权益分类	功能权益	普通用户	{{item.name}}会员
{{category.name}}	{{benefitItem.name}}

電子波デバイスのための極限構造の制御と評価

电子波器件极限结构控制与评估

基本信息

批准号：
03237103
负责人：
蒲生健次
金额：
$ 32万
依托单位：
Osaka University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份：
1991
资助国家：
日本
起止时间：
1991 至无数据
项目状态：
已结题

项目摘要

(1)低エネルギ-(20〜100eV)Ar^+イオンビ-ム照射によるGaAs/AlGaAsヘテロ構造の照射欠陥を調べた。照射欠陥の影響は、おもに2次元電子ガスの移動度の低下に現れ、キャリア密度への影響は少ないこと、更にこの傾向は高移動度の基板ほど大きく、低温での移動度の低下がイオン照射によって生じる散乱中心に支配されている事が示された。(2)蒸気圧制御下でのGaAs結晶中の原子拡散の新しいモデルを提案し空格子点の自己拡散や不純物拡散の蒸気圧効果を説明した.(3)レ-ト方式を用いて実験結果にフィッティングして表面過程を考えると、デジタルエッチングの特徴的な飽和特性ならびにエッチングの遅れを説明できる事が分かった。(4)簡単なクラッキングセルを用いて発生させた水素原子に着目し、それをMBE成長中に照射することによって選択成長温度の低減化を実現し、マスク材料としてSiO_2とSiNxを比べた場合、SiNxマスクの方がGaの臨界分子線強度が大きくGaAsの選択性が良い事がわかった。(5)InP,InGaAsへのGaイオン注入による改質効果について調べ、結晶学的、電気的、光学的に注入効果を明らかにした.(6)格子不整合低次元極微構造の作製と評価を進めた。格子不整合が大きいときには界面付近で三次元成長が起こる事、またある程度の周期性をもって現われ、自発的な量子構造が形成されている可能性がある事を見い出した。(7)半導体自由表面の表面準位分布を非接触・非破壊でinーsituに定量測定する新しい方法を開発した.MOCVD常圧縦形反応炉で、原子層エピタキシ-によりInAs/GaAsヘテロ構造と量子井戸を形成する条件を確立した。Si超薄膜面界制御層を用いる新しい方法でGaAsおよびInGaAsの界面制御に成功し、アンピンニング機構を明らかにした.(7)電子をプロ-ブして電子線にバイプリズムを用いるミクロで非接触の電位分布を測定できる可能性を示した.

(1) Low irradiation-(20~100eV) Ar^+ イオンビ-によるGaAs/AlGaAs によるGaAs/AlGaAs ヘテロ structure. The effect of lack of irradiation, the low mobility of two-dimensional electrons, the low influence of キャリアdensity, and the tendency to change. The high mobility of the substrate is large, and the low temperature of the mobility is low and the radiation is raw and scattered. (2) Under the steam pressure control, the new atoms in the GaAs crystal can be dispersed and the empty lattice points can be dispersed. The impurities can be dispersed and the steam pressure effect can be explained. (3) No-no method. Use the results of いて実験, にフィッティングして surface process, えると, デジタルエッチンThe saturation characteristics of グの特徴ならびにエッチングの遅れを Explain できる事が分かった. (4) Simple なクラッキングセルを用いて発生させたhydrogen atomsに目し、それをMBE is growing by irradiation and irradiation, and the growth temperature is reduced and reduced. The materials used in the material are SiO_2 and SiNx. The critical molecular line strength of SiNx is high and the critical molecular line strength is large. (5) InP, InGaAs injection and modification effect, crystallographic and electrochemical properties (6) The lattice non-integrated low-dimensional ultra-fine structure is produced and evaluated by the injection effect. The lattice is not integrated and the interface is close to three-dimensional growth. The nature is the same as the present, and the quantum structure of the self is formed and the possibility is the same. (7) Non-contact and non-destructive method for quantitative determination of surface level distribution of semiconductor free surface in situ. MOC The conditions for the formation of the VD constant pressure reactor, the atomic layer Ethernet InAs/GaAs InAs/GaAs structure, and the formation of quantum wells have been established. The Si ultra-thin film interface control layer has been successfully controlled using the new method of GaAs and InGaAs, and the new method has been successfully used.にした.(7)Electronic をプロ-ブしてelectronic wire にバイプリズムをUsing いるミクロでnon-contact potential distributionをmeasurement できるpossibilityをshowした.