成長初期におけるエピタキシャル膜構造の研究

外延薄膜生长早期结构研究

基本信息

  • 批准号:
    03243223
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 1.09万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 财政年份:
    1991
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    1991 至 无数据
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

1.単結晶表面で小角散乱した高速イオンの散乱角度分布を迅速に測定するため,画像記録処理システムを製作した。これは,マイクロチャネルプレ-トと蛍光板によりイオン散乱強度を増幅し光信号に変換し,CCDカメラでヴィデオ信号を作りテ-プに録画する。この信号を画像ディジタイザ-で処理するシステムである。テストとして,テルル化鉛(PbTe)をテルル化錫(SnTe)(001)表面上にエピタキ-成長させながら,Heイオン散乱を測定した。良好に作動することを確認した。2.上記テストで測定したPbSe/SnTe系の成長を詳細に解析し、エピタクシ-膜成長により膜内に生じる画緩和のためにできる不整合転位の導入が、膜成長速度に依存することを見出した。3.エピタクシ-成長で作ったSnTe(001)表面で30kevH^+イオンの斜入射散乱を行い、またその表面上のステップ分布を原子力顕微鏡(AFM)で観測した。成長速度によりステップ構造は変化する。成長速度が遅いと(【less than or similar】0.1nm/分)表面にステップはほとんど観測できないが、速いと(【greater than or similar】1nm/分)多数のピラミッド状のステップ分布が生じる。ステップは多くは0.6nm(2原子層)の高さをもち、1原子層の高さ(0.3nm)をもつものは少い。この表面形状は小角散乱イオンのエネルギ-スペクトルから予想して
1. Rapid measurement of scattered angle distribution of small angle scattered on crystal surface, and production of image recording system For example, if the CCD signal is detected, the CCD signal will be recorded. This is the first time I've seen a picture of a person. The growth of lead (PbTe) on the surface of tin (SnTe) was measured. Good action. 2. The growth of PbSe/SnTe system was analyzed in detail, and the relationship between film growth and film growth was discussed. 3. SnTe(001) surface 30kevH^+, oblique incidence scattering, atomic force microscopy (AFM) measurement of the distribution of temperature on the surface The growth rate is different from the structure. The growth rate is medium ([less than or similar] 0.1nm/min), the surface temperature is medium ([greater than or similar] 1 nm/min), and the surface temperature is medium ([greater than or similar] 1nm/min). The height of the film is 0.6 nm (2 atomic layers), and the height of the film is 1 atomic layer (0.3 nm). The shape of the surface is small angle scattered, and the shape of the surface is small angle scattered.

项目成果

期刊论文数量(6)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
藤居 義和,木村 健二,万波 通彦: "斜入射イオン散乱による表面およびエピタキシ-膜の評価" 応用物理学会誌. 60. 1207-1213 (1991)
Yoshikazu Fujii、Kenji Kimura、Michihiko Manami:“通过斜入射离子散射评估表面和外延膜”日本应用物理学会杂志 60. 1207-1213 (1991)。
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