crystal mechanism,Gero,Gifu Prefec.213-216 (1992)
Y.Fujii:“通过快离子的掠射角散射研究了 SnTe(001) 上的铅硫属化物的发光”第五届晶体机制专题会议记录,Gero,Gifu Prefec.213-216 (1992)
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
木村 健二: "高エネルギーイオン散乱を用いたモノレイヤーアナリシス" 表面科学. 14. (1993)
Kenji Kimura:“使用高能离子散射进行单层分析”表面科学 14。(1993)
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
藤居 義和: "斜入射イオン散乱によるPbSe/Snte(001)成長過程の研究" Annual Report of Radiation Laboratory Department of Nuclear Engineering Faculty of Engineering. Kyoto University. No.2. 104-106 (1992)
Yoshikazu Fujii:“斜入射离子散射研究 PbSe/Snte(001) 生长过程”,京都大学工学院辐射实验室年报,第 2 期(1992 年)。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

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{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
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    {{ item.doi }}
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    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

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    $ 0.96万
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  • 财政年份:
    1975
  • 资助金额:
    $ 0.96万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Special Project Research
{{ showInfoDetail.title }}

作者:{{ showInfoDetail.author }}

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