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超高圧低温下における化合物半導体の光物性の研究

超高压低温下化合物半导体光学性质研究

基本信息

批准号：
01604028
负责人：
箕村茂
金额：
$ 1.66万
依托单位：
Okayama University of Science
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份：
1989
资助国家：
日本
起止时间：
1989 至无数据
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-01604028/
关键词：
超高圧低音 ZnSe カリコパイライ CdMnTe GaN 格子欠陥格子振動不純物準位

项目摘要

1)ZnSeの作成と格子欠陥の評価 MOCVD法により300〜350℃下のGaAs基板上にZnSe膜を成長させた。X線回折、RHEED、PLの測定から、着成膜の格子欠陥の評価を行った。ピストン・シリンダ装置を用いて、超高圧(0〜1.5Gpa)、低温(77〜300k)下のInド-プZnSeにおけるICTSシグナルを測定し、深い不純物準位に関する電子放出速度、活性エネルギ-、活性化体積、捕獲断面積に及ぼす圧力効果を決定した。2)カルコパイライトの光電子分光とラマン散乱の測定 CuInX_2(X=S、SeTe)におけるXPS、UPS、VUV反射スペクトルの測定から、Cu3d電子とX原子のP電子の結合状態に起因する価電子バンドと反結合状態に起因する伝動バンドが明らかにされた。CuInS_2ーCuGaS_2、CuGaS_2ーCuAlS_2、AgGaS_2ーAgGaSe_2系の混晶におけるA_1モ-ドのラマン振動数と半値幅に及ぼす組成と圧力による効果を測定した。ラマン振動数の組成依存性は、1モ-ドの振舞を示し、仮想結晶模型から大きなずれを示している。圧力増加に従ってラマン振動数は、高振動数側への移行を示す。3)CdMnTeのフォトルミネッセンスの測定超高圧低温下のCdMnTeにおけるPLの測定から、励起子発光ピ-クに対し6.3〜8.1mev/kbarの高エネルギ-側への圧力によるシフトを明らかにし、またMn^<2+>のdーd遷移発光ピ-クに対し-5.7mev/kbarの低エネルギ-側へのシフトを決定した。4)GaNのラマン散乱の測定 MOCVD法によりAl_2O_3基板上に折出させたGaN膜における偏光ラマンスペクトルに及ぼす膜厚と圧力による効果を測定した。ヘテロ界面における格子不整合により、Al_2O_3基板ab面内では収縮し格子定数が小さくなり、一方C軸方向には伸びて格子定数が大きくなる。このような正方晶格子歪が、膜厚の増大とともに緩和され正方晶型に近づく。568cm^<-1>におけるラマン活性ピ-クは、圧力増加に従って高振動数側へのシフトを示し、また膜厚減少と同様である。

1)ZnSe film growth on GaAs substrate at 300 ~ 350℃ by MOCVD method. X-ray reflection, RHEED, PL measurement, film formation and lattice defect evaluation. The ICTS of In-ZnSe at ultra-high pressure (0 ~ 1.5Gpa) and low temperature (77 ~ 300K) was determined for the application of the device, and the electron emission rate, activity, activation volume, capture cross-section area and pressure effect related to the level of deep impurities were determined. 2) Determination of XPS, UPS and VUV reflectance of CuInX_2(X=S, SeTe) by photoelectron spectroscopy and scattering of CuInX_2(X=S, SeTe). The effects of the vibration number, half-amplitude and composition pressure of CuInS_2-CuGaS_2-CuAlS_2, AgGaS_2-AgGaSe_2 mixed crystals were determined. The composition dependence of the number of vibrations is shown in the following table: 1. Pressure increases, vibration increases, and high vibration increases are indicated. 3) Determination of CdMnTe fluorescence emission at high pressure and low temperature Determination of PL of CdMnTe at high pressure and low temperature 4) Measurement of GaN Scattering by MOCVD Method: Measurement of the Effect of GaN Film on Al_2O_3 Substrate on Polarization and Film Thickness and Pressure. The lattice size of Al_2O_3 substrate ab is smaller than that of Al_2O_3 substrate ab, and the lattice size of Al_2O_3 substrate ab is larger than that of Al_2O_3 substrate ab. The thickness of the film is increased and the square crystal type is close to zero. 568 cm, high vibration, high pressure, low <-1>film thickness