高温強靭性セラミックスの開発
高温強靭性セラミックスの開発
批准号:
60850130
负责人:
後藤 孝
金额:
$10.24万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Developmental Scientific Research
财政年份:
1985
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1985 至 1987
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本研究に関する昭和61年度の研究実績は以下の通りである。1.【Al_2】【O_3】に【ZrO_2】とSiCウィスカーを分散させることによって、【Al_2】【O_3】の強度を450MPaから1350MPaへ、破壊靭性を3.5から11.5MN/【m^(3/2)】へと、それぞれ3倍以上、また熱衝撃抵抗を約200℃以上も向上させることに成功した。さらに、【Al_2】【O_3】の強度減少が起る温度を800℃から1200℃へと約400℃も改善した。以上の改善された特性はセラミックスエンジン材料として実用化されようとしている【Si_3】【N_4】やSiCを越えるものであり、したがって、本研究によって、製造コストの低い酸化物セラミックスを高温構造材料として実用化する道が拓かれたと考えられる。2、ポリシマザシを出発原料として、非晶質のSi-C-N粉末プレカーサーを合成し、それを焼結させることによって、【Si_3】【N_4】にSiCを均一に分散させた複合体を製造することに成功した。この方法により世界で始めて、SiCを分散させることにより【Si_3】【N_4】の強度と靭性を同時に改善することに成功した。3、CVD法を駆使して、SiCの結晶粉内に積層欠陥を導入することにより、SiCの破壊靭性を3.5から7.5MN/【m^(3/2)】へと2倍以上も向上させることに成功した。これによって1600℃の高温まで靭性と強度の減少しないSiCを製造する道が拓けた。4、サブミクロンのSiCに、ポリシラスチレンを約10wt%添加して、1500〜1750℃の低温で焼結させることにより、金属材料と全く同じように機械加工可能な高純度SiCの製造に成功した。このSiCの機械加工性は、ポリシラスチレンから生じた数nmの非晶質のSiCが、サブミクロンのSiC粒間に分散することによって生じることが判明した。なを、このSiCは高純度である為に、高温(1500℃)になっても強度の低下が生じない理想的な材料であることも分った。
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窯業協会誌. 94-1. (1986)
陶瓷协会杂志。94-1。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
新原晧一: セラミックス. 21. 598-604 (1986)
新原浩一:陶瓷 21. 598-604 (1986)
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
T.Goto: Material Research Bulletin.
T.Goto:材料研究通报。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
内山哲夫: 窯業協会誌. 94. 756-760 (1986)
内山哲夫:陶瓷协会杂志 94. 756-760 (1986)。
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
共 12 条
フッ化物透明セラミックスによる新規レーザー材料の開発
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批准号:13F03066
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$1.47万
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财政年份:2013
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负责人:後藤 孝
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依托单位:
レーザー・プラズマハイブリッドCVDによる高配向超電導膜の高速合成
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批准号:11F01375
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$1.28万
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财政年份:2011
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负责人:後藤 孝
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依托单位:
新規回転式CVD法による高活性触媒材料の開発
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批准号:10F00365
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$0.83万
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财政年份:2010
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负责人:後藤 孝
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依托单位:
高生体適合性ハイドロキシアパタイトコーティング気相プロセスによる組織制御
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批准号:08F08370
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$1.28万
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财政年份:2008
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负责人:後藤 孝
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依托单位:
亜酸化ケイ素選択放射膜の傾斜機能化による放射冷却特性の高効率化
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批准号:17656208
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项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
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资助金额:$1.79万
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财政年份:2005
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负责人:後藤 孝
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依托单位:
立方晶炭化ケイ素の電子サイクロトロン共鳴プラズマ酸化によるダイヤモンドの合成
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批准号:12875119
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项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
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资助金额:$1.15万
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财政年份:2000
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负责人:後藤 孝
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依托单位:
耐熱金属上への貴金属被覆による耐食性向上
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批准号:08225205
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.73万
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财政年份:1996
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负责人:後藤 孝
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依托单位:
熱電変換材料としてのホウ化ケイ素/ホウ化チタンナノコンポジットのCVDによる合成
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批准号:01550543
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$1.15万
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财政年份:1989
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负责人:後藤 孝
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依托单位:
CVD法による超塑性チタン-シリコン-炭素系三元化合物セラミックスの合成
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批准号:62750692
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.58万
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财政年份:1987
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负责人:後藤 孝
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依托单位:
化学気相析出法によるホウ化ケイ素の合成とその高温機能材料への応用
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批准号:60750690
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.51万
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财政年份:1985
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负责人:後藤 孝
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依托单位:
CVD法により合成したホウ素添加非晶質窒化ケイ素の高温機能材料への応用
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批准号:59750216
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.51万
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财政年份:1984
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负责人:後藤 孝
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依托单位:
化学気相析出法により合成した非晶質Si_3N_4-C複合材料のIC被覆としての応用
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批准号:57750233
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.48万
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财政年份:1982
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负责人:後藤 孝
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依托单位:
高温金属材料上への炭化ケイ素被覆における熱膨張緩和層の形成
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批准号:56750512
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.51万
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财政年份:1981
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负责人:後藤 孝
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依托单位: