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Low temperature process in printed thin-film transistors toward high-resolution flexible displays
印刷薄膜晶体管的低温工艺实现高分辨率柔性显示器
基本信息
- 批准号：25820125
- 负责人：
- 金额：$ 2.75万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
- 财政年份：2013
- 资助国家：日本
- 起止时间：2013-04-01 至 2015-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Effect of Wet-O2 Annealing on the Characteristics of Solution-Derived Amorphous InZnO Thin-Film Transistors
湿法O2退火对溶液法非晶InZnO薄膜晶体管特性的影响
- DOI：
- 发表时间：2014
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Yukihiro Osada;Yasuaki Ishikawa;Mami Fujii;and Yukiharu Uraoka
- 通讯作者：and Yukiharu Uraoka
ウェットO2アニールを用いた液体材料由来の非晶質InZnO薄膜の作製とトランジスタ特性への影響
湿法O2退火液态材料非晶InZnO薄膜的制备及其对晶体管特性的影响
- DOI：
- 发表时间：2015
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：長田至弘;石河泰明;藤井茉美;浦岡行治
- 通讯作者：浦岡行治
Analysis of printed silver electrode on amorphous indium gallium zinc oxide
非晶氧化铟镓锌印刷银电极分析
- DOI：10.7567/jjap.53.04eb03
- 发表时间：2014
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Yoshihiro Ueoka;Takahiro Nishibayashi;Yasuaki Ishikawa;Haruka Yamazaki;Yukihiro Osada;Masahiro Horita;and Yukiharu Uraoka
- 通讯作者：and Yukiharu Uraoka
Effect of Back Channel on the Characteristics of Solution-Derived Amorphous InZnO Thin-Film Transistors
背沟道对溶液法非晶InZnO薄膜晶体管特性的影响
- DOI：
- 发表时间：2013
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Yukihiro Osada;Yasuaki Ishikawa;Li Lu;and Yukiharu Uraoka
- 通讯作者：and Yukiharu Uraoka
溶液プロセスで作製したアモルファスInZnO薄膜トランジスタ特性に対するバックチャネルの影響
背沟道对溶液法非晶InZnO薄膜晶体管性能的影响
- DOI：
- 发表时间：2013
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：長田至弘;石河泰明;呂莉;浦岡行治
- 通讯作者：浦岡行治
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ISHIKAWA Yasuaki其他文献
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