気相エピタキシャル成長法による硫化亜鉛成長層の伝導性および発光色の制御

气相外延生长法控制硫化锌生长层的电导率和发光颜色

• 批准号: 03205050
• 负责人: 飯田 誠之
• 金额: $ 1.28万
• 依托单位: Nagaoka University of Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
• 财政年份: 1991
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1991 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-03205050/
• 关键词: 硫化亜鉛; 気相エピタキシャル成長; 伝導性制御; P型硫化亜鉛層; 不純物添加; フォトルミネッセンス

ZnS気相エピタキシャル成長層の伝導制制御技術を確実なものとし、pーn接合型で全発光色型の発光素子への応用を念頭に、1.p型伝導の出現に対する亜鉛蒸気圧の効果の詳細な研究、2.p型層とn型層のバンド端発光を調べ、関係する不純物準位を明らかにする、3.発光色制御のための深い準位を形成する不純物の添加方法、4.n型層の抵抗率制御のための不純物の選択と添加方法、などの項目について研究を進めた。1.についてはX線回折の半値幅より見た結晶性と励起子反射のスペクトル幅とがよく対応しており、亜鉛蒸気圧が結晶性に大きく影響し400℃付近のZn源温度で最良の結晶性を持つ層が得られることが分かった。このZn源温度付近で成長系にNH_3を添加するとp型層が得られるようである。またエピタキシャル層の格子定数はバルク結晶で報告されている値より0.08%程小さいと判断されるX線回折の結果が得られているが、更に検討が必要である。2.についてはNH_3を成長時に添加して得たP型層には浅いアクセプタ-準位以外に新しいドナ-準位が形成されていることを示すとみられるデ-タが、ドナ-・アクセプタ-対型発光の遅延励光の遅延励起スペクトルの測定より得られた。NH_3添加の効果と新しいドナ-準位形成との対応関係については更に調べてみる必要がある。3.発光色の制御に関してはAu_2SとAuClを原料としてAuの添加を試みたが、不成功であった。添加方法を含む不純物の選択が今後の課題となった。4.のn型伝導度の制御については金属InとZnCl_2を原料として試みた。前者については結晶性への影響は別として不適当と判断される。後者については抵抗率の変化が観測され、見込みがあることが分かった。加物条件をつめることが次のステップとして必要である。

ZnS エピタキシャル growth layer の伝 guidance control technology を 箟なものとし, pーn joint type で full 発 light color type の発 phosphor The idea of using the sub-type, 1. Detailed research on the effect of the appearance of the p-type guide, 2. The design of the p-type layer and the n-type layerンド Duan発光を Adjustmentべ、Relationshipするimpurity levelを明らかにする、3.発光色controlのためのdeepいlevelを FormationするimpurityのAddition method, 4.n-type layer resistance rate control のためのimpurities のおと addition method, などのproject について research progress をめた. 1. X-ray return half-value より见たcrystalline とstimulated screwdriver reflection のスペクトルwidth とがよく対応しており, 亜 lead steam The influence of the pressure on the crystallinity of the Zn source is close to 400°C, and the optimal crystallinity is maintained in the layer. The temperature of the Zn source is close to that of the growth system NH_3, and the p-type layer is added to the Zn source.またエピタキシャル Layer のlattice fixed number はバルク Crystallization report されている値より0.08% Cheng Xiaotong is responsible for judging the result of the X-ray retracement and it is necessary to update the X-ray. 2. The P-type layer is added when growing up, and the P-type layer is added when growing up.ることを说すとみられるデ-タが、ドナ-・アクセプタ-対Type 発光の遅掅恮恅恅恅动sensitize スペクトルのdetermination よりget られた. NH_3 adds a new effect and a new level of adjustment, and the relationship between the two is adjusted to the necessary level. 3. The raw material of 発光色の管に关してはAu_2SとAuClをとしてAuのadded was tried and failed. The method of adding is not a matter of selecting impurities, which is a future issue. 4. The control of n-type conductivity is based on the metal In and ZnCl_2 raw materials. The former is due to the influence of crystallinity and inappropriate judgment. The latter is the resistance rate of the change of the resistance rate, the test of the resistance rate, and the resistance rate of the latter. The conditions for adding items are necessary.

项目成果

A.Ooe: "Absorption and Photoluminescence Spectra of Heavily Zu‐Doped CuGaS_2 Crystals" Jpn.J.Appl.Phys.30. 2709-2717 (1991)

A.Ooe：“重 Zu 掺杂 CuGaS_2 晶体的吸收和光致发光光谱”Jpn.J.Appl.Phys.30 2709-2717 (1991)。

H.Kinto: "Photoluminescence Studies of p‐and n‐type Zus Layers grown by Vapor Phase Epitaxy" J.Crystal Growth. 117. (1992)

H.Kinto：“气相外延生长的 p 型和 n 型 Zus 层的光致发光研究”J.Crystal Growth 117。（1992 年）