Low temperature process in printed thin-film transistors toward high-resolution flexible displays
Low temperature process in printed thin-film transistors toward high-resolution flexible displays
印刷薄膜晶体管的低温工艺实现高分辨率柔性显示器
批准号：
25820125
负责人：
ISHIKAWA Yasuaki
金额：
$2.75万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份：
2013
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2013-04-01 至 2015-03-31
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Effect of Wet-O2 Annealing on the Characteristics of Solution-Derived Amorphous InZnO Thin-Film Transistors
湿法O2退火对溶液法非晶InZnO薄膜晶体管特性的影响
湿法O2退火对溶液法非晶InZnO薄膜晶体管特性的影响
DOI：
--
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Yukihiro Osada, Yasuaki Ishikawa, Mami Fujii, and Yukiharu Uraoka]
通讯作者：
and Yukiharu Uraoka
ウェットO2アニールを用いた液体材料由来の非晶質InZnO薄膜の作製とトランジスタ特性への影響
湿法O2退火液态材料非晶InZnO薄膜的制备及其对晶体管特性的影响
湿法O2退火液态材料非晶InZnO薄膜的制备及其对晶体管特性的影响
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
[長田至弘, 石河泰明, 藤井茉美, 浦岡行治]
通讯作者：
浦岡行治
DOI：
10.7567/jjap.53.04eb03
发表时间：
2014
期刊：
Jpn. J. App. Phys.
影响因子：
--
作者：
[Yoshihiro Ueoka, Takahiro Nishibayashi, Yasuaki Ishikawa, Haruka Yamazaki, Yukihiro Osada, Masahiro Horita, and Yukiharu Uraoka]
通讯作者：
and Yukiharu Uraoka
Effect of Back Channel on the Characteristics of Solution-Derived Amorphous InZnO Thin-Film Transistors
背沟道对溶液法非晶InZnO薄膜晶体管特性的影响
背沟道对溶液法非晶InZnO薄膜晶体管特性的影响
DOI：
--
发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Yukihiro Osada, Yasuaki Ishikawa, Li Lu, and Yukiharu Uraoka]
通讯作者：
and Yukiharu Uraoka
溶液プロセスで作製したアモルファスInZnO薄膜トランジスタ特性に対するバックチャネルの影響
背沟道对溶液法非晶InZnO薄膜晶体管性能的影响
背沟道对溶液法非晶InZnO薄膜晶体管性能的影响
DOI：
--
发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
--
作者：
[長田至弘, 石河泰明, 呂莉, 浦岡行治]
通讯作者：
浦岡行治
共 12 条
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