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電子波デバイスのための極限構造の制御と評価

电子波器件极限结构控制与评估

基本信息

批准号：
02251103
负责人：
蒲生健次
金额：
$ 33.79万
依托单位：
Osaka University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份：
1990
资助国家：
日本
起止时间：
1990 至无数据
项目状态：
已结题

项目摘要

本研究は極微構造素子の製作に必要な材料処理技術および評価技術についてその基礎過程を解明し超微細加工の可能性を追求することを目的とする.本年度は、1)LFIB照射により誘起される化学効果を利用しエッチングおよび膜形成を行い、低損傷その場加工技術の可能性を示した。2)GaAsの分子層成長機構を四重極質分析計を用いて吸着過程を測定して調べている。さらにZnSeの伝導型制御を試み、液相エピタキシ-によってP型を作る事ができた。3)Arレ-ザを用いたIIIV液化合物半導体の原子層結晶成長の機構,選択成長の特性を検討した。またGaAsのデジタルエッチングの可能性を検討する研究を開始した。4)MBEによるGaAs結晶成長過程を調べた。GaAs(001)上のGa拡散〓はμmのオ-ダ-であり,ステップに到達したGaがそこに取り込まれる確率が非常に小さいことがわかった。また水素原子照射によるGaAs選択成長の可能性を示した。5)InP,InGaAs材料系をとりあげ、バルクのInP,InGaAsにGaイオンを注入した場合の損傷および回復の過程および構成原子の拡散の振舞を明らかにし、この現象を利用して量子細線の作製を試みキャリアの閉じ込めが可能なことを確かめた。6)格子不整合系を電子波干渉デバイスに利用する方法について検討を行い、不整合系に特有の成長形態を直接メゾスコピック領域寸法のデバイス形成に利用できる可能性を指摘した。7)化合物半導体界面および表面の電子構造とその制御法を調べた。厚さ10A^^°のSi薄膜(ICL)はSiO_2/InGaAs界面の界面準位を1.6×10^<11>/cm^2/eVまで低減する事。HFによる表面処理と併用することにより大気による汚染の影響を低減できる事などを示した。8)電子線ホログラフィ-による局所的な電場の測定が可能である事を確認した。計算機シミュレ-ションの結果と合わせれば、定量的に測定を行うことができると考えている。

This research is necessary for the production of ultra-fine structural elements, material processing technology, evaluation technology, basic process, explanation of the possibility of ultra-fine processing, and pursuit of the purpose.る. This year, 1) The possibility of LFIB irradiation inducing chemical effects and low-damage field processing technology using silica film formation was demonstrated. 2) The GaAs molecular layer growth mechanism and the quadruple polar mass analyzer are used to measure the adsorption process.さらにZnSeの伝guide type control をtestみ, liquid phase エピタキシ-によってP type を为る事ができた. 3) Arre-Sure uses the atomic layer crystal growth mechanism of IIIV liquid compound semiconductor and selects the growth characteristics.またGaAsのデジタルエッチングのpossibilityを検 DiscussionするResearchをstartした. 4) MBE adjusts the GaAs crystal growth process. GaAs(001)のGa拡san〓はμmのオ-ダ-であり,ステップにArrive at したGaがそこにget り込まれる accuracy がvery に小さいことがわかった. The possibility of growth of GaAs by irradiation of hydrogen atoms is shown. 5) InP, InGaAs material system, InP, InGaAs, Gaイオンを injection, recovery process of damage in the occasion The および constituent atoms の拡 scattered の Vibrating dance を明らかにし, このphenomenon をutilization してquantity The sub-thin thread is made and the test is closed and the thread is closed. 6) The lattice unconformity system uses the electronic wave drying method and the unconformity system. There is a form of growth that can be directly exploited and pointed out using the possibility of forming a new field. 7) The electronic structure of the compound semiconductor interface and the surface are controlled by the control method. The thickness of the 10A^^° Si thin film (ICL) and the interface level of the SiO_2/InGaAs interface are 1.6×10^<11>/cm^2/eV, which can reduce the problem. HF による surface treatment and combined use of することにより大気によるcontamination and the influence of pollution are reduced and the できる事などをshow is used. 8) It is possible and possible to confirm the electric field of the electronic wire harness at the laboratory. Computerized test results and quantitative test results, quantitative test results, and quantitative test results.