高生体適合性ハイドロキシアパタイトコーティング気相プロセスによる組織制御
高生体適合性ハイドロキシアパタイトコーティング気相プロセスによる組織制御
批准号:
08F08370
负责人:
後藤 孝
金额:
$1.28万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
财政年份:
2008
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2008 至 2010
中文摘要
TiおよびTi合金インプラント上にリン酸カルシウムなどのセラミックス膜を被覆することにより、周囲の骨組織の形成が促進され、生体適合性の向上が期待される。そこで、本研究では、有機金属化学気相析出(CVD)を用いCa(dpm)2、(C_6H_5O)_3POおよびSi(OC_2H_5)_4(TEOS)有機金属錯体により、Ca-P-O系およびCa-Si-O系膜を合成した。α-TCP膜の表面構造は,原料過飽和度に依存し、ファセット面からカリフラワー状組織へと変化した。また,断面構造はよく発達した柱状晶であった。α-TCP膜の配向は,(290)および(400)に強く配向した膜が得られた。一方、HAp膜の表面構造は粒状結晶であり,断面は緻密構造であった。得られたHAp膜は(300)および(002)に強く配向した。ハンクス溶液中への浸漬実験では、α-TCP膜は高い結晶化度および比較的なめらかな粒子表面の影響を受け、浸漬7日後においてもアパタイト形成は観察されなかった。一方、(300)配向したHAp膜は浸漬24時間後、(002)配向したHAp膜は浸漬6時間後でそれぞれ表面全体が粒状のアパタイトで覆われた。アパタイトの形成は膜の窪みで優先的に起こり、浸漬期間の増加とともに球状から緻密な層状へと変化した。T_<sub>=1223-1323K、R_<Si/Ca>=18では、CaSiO_3およびCa_3SiO_5の混相膜が得られた。いずれの組成においても緻密な微細構造を示した。ハンクス溶液中での浸漬試験により、1日後粒状のアパタイトの前駆体が検出され、7日後β-Ca_2SiO_4単相膜の表面全体が新たに生成したアパタイトにより被覆された。このアパタイトにはCO_3^<2->がFT-IRにより検出され、針状組織を持つポーラス構造であった。アパタイトの形成速度は、CVD法により作製したHAp膜(6時間)より低いが、CVDCaTiO_3膜およびα-TCP膜より高かった。
英文摘要
TiおよびTi合金インプラント上にリン酸カルシウムなどのセラミックス膜を被覆することにより、周囲の骨組織の形成が促進され、生体適合性の向上が期待される。そこで、本研究では、有機金属化学気相析出(CVD)を用いCa(dpm)2、(C_6H_5O)_3POおよびSi(OC_2H_5)_4(TEOS)有機金属錯体により、Ca-P-O系およびCa-Si-O系膜を合成した。α-TCP膜の表面構造は,原料過飽和度に依存し、ファセット面からカリフラワー状組織へと変化した。また,断面構造はよく発達した柱状晶であった。α-TCP膜の配向は,(290)および(400)に強く配向した膜が得られた。一方、HAp膜の表面構造は粒状結晶であり,断面は緻密構造であった。得られたHAp膜は(300)および(002)に強く配向した。ハンクス溶液中への浸漬実験では、α-TCP膜は高い結晶化度および比較的なめらかな粒子表面の影響を受け、浸漬7日後においてもアパタイト形成は観察されなかった。一方、(300)配向したHAp膜は浸漬24時間後、(002)配向したHAp膜は浸漬6時間後でそれぞれ表面全体が粒状のアパタイトで覆われた。アパタイトの形成は膜の窪みで優先的に起こり、浸漬期間の増加とともに球状から緻密な層状へと変化した。T_<sub>=1223-1323K、R_<Si/Ca>=18では、CaSiO_3およびCa_3SiO_5の混相膜が得られた。いずれの組成においても緻密な微細構造を示した。ハンクス溶液中での浸漬試験により、1日後粒状のアパタイトの前駆体が検出され、7日後β-Ca_2SiO_4単相膜の表面全体が新たに生成したアパタイトにより被覆された。このアパタイトにはCO_3^<2->がFT-IRにより検出され、針状組織を持つポーラス構造であった。アパタイトの形成速度は、CVD法により作製したHAp膜(6時間)より低いが、CVDCaTiO_3膜およびα-TCP膜より高かった。
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Apatite Formation in Hanks' Solution on Dicalcium Silicate Films Prepared by Chemical VaporDepostion
化学气相沉积硅酸二钙薄膜上 Hanks 溶液中磷灰石的形成
DOI:
--
发表时间:
2010
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Nath Shekhar, Tu Rong, Goto Takashi]
通讯作者:
Goto Takashi
MOCVD法により合成したCa_2SiO_4膜のハンクス溶液中でのアパタイト形成挙動
MOCVD法合成Ca_2SiO_4薄膜在Hanks溶液中磷灰石形成行为
DOI:
--
发表时间:
2009
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Shekhar Nath、塗溶, 後藤孝]
通讯作者:
後藤孝
Ti-29Nb-13Ta-4.6Zr合金へのMOCVD法によるリン酸カルシウム膜合成と生体適合性評価
Ti-29Nb-13Ta-4.6Zr合金磷酸钙膜的MOCVD合成及生物相容性评价
DOI:
--
发表时间:
2009
期刊:
影响因子:
--
作者:
[堤晴美, 新家光雄, 赤堀俊和, 仲井正昭, 斉藤壱実, 小川道治]
通讯作者:
小川道治
Preparation of calcium silicate films by MOCVD
MOCVD法制备硅酸钙薄膜
DOI:
--
发表时间:
2009
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Shekhar Nath, Rong Tu, Takashi Goto]
通讯作者:
Takashi Goto
Preparation of Ca–Si–O films by chemical vapor deposition
化学气相沉积法制备Ca-Si-O薄膜
DOI:
10.1016/j.surfcoat.2010.10.024
发表时间:
2010
期刊:
Surface & Coatings Technology
影响因子:
5.4
作者:
[S. Nath, R. Tu, T. Goto]
通讯作者:
T. Goto
共 13 条
フッ化物透明セラミックスによる新規レーザー材料の開発
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批准号:13F03066
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$1.47万
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财政年份:2013
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负责人:後藤 孝
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依托单位:
レーザー・プラズマハイブリッドCVDによる高配向超電導膜の高速合成
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批准号:11F01375
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$1.28万
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财政年份:2011
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负责人:後藤 孝
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依托单位:
新規回転式CVD法による高活性触媒材料の開発
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批准号:10F00365
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$0.83万
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财政年份:2010
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负责人:後藤 孝
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依托单位:
亜酸化ケイ素選択放射膜の傾斜機能化による放射冷却特性の高効率化
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批准号:17656208
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项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
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资助金额:$1.79万
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财政年份:2005
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负责人:後藤 孝
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依托单位:
立方晶炭化ケイ素の電子サイクロトロン共鳴プラズマ酸化によるダイヤモンドの合成
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批准号:12875119
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项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
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资助金额:$1.15万
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财政年份:2000
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负责人:後藤 孝
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依托单位:
耐熱金属上への貴金属被覆による耐食性向上
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批准号:08225205
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.73万
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财政年份:1996
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负责人:後藤 孝
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依托单位:
熱電変換材料としてのホウ化ケイ素/ホウ化チタンナノコンポジットのCVDによる合成
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批准号:01550543
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$1.15万
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财政年份:1989
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负责人:後藤 孝
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依托单位:
CVD法による超塑性チタン-シリコン-炭素系三元化合物セラミックスの合成
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批准号:62750692
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.58万
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财政年份:1987
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负责人:後藤 孝
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依托单位:
高温強靭性セラミックスの開発
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批准号:60850130
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项目类别:Grant-in-Aid for Developmental Scientific Research
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资助金额:$10.24万
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财政年份:1985
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负责人:後藤 孝
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依托单位:
化学気相析出法によるホウ化ケイ素の合成とその高温機能材料への応用
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批准号:60750690
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.51万
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财政年份:1985
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负责人:後藤 孝
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依托单位:
CVD法により合成したホウ素添加非晶質窒化ケイ素の高温機能材料への応用
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批准号:59750216
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.51万
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财政年份:1984
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负责人:後藤 孝
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依托单位:
化学気相析出法により合成した非晶質Si_3N_4-C複合材料のIC被覆としての応用
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批准号:57750233
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.48万
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财政年份:1982
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负责人:後藤 孝
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依托单位:
高温金属材料上への炭化ケイ素被覆における熱膨張緩和層の形成
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批准号:56750512
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.51万
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财政年份:1981
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负责人:後藤 孝
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依托单位:
海外基金