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超高圧低温下における化合物半導体の光物性の研究

超高压低温下化合物半导体光学性质研究

基本信息

批准号：
62604001
负责人：
箕村茂
金额：
$ 0.64万
依托单位：
Okayama University of Science
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份：
1987
资助国家：
日本
起止时间：
1987 至无数据
项目状态：
已结题

项目摘要

1.カルコパイライトの格子ひずみと電子構造. ABX_2型カルコパイライトの結晶構造は, Xを中心とし2Aと2Bを頂点とする歪んだ四面体ユニットにより成り(R_<RX>≠R_<BX>), アニオン変位パラメーターuは, C/a=ηの関数として, u=1/2-1/4(2η^2-1)によって方えられる. 高圧下のCuGaS_2のX線回析実験から, 圧力の増加に従って僅かながらC/a比の減少を示し, 従ってuとηの関係式から, uは圧力により増加すると考えられる. 東京理科大工(入江研)で作成されたCUInX_2の試料に対して, XPS, UPS, E_2スペクトルの測定を行った. その結果として, Cu3d-XP反結合バンド, In-X結合バンド, Xsバンド, In4dバンドの価電子状態密度および価電子バンドから伝導バンドのSe5P, In5P, cu4P準位への光学遷移が明らかにされた.2.Cd_<1-x>M_<nx>Teの発光強度の温度依存性. 混晶の発光強度は, 温度の増加に従って対数的減少を示す. 強度Iと温度Tの関係は, (I/I_o)-1=Ae^<-(TITP)>によって方えられる. この関係式はギァップ状態として移動度端Eeとガウス分布の局在状態の存在を假定することによって導かれ, 光励起に生成された電子-正孔対の輻射再結合と非輻射再結合の競合により, 温度の増加に従って後者の対数的増加することによると考えられる. 東北大科研(岡研)で作成されたCd_<1-x>M_<nx>Teに対して, 発光強度の温度変化を測定し, AとT_oを決定した.3.ウルツ鉱の格子ひずみと格子振動. AX型ウルツ鉱の結晶構造は, 歪んだ四面体ユニット(AX_4)より成り, アニオン変位パラメーターuは, 格子パラメーター(C)に対するC軸に平行なボンド長さ(〓_2)の比として定義される. 他の三つのボンド長(〓_1)は互いに等しいが, 〓_1≠〓_2である. 高圧下のZnOのX線回析実験から, 圧力の増加に従って, C/a比が減少し, 従ってuが増加すると考えられる. 名大工(赤崎研)で作成されたGaN/AL_2O_3のラマン散乱を測定し, A_1, E_1, E_2モードの振動数を決定した.

1. Electronic structure of カルコパイライトのlattice. ABX_2 type カルコパイライトの crystal structure, Xをcenterとし2Aと2Bをvertexとするskewんだtetrahedronユニットにより成り(R_<RX>≠R_<BX>),アニオン変一パラメーターuは, C/a=ηの关数として, u=1/2-1/4(2η^2-1)によって方えられる. The X-ray analysis of CuGaS_2 under high pressure shows the decrease of C/a ratio as the pressure increases. 従ってuとηのrelational expressionから, uは姧力によりincrease plusすると卡えられる. Tokyo University of Science and Technology (Irieken) made CUInX_2 sample test materials, XPS, UPS, E_2 test results and measured results. Cu3d-XP anti-binding バンド, In-X binding バンド, The temperature dependence of the light intensity of cu4P level and optical migration.2.Cd_<1-x>M_<nx>Te. The light intensity of mixed crystal. The increase in temperature indicates the decrease in the number of pairs. The relationship between intensity I and temperature T is, (I/I_o)-1=Ae^<-(TITP)>によって方えられる.このrelational expressionはギァップstateとしてMovement end Eeとガウスdistributionのbureau in the stateのexistenceをassumingすることによってguideかれ, Electron generated by light excitation - radiative recombination of positive holes and non-radiative recombination of electrons, The increase in temperature is the increase in the number of the latter. Cd_<1-x>M_<nx>Te made by Tohoku University of Science and Technology (Okaken), measurement of temperature change of light intensity, AとT_oをdeterminationした.3.ウルツ鉱のlattice ひずみとlattice vibration. AX type ウルツ鉱のcrystal structureは, twisted んだtetrahedron ユニット(AX_4)より成り, アニオン変一パラメーターuは, Grid パラメーター(C)に対するC axisにparallelなボンドlengthさ(〓_2)のratioとしてDefinitionされる. His の三つのボンド长(〓_1)は Mutual いにWaiting しいが, 〓_1≠〓_2である. のZnOのX-ray analysis under high pressure 実験から, The pressure increases, the C/a ratio decreases, the pressure increases, the pressure increases, and the C/a ratio decreases. GaN/AL_2O_3 Scattered Measurement of GaN/AL_2O_3 made by famous engineer (Akasaki Ken), A_1, E_1, E_2 vibration number is determined by the number of vibrations.