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2つの独立したプラズマ発生源による炭化水素系プラズマ中のラジカル反応制御

使用两个独立的等离子体源控制碳氢化合物等离子体中的自由基反应

基本信息

批准号：
01632527
负责人：
大木義路
金额：
$ 2.3万
依托单位：
Waseda University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份：
1989
资助国家：
日本
起止时间：
1989 至无数据
项目状态：
已结题

项目摘要

平成元年度には、63年度の研究報告からの反省点を改善すべく、発光スペクトルへの残留空気の影響を解決すめため高真空排気可能な系を作製した。この系において電離電圧が大きく異なる2種類のガス(Ar,He)について実験を行い、励起方法の違いが発光スペクトルに与える影響について調べた。まず、Ar,Heガスを単独に放電する実験において、励起部では、Ar,He共に圧力増加(流量増加)すると共に発光スペクトル強度が増加し、電子温度は減少するという傾向が得られた。プラズマ内のエネルギ-尺度としての電子温度×電子密度を考えれば、実験を行った圧力領域ではほぼ一定の値となった。アフタ-グロ-部では、圧力増加と共に発光強度が減少し、電子温度も減少する傾向が得られた。しかし、Arの4p,4p'準位から準安定励起準位である4s準位への遷移による発光は、他の発光スペクトルのように圧力増加と共に減少傾向は示さず、ほぼ一定の発光強度を示している。これにより、本実験における圧力領域(10〜90mTorr)においては、Arの準安定準位へは一定k割合で励起が生じていることがわかった。次にAr,Heどちらかのプラズマのアフタ-グロ-中に、他方のガスを注入し励起を生ぜしめるという実験を行った。まず、Heのアフタ-グロ-中へのArガス注入による実験であるが、Ar流量増加にともない、He発光スペクトル強度が減少し、Ar発光スペトクル強度は増加した。これは、ペニング効果により説明されるが、Arアフタ-グロ-中へHeガスを流入する実験では、Arの発光スペクトルのみならず、Heの発光スペクトルも見られ、Arプラズマから、電離電圧が約9eV高いHeへのエネルギ-の移行が行なわれたものと思われる。これについては、アフタ-グロ-部の励起部からの漏れ電界の効果や、Ar準安定励起準位の関与などが考えられる。また、数Torrオ-ダの真空度においてHe,Arプラズマの電子温度、電子密度をダブル-プロ-プ法により測定した。アフタ-グロ-下部では、その上部より電子密度は、減少傾向にあるが、電子温度は上昇する傾向にある。この理由として準安定励起種同志の衝突による電離が考えられる。その他、圧力依存性や電力依存性に対する知見を得た。ついで、上記の知見を実際のプラズマ重合と結び付けるべく、Heをキャリアガス、トルエンをモノマ-ガスとして重合を行った。その結果、アフタ-グロ-領域での成膜においては、膜堆積速度は電子密度に大きく依存するが、電子温度にはあまり関係しない。しかしながら、膜の構造には電子温度が強く影響していることがわかり、プラズマ励起方式の違いにより、電子温度、電子密度を変化させることで、膜構造を制御しうることが示された。

Research Report of Heisei 1963: Improvement of Reflection Point, Solution of Residual Air Pollution and Control of High Vacuum Exhaust System The ionization voltage of this system varies greatly between two species (Ar,He), excitation method and influence. The total pressure of Ar,He in the excitation part increases (the flow rate increases), the total emission intensity increases, and the electron temperature decreases. The electron temperature × electron density is measured by the electron temperature and electron density. The light intensity decreases when the pressure increases, and the electron temperature decreases. The 4p,4p'level of Ar decreases from the quasi-stable excitation level to the 4s level, and the shift of the 4s level decreases the emission intensity. The pressure field (10 ~ 90mTorr) of Ar and Ar is set at a certain level. Second,He cut off the top of the list, and the other side of the list was injected into the list. The Ar emission intensity decreases with the increase of Ar flow rate. The Ar emission intensity increases with the increase of Ar flow rate. For example, if the Ar emission is high, the He emission is high. If the Ar emission is high, the He emission is high. The effect of leakage current on Ar quasi-stable excitation level is discussed. The electron temperature and electron density of Ar ~+ are determined by the method of electron temperature and electron density. The electron density tends to decrease and the electron temperature tends to increase. The reason for this is to stabilize and encourage the emergence of homosexual conflicts. Other, pressure dependent and power dependent knowledge In the middle of the book, the knowledge of the real time is the coincidence of the connection, the connection of the connection and the connection of the connection. As a result, film formation in the field of electron deposition depends on electron density and electron temperature. The structure of the membrane has a strong influence on the electron temperature, the excitation mode, the electron temperature and the electron density.