超高圧低温下における化合物半導体の光物性の研究

超高压低温下化合物半导体光学性质研究

• 批准号: 63604028
• 负责人: 箕村 茂
• 金额: $ 2.3万
• 依托单位: Okayama University of Science
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
• 财政年份: 1988
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1988 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-63604028/
• 关键词: 超高圧低温実験; IIーVI族化合物; カルコパイライト; 格子構造; 格子振動; 電子構造; 不純物準位; 格子線和

1.有機金属気相成長法によるZnSeーZnS系薄膜の作製と評価(CH_3)_2ZnーH_2、H_2SeーH_2、H_2SーH_2の各混合ガスを10^<-6>〜10^<-7>mol/minの流量で反応槽に導き、300℃FのGaAs基板上にZnSe、NnS、ZnSe_<1ーx>Sxを着成させた。X線回析、ラマン散乱、光吸収、PAS、PL^+、ICTSなどの測定により、着成膜の格子構造と電子構造の評価を行った。2.nーZnSe:In/iーGaAsにおけるICTSに及ぼす圧力効果ピストン・シリンダ装置を用い超高圧(0〜3GPa)、低温(77ー300K)下のnーInSe:In/i-GaAs(山梨大工松本研提供)におけるICTSに及ぼす圧力効果を測定した。圧力増加に従って深い準位から伝導バンドへの電子放出速度が10^<-2>〜10^<-3>因子減少し、活性化エネルギーが増加することを明らかにした。電子放出に伴う活性化体積は約17〓を示し、電子捕獲断面積は10因子増加することを明らかにした。3.CuAl_1×Ga×S_2のラマンスペクトルに及ぼす圧力効果CuAl_<1ーx>Ga×S_2(大阪府大工山本研提供)のA_1モードのラマン振動数は、1モード(融合)型の振舞を示し、Al組成の増加および圧力の増加に従って高振動数側へのシフトを示す。A_1ピークの低振動数側におけるゾーン境界モードに及ぼす質量不規則効果を評価した。4.Cd_<1ーx>Mn×Te(東北大科学計測岡研提供)における束縛励起子(〓X)、磁気ポーラロン、PA再結合に関するPLスペクトルに及ぼす励起強度と温度の効果を測定し、無輻射再結合過程の効果を解析した。5.GaNとAl_<1ーx>GaxN(名大工赤崎研提供)のX線回析とラマン散乱の測定により、結晶成長に及ぼすAl_2O_3ヘテロ基板の影響について評価した。

1. The preparation and evaluation of ZnSe ZnS thin films by organic metal phase growth method: ZnSe, NnS, ZnSe on GaAs substrate at 300℃ were prepared by mixing (CH_3)_2Zn H_2, H_2Se H_2, H_2S H_2 at 10^<-6>~ 10^<-7>mol/min flow rate. X-ray analysis, scattering, absorption, PAS, PL^+, ICTS, measurement, evaluation of lattice structure and electronic structure of film formation. 2. ICTS and pressure effects of n-ZnSe: In/i-GaAs(supplied by Yamanashi Daiko Matsumoto) were measured in ultra-high voltage (0 ~ 3 GPa) and low temperature (77 ~ 300K) applications of n-ZnSe:In/i-GaAs devices. The electron emission rate of the conductive material decreases by a factor of 10^<-2>~ 10^<-3>due to the increase of the pressure, and the activation rate increases due to the increase of the pressure. The electron emission and activation volume increased by a factor of 17, and the electron capture area increased by a factor of 10. 3. CuAl_1 ×Ga×S_2(provided by Yamamoto Research Institute, Osaka Prefecture) shows the vibration number of CuAl_1 × Ga×S_2, the vibration number of CuAl_1 × Ga×S_2, the vibration number of CuAl_1 × Ga × S_2, the increase of Al composition and the increase of pressure. A review of the effects of low vibration and mass irregularities on A_1 4. Determination and analysis of the effects of bound excitation, magnetic field and PA recombination on the excitation intensity and temperature. 5. X-ray analysis of GaN and Al_&lt;1-x&gt;GaxN(courtesy of Akasaki) and evaluation of the effects of GaN, Al_&lt;1-x&gt; GaxN and Al_2O_3 on crystal growth and scattering.

项目成果

J.Nakahara;S.Minomura;H.Kukimoto: J.Phys.Soc.Japan. 56. 2252-2255 (1987)

J.Nakahara；S.Minomura；H.Kukimoto：J.Phys.Soc.Japan。

J.Nakahara;S.Minomura;H.Kukimoto: Proceeding of 19th International Conference on Semiconductor Physics(Warsaw,1988).

J.Nakahara；S.Minomura；H.Kukimoto：第 19 届国际半导体物理会议论文集（华沙，1988 年）。

J.Nakahara;S.Minomura;H.Kukimoto: J.Luminescence. 38. 257-277 (1987)

J.Nakahara；S.Minomura；H.Kukimoto：J.发光。

K.Takarabe;K.Kawai;S.Minomura;M.Taniguchi: Proceeding of 19th International Conference on Semiconducror Physics(Warsaw,1988).

K.Takarabe；K.Kawai；S.Minomura；M.Taniguchi：第 19 届国际半导体物理会议论文集（华沙，1988 年）。