酸化物超伝導体表面の局所トンネルスペクトロスコピ-

氧化物超导体表面的局域隧道光谱

基本信息

  • 批准号:
    03210211
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 2.75万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 财政年份:
    1991
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    1991 至 无数据
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

酸化物超伝殿体の異方的な電子講造について調べるため,Bi系並びにLa系超伝導体について室温か5極低温までの温度範囲についてSTM/STS測定を行なった。その結果、Bi系超伝導体の劈開面(BiO層)は液体ヘリウム温度でもo.lev程度のギャップを持った半導体であることがわかった。また、半導体ギャップの大きさはBiO層に過剰酸素を導入するほど小さくなった。このことは、本系の異方性が酸素量により制御可能なことを示している。一方、Bi系断面ではCuーO層に起因する明確な超伝導ギャップが観測されたが、この大きさはBCS弱結合理論の予想値よりも倍以上大きく、強結合の状態になっていると考えられる。ただし、スペクトルの形状は試料ー探針間の距離に依存し、探針が試料表面に近いほどコンダクタンスの発散型ピ-クは鋭くなるものの、ギャップ内の状態密度は増加した。このため、スペクトルよりギャップの値を正確に見積ることは因難であった。La系の場合、ab面のトンネルスペクトルはSrド-プ量により大きく変化し、この系の金属ー絶縁体転移と良い対応を示した。一方、ac面についてはコンダクタンス曲線は常に2次関数で表わされ、金属的であった。このことは、ab面にとLa(Sr)ーO層が露出していることを意味しており、酸化物超伝導体の場合、一般にキャリアの導入はCuO層よりも、それを隔てる絶縁層の電子構造をより大きく変化させるということを示唆している。
Content to exceed 伝 の different fang dian acidification な electronic speak made に つ い て adjustable べ る た め, Bi system and び に La is super conductor 伝 に つ い て room-temperature か 5 extremely low temperature ま で の temperature fan 囲 に つ い て STM/STS line measurement を な っ た. そ の results, Bi is super 伝 の split conductor surface layer (BiO) は liquid ヘ リ ウ ム temperature で も o.l ev degree の ギ ャ ッ プ を hold っ た semiconductor で あ る こ と が わ か っ た. Youdaoplaceholder0, semiconductor ギャップ, <s:1>, large さ さ, ギャップ, BiO layer に, glycolic acid を is introduced into するほ さくなった, small さくなった. The amount of the isomorphic が acid in this system is によ によ, and its control may な とを とを indicate that て る る る. Side, Bi section で は Cu ー O layer に cause す る clear な super 伝 guide ギ ャ ッ プ が 観 measuring さ れ た が, こ の big き さ は BCS weak の to combining theory to numerical よ り も times big き く, strong combination の state に な っ て い る と exam え ら れ る. た だ し, ス ペ ク ト ル の shape は sample ー の distance between probe に dependent し, probe が sample surface に nearly い ほ ど コ ン ダ ク タ ン ス の 発 dispersion type ピ - ク は sharp く な る も の の, ギ ャ ッ プ の state density in は raised plus し た. こ の た め, ス ペ ク ト ル よ り ギ ャ ッ プ の numerical を に see right product る こ と は difficulty で あ っ た. La is の occasions, ab face の ト ン ネ ル ス ペ ク ト ル は Sr ド amount - プ に よ り big き く - し, こ の is の metal ー never try body good planning move と い 応 seaborne を shown し た. Party, ac に つ い て は コ ン ダ ク タ ン は ス curve に twice masato で table わ さ れ, metal で あ っ た. こ の こ と は, ab に と La (Sr) ー O layer が reveal し て い る こ と を mean し て お り, acidification super 伝 conductor の occasions, general に キ ャ リ ア の import は CuO layer よ り も, そ れ を every て る never try layer の electronic structure を よ り big き く variations change さ せ る と い う こ と を in stopping し て い る.

项目成果

期刊论文数量(12)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
T.Hasegawa: "“Tunneling Spectroscopy of Oxide Superconductors"in“Physical Properties of High Temperutue Superconductors III"" World Scientific Publishing, (1992)
T. Hasekawa:“高温超导体 III 的物理特性”中的“氧化物超导体的隧道光谱”,世界科学出版社,(1992 年)
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
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    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
W.Wei: "STM/STS Study of Single Crytalline Bi_2Sr_2CaC_<u2>O_y(2):Electronic Nature of the BiO Layer as a Function of Oxggen Content" Physica C. 185ー189. 863-864 (1991)
W. Wei:“单晶 Bi_2Sr_2CaC_<u2>O_y(2) 的 STM/STS 研究:BiO 层的电子性质随氧含量的变化”Physica C. 185-189 (1991)。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
T.Hasegawa: "Anisotropic Electronic Structures of Oxide Supercondnctors Inrestigated by STM at Cryogenic Temperatures" Physica C. (1992)
T.Hasekawa:“在低温下通过 STM 研究氧化物超导体的各向异性电子结构”Physica C. (1992)
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
M.Nantoh: "STM/STS study of Single Crystalline Bi_2Sr_2CaCu_2O_y (1):Superconducting Gop and Baviu Width Dependence of Tunneling Spectrum" Physica C. 185ー189. 861-862 (1991)
M.Nantoh:“单晶 Bi_2Sr_2CaCu_2O_y 的 STM/STS 研究 (1):隧道光谱的超导 Gop 和 Baviu 宽度依赖性”Physica C. 185-189 (1991)。
  • DOI:
  • 发表时间:
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    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
T.Hasegawa: "Cryogenic Scanning Tunneling Spectroscopy on Oxide Superconductors" Physica C. 185ー189. 1743-1744 (1991)
T. Hasekawa:“氧化物超导体的低温扫描隧道光谱”Physica C. 185-189(1991)。
  • DOI:
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  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

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    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
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  • 通讯作者:
    長谷川 哲也
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  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
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  • 发表时间:
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    0
  • 作者:
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  • 发表时间:
    2007
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    中尾 祥一郎;一杉 太郎;山田 直臣;古林 寛;廣瀬 靖;島田 敏宏;長谷川 哲也
  • 通讯作者:
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  • DOI:
  • 发表时间:
    2015
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  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    川村 光 ;長谷川 哲也;中村 瑛仁;岡林典子・佐野仁美;岡林典子・坂井康子・上木美佳;坂井康子・岡林典子;坂井康子・岡林典子;岡林典子・佐野仁美・坂井康子・南夏世;岡林典子・佐野仁美;岡林典子;清道亜都子;岡林典子・坂井康子・佐野仁美・南夏世;宮里智恵;清道亜都子;岡林典子・坂井康子・南夏世・佐野仁美;宮里智恵・髙橋均・森川敦子;岡林典子;清道亜都子;宮里智恵;下郡啓夫,伊藤恵,大場みち子;伊藤恵,椿本弥生;大場みち子,伊藤恵,下郡啓夫,薦田憲久;大場みち子,伊藤恵,下郡啓夫;下郡啓夫,木元利歩,倉山めぐみ,大場みち子,伊藤恵;下郡啓夫,大場みち子,伊藤恵;伊藤恵,杉本識吏,大場みち子,下郡啓夫
  • 通讯作者:
    伊藤恵,杉本識吏,大場みち子,下郡啓夫

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{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
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    {{ item.factor }}
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    {{ item.authors }}
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    {{ item.author }}

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Empirical Research on Regional Disparities in "Resources" and "Use" of Public Libraries
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  • 批准号:
    15034207
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  • 资助金额:
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    14038218
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  • 批准号:
    12016203
  • 财政年份:
    2000
  • 资助金额:
    $ 2.75万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
銅酸化物粒界接合界面における局所電子・磁気特性の評価
氧化铜晶界结界面局部电子和磁性的评估
  • 批准号:
    11129205
  • 财政年份:
    1999
  • 资助金额:
    $ 2.75万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
銅酸化物粒界接合界面における局所電子・磁気特性の評価
氧化铜晶界结界面局部电子和磁性的评估
  • 批准号:
    10142203
  • 财政年份:
    1998
  • 资助金额:
    $ 2.75万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
原子種の識別可能なSTM装置の開発
开发可识别原子种类的STM装置
  • 批准号:
    06555182
  • 财政年份:
    1994
  • 资助金额:
    $ 2.75万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Developmental Scientific Research (B)
{{ showInfoDetail.title }}

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知道了