权益分类	功能权益	普通用户	{{item.name}}会员
{{category.name}}	{{benefitItem.name}}

ハイブリッドプラズマ溶射法による高性能SOFCの要素開発と集積化

采用混合等离子喷涂方法的高性能SOFC的元件开发和集成

基本信息

批准号：
07505020
负责人：
吉田豊信
金额：
$ 12.74万
依托单位：
The University of Tokyo
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
财政年份：
1995
资助国家：
日本
起止时间：
1995 至 1997
项目状态：
已结题

项目摘要

本年度は、昨年までの結果に基づき、セル面積の拡大、SOFCの各要素の高性能化、および実プロセス化への対応を考慮した実験を行った。これまで、ハイブリッドプラズマによるSOFCの堆積実験を、チャンバー内を例えば350Torrに減圧した状態で行ってきたが、実際の工業化プロセスを考えた場合、大気圧化で堆積を行うほうが、気圧制御やダスト対策等の面ではるかに有利である。しかし大気圧溶射では、粒子速度が遅くなる等の影響もある。そこで、本年度の実験では、チャンバー内を大気圧とした状態で、YSZ電解質膜および、Ni-YSZサ-メット膜の堆積実験を試みた。作成したYSZ電解質膜について、断面SEM観察、断面画像解析による気孔率測定、セルの開放端電圧測定等による評価を行ったところ、これまでの減圧溶射で作成したものとほぼ同様の性能を得ることができた。SOFCのアノード電極となるNi-YSZサ-メット膜についても、NiOおよびYSZの粉末を大気圧下でhBN基板に堆積させ、ト-チ基板間距離とNiO、YSZ各々の堆積速度について調べた。その結果、各粉末の供給速度を一定とした場合、YSZの堆積速度は、ト-チ基板間距離が近いほど大きいが、NiOの堆積速度は距離にあまり依存しないことが明らかとなった。これらの結果より、Ni-YSZサ-メット膜の組成を傾斜させながら作成するための基礎的条件が明らかとなった。また作成したNi-YSZサ-メット膜について、断面SEM観察を行ったところ、YSZ、Ni、および気孔の良好な3相界面が観察された。セルの大面積化については、堆積基板回転軸を水平方向に移動させる方法の採用で、約30cm^2に同時に堆積させることが可能となった。また、アノード電極の性能についてのコンピュータシミュレーションを行い、空孔の堆積率が20%以上あれば十分な通気性が得られるという結果を得た。

In the current year and last year, the results show that the basic level, the size of the market, and the elements of the SOFC are high-performance, high-performance and high-performance. You need to know that you need to know that you have a lot of problems, that is, you need to know that you have a lot of problems, you know, you have a lot of information, you know, you have a lot of advantages, such as, you know, 350Torr, you know, you have a lot of advantages, and you have a lot of advantages, such as you have a lot of advantages, you know, you have a lot of advantages, and so on. The speed of the particles, the velocity of the particles, and so on. For the current year, this year, the domestic market, YSZ, Ni-YSZ, and so on, have been tested. In order to improve the performance of the film, such as the YSZ electrolysis film, the cross-section SEM inspection, the cross-section portrait analysis, the porosity measurement, the open-end electrical measurement, and so on, the performance of the film was improved. The SOFC substrate stack is sensitive to the temperature of the NiO and YSZ, and the speed of the hBN substrate stack is different from that of the NiO and YSZ in the hBN substrate stack, the hBN substrate stack and the YSZ substrate. The results show that the feed speed of each powder must be close, the YSZ stack speed is close, the substrate is close to the temperature, and the NiO stack speed is very close to each other. The results show that the conditions for the formation of the Ni-YSZ film are very clear and the conditions for the formation of the system are very clear. Make it into Ni-YSZ, cross-section SEM, YSZ, Ni, YSZ, Ni, good 3-phase interface. It is necessary to use the method of moving the substrate back to the horizontal direction, and about 30cm ^ 2 at the same time. The thermal performance test, the thermal performance test, the electrical performance test, the thermal performance test, the performance test and the performance test.