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誘導結合式・高密度プラズマ堆積プロセスにおけるフリーラジカルの役割と組織制御

自由基和结构控制在电感耦合高密度等离子体沉积过程中的作用

基本信息

批准号：
06228209
负责人：
吉田豊信
金额：
$ 1.28万
依托单位：
The University of Tokyo
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份：
1994
资助国家：
日本
起止时间：
1994 至无数据
项目状态：
已结题

项目摘要

A.高周波熱プラズマの研究(1).原子状酸素フラックスの測定QCMを利用した原子状フラックスセンサーを用いて、200Torr Ar-O_2熱プラズマフレーム中の原子状酸素フラックスを測定した。酸素ラジカルフラックスは、ト-チ-基板間距離が短くなるほど、又、高周波入力が大きくなるほど増大し、少なくとも10^<19>atoms/sec・cm^2に達することが判明した。(2).熱プラズマコーティングプロセスにおけるクラスター計測プラズマフラッシュ蒸発法によるYBa_2Cu_3O_<7-x>膜堆積においてプリカーサーのサイズをトレンチ法を用いて計測した。YBa_2Cu_3O_<7-x>は酸素ラジカル中で数nmのクラスターとして基板に到達していることが明らかとなり、そのサイズは原料供給速度を増やし、基板-ト-チ間距離を長くすると大きくなる傾向が見られた。(3).YBa_2Cu_3O_<7-x>膜の高速堆積プラズマフラッシュ蒸発法によるYBa_2Cu_3O_<7-x>膜堆積において、基板-ト-チ間距離、原料供給速度、基板温度をパラメータとしてc軸配向する限界の供給速度を調べた。基板-ト-チ間距離を短くする、即ち原子状酸素フラックスを多くし、クラスターサイズを小さくするとc軸配向する限界の供給速度が増大した。また、基板温度530℃でも超伝導膜が得られ、低温堆積が可能となった。B.低圧誘導結合式プラズマ(ICP)の研究(1).低圧ICP-CVD法によるc-BN薄膜堆積低圧ICP-CVD法において、基板をプラズマ源から斜めに配置し、連続的に膜厚が変化するc-BN薄膜試料の作成を可能にした。これをmicro-XPSにより分析した結果、c-BN生成と膜中残留Ar量に深い相関見られることが判明した。低圧ICP-CVD装置に四重極質量分析装置を組込み、c-BN薄膜堆積のためのCVD環境の定量化を行なった。基板表面へのイオン種は、Ar^+:50%,N^+_2:10%,H^+_2:10%,N^+:5%からなることが判った。

A. Research on high-frequency thermal radiation (1). Measurement of atomic acid fluoride using QCM した atomic acid フラックスセンサーを using いて, 200Torr Ar-O_2 hot プラズマフレーム中のatomic acid element フラックスを was measured. Acid element ラジカルフラックスは, ト-チ-The distance between the substrates is short, and the high frequency input power is large.ほど嗗大し、小なくとも10^<19>atoms/sec・cm^2に达することが见明した. (2). 热プラズマコーティングプロセスにおけるクラスター Measurement of the プラズマフラッシュ steaming method によるY Ba_2Cu_3O_<7-x>Film deposition method is measured using the same method. YBa_2Cu_3O_<7-x> は acid element ラジカル中でnumber nmのクラスターとしてsubstrateにarriveしていることが明らかとなり, そのサイズはraw material supply speed を嗗やし, substrate-to-チdistance をlength くすると大きくなる tendencies が见られた. (3).YBa_2Cu_3O_<7-x> film high-speed deposition method YBa_2Cu_3O_<7-x >Film deposition control, substrate-to-space distance, raw material supply speed, substrate temperature control, c-axis alignment control, limit supply speed, and control. The distance between the substrate and the substrate is short, that is, the atomic acid element is フラックスを多くし, クラスターサイズを小さくするとc-axis alignment するlimit のsupply speed が Increase large した. Therefore, the substrate temperature is 530°C and the super conductive film is not required, and low-temperature deposition is possible. B. Research on Low-pressure Induced Combined Polymer (ICP) (1). Low-pressure ICP-CVD method and low-pressure ICP-C of c-BN thin film deposition It is possible to fabricate c-BN thin film samples using the VD method, the configuration of the base substrate and the slanting of the substrate, and the change of the film thickness. The results of micro-XPS micro-XPS analysis and the amount of residual Ar in the c-BN film are related to the results of the micro-XPS analysis. The low-pressure ICP-CVD equipment and the quadruple polar mass analysis equipment were assembled and the c-BN thin film deposition was carried out to quantify the CVD environment. The surface of the substrate is fine, Ar^+: 50%, N^+_2: 10%, H^+_2: 10%, N^+: 5%.