超高圧低温下における化合物半導体の光物性の研究

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1.有機金属気相成長法によるZnSeーZnS系薄膜の作製と評価(CH_3)_2ZnーH_2、H_2SeーH_2、H_2SーH_2の各混合ガスを10^<-6>〜10^<-7>mol/minの流量で反応槽に導き、300℃FのGaAs基板上にZnSe、NnS、ZnSe_<1ーx>Sxを着成させた。X線回析、ラマン散乱、光吸収、PAS、PL^+、ICTSなどの測定により、着成膜の格子構造と電子構造の評価を行った。2.nーZnSe:In/iーGaAsにおけるICTSに及ぼす圧力効果ピストン・シリンダ装置を用い超高圧(0〜3GPa)、低温(77ー300K)下のnーInSe:In/i-GaAs(山梨大工松本研提供)におけるICTSに及ぼす圧力効果を測定した。圧力増加に従って深い準位から伝導バンドへの電子放出速度が10^<-2>〜10^<-3>因子減少し、活性化エネルギーが増加することを明らかにした。電子放出に伴う活性化体積は約17〓を示し、電子捕獲断面積は10因子増加することを明らかにした。3.CuAl_1×Ga×S_2のラマンスペクトルに及ぼす圧力効果CuAl_<1ーx>Ga×S_2(大阪府大工山本研提供)のA_1モードのラマン振動数は、1モード(融合)型の振舞を示し、Al組成の増加および圧力の増加に従って高振動数側へのシフトを示す。A_1ピークの低振動数側におけるゾーン境界モードに及ぼす質量不規則効果を評価した。4.Cd_<1ーx>Mn×Te(東北大科学計測岡研提供)における束縛励起子(〓X)、磁気ポーラロン、PA再結合に関するPLスペクトルに及ぼす励起強度と温度の効果を測定し、無輻射再結合過程の効果を解析した。5.GaNとAl_<1ーx>GaxN(名大工赤崎研提供)のX線回析とラマン散乱の測定により、結晶成長に及ぼすAl_2O_3ヘテロ基板の影響について評価した。