熱電変換材料としてのホウ化ケイ素/ホウ化チタンナノコンポジットのCVDによる合成
熱電変換材料としてのホウ化ケイ素/ホウ化チタンナノコンポジットのCVDによる合成
批准号:
01550543
负责人:
後藤 孝
金额:
$1.15万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
财政年份:
1989
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1989 至 --
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ホウ化ケイの中でSiB_6は、熱起動力が大きい、熱伝導度が小さい、耐酸化性に優れるなどの特長を有することから、高温熱変換材料として期待される。しかし、SiB_6は直流電気伝導度が小さいため、現在必ずしも十分な性能には達していない。そこで、TiB_2やSiB_4などの導電性の高い材料をSiB_6に複合化する必要がある。また、複合化する材料の分散相の大きさをナノメ-タ程度の大きさに分散したいわゆるナノコンポジットを合成することにより、熱伝導が界面で散乱されることから、熱伝導度が著しく低下することが予想される。そこで、本研究ではナノ構造制御に最も有望と考えられるCVDによりSiB_6+SiB_4およびSiB_6+TiB_2ナノコンポジットの合成を試み、それらの熱電特性を調べ、高性能高温熱電変換材料を開発することを目的とした。原料には、SiCI_4B_2、B_2H_6、TiCI_4およびH_2ガスを用い、直接通電により加熱した黒鉛基板上に種々のナノコンポジットを合成した。SiB_6+SiB_4ナノコンポジットは、合成温度(Tdep)1573K、炉内全圧力(Ptot)4KPa,BISi原料ガス比(m_B/_<si>)0.8〜2.8のCVD条件で得られた。SiB_4の複合化によって熱伝導度は低下し、電気伝導度は上昇し、ゼ-ベック係数はほとんど変化しなかったことから、性能係数は約1000K以上で著しく増大した。このSiB_6+SiB_4ナノコンポジットは新しい高温熱電材料として有望であることは明らかになった。SiB_6+TiB_2ナノコンポジットはTdep=1673〜1773K、Ptot=4KPa、Si/Ti原料ガス比(m_<si>/_<Ti>)10.3のCVD条件で得られた。TiB_2の複合化によって、熱伝導度の低下を電気伝導度の上昇が著しく、高温導電性断熱材料として有望であることがわかった。しかし、TiB_2を6wt%以上複合化することゼ-ベック係数が著しく低下するため、この材料を熱電材料として応用するためには、より詳細にTiB_2含有量とゼ-ベック係数の関係を調べる必要がある。
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M.Mukaida,T.Goto,T.Hirai: "Morphology and deposition rates of TiB_2 prepared by chemical vapour deposition of TiCl_4+B_2H_6 System" Journal of Materials Science. 25. 1069-1075 (1990)
M.Mukaida,T.Goto,T.Hirai:“TiCl_4 B_2H_6 系统化学气相沉积制备的 TiB_2 的形貌和沉积速率”材料科学杂志。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
M.Mukaida,T.Goto,T.Hirai: "Preferred orientation of TiB_2 plates prepared by chemical vapour deposition of TiCl_4+B_2H_6 system" Journal of Materials Science.
M.Mukaida,T.Goto,T.Hirai:“TiCl_4 B_2H_6 体系化学气相沉积制备的 TiB_2 板的择优取向”材料科学杂志。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
T.Goto,M.Mukaida,T.Hirai: "Chemical vapor deposition of silicon borides" MRS Symposia Proceedings “Chemical vapor deposition".
T.Goto、M.Mukaida、T.Hirai:“硼化硅的化学气相沉积”MRS 研讨会论文集“化学气相沉积”。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
M.Mukaida,T.Goto,T.Hirai: "Preparation of SiB_<4±×> and SiB_6 plates by chemical vapor deposition of SiCl_4+B_2H_6 system" Journal of Materials Science.
M.Mukaida、T.Goto、T.Hirai:“SiCl_4+B_2H_6 体系化学气相沉积法制备 SiB_<4±×> 和 SiB_6 板”材料科学杂志。
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
フッ化物透明セラミックスによる新規レーザー材料の開発
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批准号:13F03066
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$1.47万
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财政年份:2013
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负责人:後藤 孝
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依托单位:
レーザー・プラズマハイブリッドCVDによる高配向超電導膜の高速合成
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批准号:11F01375
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$1.28万
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财政年份:2011
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负责人:後藤 孝
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依托单位:
新規回転式CVD法による高活性触媒材料の開発
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批准号:10F00365
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$0.83万
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财政年份:2010
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负责人:後藤 孝
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依托单位:
高生体適合性ハイドロキシアパタイトコーティング気相プロセスによる組織制御
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批准号:08F08370
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$1.28万
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财政年份:2008
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负责人:後藤 孝
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依托单位:
亜酸化ケイ素選択放射膜の傾斜機能化による放射冷却特性の高効率化
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批准号:17656208
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项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
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资助金额:$1.79万
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财政年份:2005
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负责人:後藤 孝
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依托单位:
立方晶炭化ケイ素の電子サイクロトロン共鳴プラズマ酸化によるダイヤモンドの合成
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批准号:12875119
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项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
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资助金额:$1.15万
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财政年份:2000
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负责人:後藤 孝
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依托单位:
耐熱金属上への貴金属被覆による耐食性向上
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批准号:08225205
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.73万
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财政年份:1996
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负责人:後藤 孝
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依托单位:
CVD法による超塑性チタン-シリコン-炭素系三元化合物セラミックスの合成
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批准号:62750692
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.58万
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财政年份:1987
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负责人:後藤 孝
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依托单位:
高温強靭性セラミックスの開発
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批准号:60850130
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项目类别:Grant-in-Aid for Developmental Scientific Research
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资助金额:$10.24万
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财政年份:1985
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负责人:後藤 孝
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依托单位:
化学気相析出法によるホウ化ケイ素の合成とその高温機能材料への応用
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批准号:60750690
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.51万
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财政年份:1985
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负责人:後藤 孝
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依托单位:
CVD法により合成したホウ素添加非晶質窒化ケイ素の高温機能材料への応用
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批准号:59750216
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.51万
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财政年份:1984
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负责人:後藤 孝
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依托单位:
化学気相析出法により合成した非晶質Si_3N_4-C複合材料のIC被覆としての応用
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批准号:57750233
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.48万
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财政年份:1982
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负责人:後藤 孝
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依托单位:
高温金属材料上への炭化ケイ素被覆における熱膨張緩和層の形成
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批准号:56750512
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.51万
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财政年份:1981
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负责人:後藤 孝
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依托单位:
海外基金