耐熱金属上への貴金属被覆による耐食性向上
耐熱金属上への貴金属被覆による耐食性向上
批准号:
08225205
负责人:
後藤 孝
金额:
$1.73万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份:
1996
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1996 至 --
中文摘要
水の熱分解により水素を製造する方法の一つである"UT-3サイクル"では、装置材料が1000K付近の臭素を含む厳しい腐食環境にさらされる。このサイクルの実用化のためには、装置を加工性の優れた金属材料で構成する必要があるが、一般の実用金属材料ではこの過酷な腐食環境に耐えうるものはない。そこで、本研究では、耐食性の優れたPtやIr膜をMOCVD法によりSUS304鋼およびNi基合金(Incone1625、Incoloy825)などの各種耐熱金属材料上に被覆し、それらの耐食性を向上することを試みるとともに、PtとIrの耐食性の違いを調べた。Ptを20μm以上被覆した場合には、いずれの金属材料とも耐食性が向上し、耐食による質量増加は低減した。腐食前後の表面組織の変化もなかった。しかし、Ptは、FeやNiと相互に拡散するため、Ptの膜厚が20μm以下では良好な耐食性を示さなかった。また、表面にCr_2O_3相が認められ、Pt/金属界面付近にはボイドが見られた。Irを被覆した場合にも腐食による質量増加はほとんどなく、表面組織の変化も認められなかった。IrではFeやNiとの相互拡散が起こらないため、Ir/金属界面にボイド等は認められず、Ir膜厚が10μm程度でも十分な耐食性を示した。本研究で用いた3種類の金属材料の中では、Ir膜を被覆したIncone1625が最も優れた耐食性を示した。
英文摘要
水の熱分解により水素を製造する方法の一つである"UT-3サイクル"では、装置材料が1000K付近の臭素を含む厳しい腐食環境にさらされる。このサイクルの実用化のためには、装置を加工性の優れた金属材料で構成する必要があるが、一般の実用金属材料ではこの過酷な腐食環境に耐えうるものはない。そこで、本研究では、耐食性の優れたPtやIr膜をMOCVD法によりSUS304鋼およびNi基合金(Incone1625、Incoloy825)などの各種耐熱金属材料上に被覆し、それらの耐食性を向上することを試みるとともに、PtとIrの耐食性の違いを調べた。Ptを20μm以上被覆した場合には、いずれの金属材料とも耐食性が向上し、耐食による質量増加は低減した。腐食前後の表面組織の変化もなかった。しかし、Ptは、FeやNiと相互に拡散するため、Ptの膜厚が20μm以下では良好な耐食性を示さなかった。また、表面にCr_2O_3相が認められ、Pt/金属界面付近にはボイドが見られた。Irを被覆した場合にも腐食による質量増加はほとんどなく、表面組織の変化も認められなかった。IrではFeやNiとの相互拡散が起こらないため、Ir/金属界面にボイド等は認められず、Ir膜厚が10μm程度でも十分な耐食性を示した。本研究で用いた3種類の金属材料の中では、Ir膜を被覆したIncone1625が最も優れた耐食性を示した。
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T. Narushima, M. Maruyama, H. Arashi, T. Goto, T. Hirai and Y. Iguchi.: "High-temperature Oxidation of CVD Silicon-Based Ceramics" Mass and Charge Transport in Ceramics, Ceramic Transaction. 171. 245-257 (1996)
T. Narushima、M. Maruyama、H. Arashi、T. Goto、T. Hirai 和 Y. Iguchi。:“CVD 硅基陶瓷的高温氧化”陶瓷中的质量和电荷传输,陶瓷交易。
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
T. Narushima, M. Maruyama, H. Arashi, T. Goto, T. Hirai and Y. Iguchi.: "In Situ Observation of Oxide Films Formed during Thermal Oxidation of SiC-B4C Composite Using Raman Spectroscopy" Key Engineering Materials. 113. 99-104 (1995)
T. Narushima、M. Maruyama、H. Arashi、T. Goto、T. Hirai 和 Y. Iguchi.:“利用拉曼光谱对 SiC-B4C 复合材料热氧化过程中形成的氧化膜进行原位观察”关键工程材料。
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
J. R. Vargas, T. Coto and T. Hirai: "Iridium and Platinum (Ir/Pt)" Handbook of Thin Film Technology. X731-X734 (1995)
J. R. Vargas、T. Coto 和 T. Hirai:“铱和铂 (Ir/Pt)”薄膜技术手册。
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
フッ化物透明セラミックスによる新規レーザー材料の開発
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批准号:13F03066
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$1.47万
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财政年份:2013
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负责人:後藤 孝
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依托单位:
レーザー・プラズマハイブリッドCVDによる高配向超電導膜の高速合成
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批准号:11F01375
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$1.28万
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财政年份:2011
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负责人:後藤 孝
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依托单位:
新規回転式CVD法による高活性触媒材料の開発
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批准号:10F00365
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$0.83万
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财政年份:2010
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负责人:後藤 孝
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依托单位:
高生体適合性ハイドロキシアパタイトコーティング気相プロセスによる組織制御
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批准号:08F08370
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$1.28万
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财政年份:2008
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负责人:後藤 孝
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依托单位:
亜酸化ケイ素選択放射膜の傾斜機能化による放射冷却特性の高効率化
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批准号:17656208
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项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
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资助金额:$1.79万
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财政年份:2005
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负责人:後藤 孝
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依托单位:
立方晶炭化ケイ素の電子サイクロトロン共鳴プラズマ酸化によるダイヤモンドの合成
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批准号:12875119
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项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
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资助金额:$1.15万
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财政年份:2000
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负责人:後藤 孝
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依托单位:
熱電変換材料としてのホウ化ケイ素/ホウ化チタンナノコンポジットのCVDによる合成
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批准号:01550543
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$1.15万
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财政年份:1989
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负责人:後藤 孝
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依托单位:
CVD法による超塑性チタン-シリコン-炭素系三元化合物セラミックスの合成
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批准号:62750692
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.58万
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财政年份:1987
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负责人:後藤 孝
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依托单位:
高温強靭性セラミックスの開発
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批准号:60850130
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项目类别:Grant-in-Aid for Developmental Scientific Research
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资助金额:$10.24万
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财政年份:1985
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负责人:後藤 孝
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依托单位:
化学気相析出法によるホウ化ケイ素の合成とその高温機能材料への応用
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批准号:60750690
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.51万
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财政年份:1985
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负责人:後藤 孝
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依托单位:
CVD法により合成したホウ素添加非晶質窒化ケイ素の高温機能材料への応用
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批准号:59750216
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.51万
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财政年份:1984
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负责人:後藤 孝
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依托单位:
化学気相析出法により合成した非晶質Si_3N_4-C複合材料のIC被覆としての応用
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批准号:57750233
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.48万
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财政年份:1982
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负责人:後藤 孝
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依托单位:
高温金属材料上への炭化ケイ素被覆における熱膨張緩和層の形成
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批准号:56750512
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.51万
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财政年份:1981
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负责人:後藤 孝
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依托单位:
海外基金