光辅助电沉积法原子层外延生长化合物半导体薄膜-猫眼课题宝

光辅助电沉积法原子层外延生长化合物半导体薄膜

批准号：

09237262

负责人：

高橋誠

金额：

$1.28万

依托单位：

Chubu University

依托单位国家：

日本

项目类别：

Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas

财政年份：

1997

资助国家：

日本

项目状态：

已结题

起止时间：

1997 至 1998

来源：

https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-09237262/

关键词：

II-VI族化合物半導体テルル化カドミウム(CdTe)電着法エピタキシャル成長ヘテロエピタキシャル成長フォトルミネッセンス

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種々濃度の二酸化テルル(TeO2)と硝酸カドミウム(Cd(NO3)2)を含む酸性溶液系(pH=1.2)およびアルカリ溶液系(pH=12.5)を用いて電着法によるテルル化カドミウム(CdTe)薄膜の成膜反応機構および、p-Si基板上へのヘテロエピタキシャル成長条件を検討した。その結果成膜反応機構について下記の知見をえた。(i)酸性溶液系ではTeO2の還元析出と同時にCd++のUPD析出によるCdTe生成が起こり、エピタキシャル成長を行う事が非常に困難である。(ii)アルカリ溶液系ではTeO2の還元析出電位とCd++の還元析出電位が異なりまた酸性溶液系で見られたCd++のUPD析出によるCdTe生成が認められないことからアルカリ溶液系でTeおよびCd原子層を交互に析出させCdTe薄膜のエピタキシャル成長の可能性がある。種々濃度のTeO2(0.1-1.0mM)と0.1MCd-EDTA錯イオンを含むアルカリ溶液系を用いて光アシスト電着法によるCdTeエピタキシャル成長条件について検討し下記の知見を得た。(i)TeO2イオンの還元析出時、成膜基板上に光照射するとCd++イオンの金属Cdへの還元が起こり、Te原子層とCd原子層の交互析出が光照射のon-offで制御可能である。(ii)XPS測定から膜中のCd濃度は光照射時間にほぼ比例する。(iii)PL測定から結晶性の高いCdTe薄膜に見られる励起子や浅いドナー準位などが関与した発行ピークが803nm、780nm近傍に認められた。また、これらの発行ピーク強度は基板の表面状態や光照射時間などにより著しく影響される事が判明した。

期刊论文(1)

专著(0)

科研奖励(0)

会议论文

高橋誠: "電着法による化合物半導体薄膜の作製" 表面技術. 49.1. 7-14 (1998)

Makoto Takahashi：“通过电沉积法制备化合物半导体薄膜”表面技术49.1（1998）。

DOI： --

发表时间：

期刊：

影响因子： --

作者：

[]

通讯作者：

教員が児童生徒の強みを見出す力（TSS）の促進・阻害要因：TSSを高める教員研修の開発

批准号：

23K12888
项目类别：

Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
资助金额：

$2.58万
财政年份：

2023
负责人：

高橋誠
依托单位：

Kanagawa University

食品成分の抽出とナノサイズカプセル化を一挙に達成する加工技術の開発

批准号：

21K20603
项目类别：

Grant-in-Aid for Research Activity Start-up
资助金额：

$2.0万
财政年份：

2021
负责人：

高橋誠
依托单位：

University of the Ryukyus

小中学校のキャリア教育のための新たな「性格特性的強み」尺度の開発

批准号：

20K14166
项目类别：

Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
资助金额：

$1.5万
财政年份：

2020
负责人：

高橋誠
依托单位：

University of Human Environments (2021-2022)Saitama Gakuen University (2020)