亜酸化ケイ素選択放射膜の傾斜機能化による放射冷却特性の高効率化
亜酸化ケイ素選択放射膜の傾斜機能化による放射冷却特性の高効率化
批准号:
17656208
负责人:
後藤 孝
金额:
$1.79万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Exploratory Research
财政年份:
2005
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2005 至 2006
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本年度は、まず、亜酸化ケイ素(SiO)ターゲットを用いたRFスパッタリング法で作製したSiO_x膜の傾斜機能(FGM)化による選択放射特性の最適化を行った。さらに、SiOおよびSiCターゲットを用いてSi-O-Cナノコンポジット膜を作製し、得られた膜の成膜条件と、成膜速度、組成、構造および光学特性の評価を行い、研究を総括した。[SiO_x膜のFGM化による選択放射特性の最適化]雰囲気ガス中の酸素量を連続的に変化させることにより、組成の異なるSiO_x膜を作製した。xが0.98から1.70に変化するにつれて、赤外吸収のピーク位置は9.8から9,5μmに変化した。組成xを連続的に変化(FGM化)させたSiO_x積層膜を作製することにより、幅広い吸収スペクトルを有する選択放射膜が得られた。単層のSiO<0.98>膜では10μm付近に1つの鋭いピークがあるだけであるが、FGMSiO_x膜では「大気の窓」の範囲に対応する8-13μmの広帯域の吸収ピークが見られた。FGM化により高性能の選択放射膜が得られることを明らかにした。[Si-O-Cナノコンポジット膜の作製とPL発光]SiO/SiC比が1.5〜5.0の膜を作製した。SiO/SiC比の増加にともない屈折率は2.09〜1.73、バンドギャップは2.30〜1.91eV、誘電率は5.6〜3.5の範囲で変化した。得られた薄膜中の炭素の大半はシリコンと結合していることがわかった。得られた900〜1100℃の範囲で熱処理することによりSi_5C_3ナノ結晶が分散したナノコンポジット膜が得られた。1100℃以上で熱処理を施した試料からは、蛍光分光測定により微弱な発光が確認された。本申請の研究により、SiO,膜のFGM化による選択放射膜の高性能化達成した。さらにSi-O-Cナノコンポジット膜がPL発光特性を有することを明らかにした。
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マグネトロンスパッタリング法により作製した傾斜機能亜酸化ケイ素膜の放射冷却特性
磁控溅射法制备功能梯度低氧化硅薄膜的辐射冷却性能
DOI:
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发表时间:
2005
期刊:
粉体および粉末冶金 52・11
影响因子:
--
作者:
[後藤 孝, 宮崎英敏, 増本 博]
通讯作者:
増本 博
SiO_x films prepared using RF magnetron sputtering with a SiO target
采用射频磁控溅射 SiO 靶材制备 SiO_x 薄膜
DOI:
--
发表时间:
2006
期刊:
J. Non-Cryst. Solids 352・4
影响因子:
--
作者:
[H.Miyazaki, T.Goto]
通讯作者:
T.Goto
シリコン亜酸化物(SiOx)膜のFGM化による放射冷却特性の向上
通过低氧化硅 (SiOx) 膜的 FGM 改善辐射冷却特性
DOI:
--
发表时间:
2005
期刊:
2004年度傾斜機能材料論文集
影响因子:
--
作者:
[B.-P.Zhang, L.-S.Jiao, H.Masumoto, T.Goto, 後藤 孝]
通讯作者:
後藤 孝
Plasma sputtering and opticla properties of Au/SiO2 nano-composite films
Au/SiO2纳米复合薄膜的等离子体溅射及其光学性能
DOI:
--
发表时间:
2005
期刊:
Mater.Sci.Forum 475-479
影响因子:
--
作者:
[B.-P.Zhang, L.-S.Jiao, H.Masumoto, T.Goto]
通讯作者:
T.Goto
フッ化物透明セラミックスによる新規レーザー材料の開発
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批准号:13F03066
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$1.47万
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财政年份:2013
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负责人:後藤 孝
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依托单位:
レーザー・プラズマハイブリッドCVDによる高配向超電導膜の高速合成
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批准号:11F01375
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$1.28万
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财政年份:2011
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负责人:後藤 孝
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依托单位:
新規回転式CVD法による高活性触媒材料の開発
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批准号:10F00365
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$0.83万
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财政年份:2010
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负责人:後藤 孝
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依托单位:
高生体適合性ハイドロキシアパタイトコーティング気相プロセスによる組織制御
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批准号:08F08370
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$1.28万
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财政年份:2008
-
负责人:後藤 孝
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依托单位:
立方晶炭化ケイ素の電子サイクロトロン共鳴プラズマ酸化によるダイヤモンドの合成
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批准号:12875119
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项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
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资助金额:$1.15万
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财政年份:2000
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负责人:後藤 孝
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依托单位:
耐熱金属上への貴金属被覆による耐食性向上
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批准号:08225205
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.73万
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财政年份:1996
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负责人:後藤 孝
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依托单位:
熱電変換材料としてのホウ化ケイ素/ホウ化チタンナノコンポジットのCVDによる合成
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批准号:01550543
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$1.15万
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财政年份:1989
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负责人:後藤 孝
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依托单位:
CVD法による超塑性チタン-シリコン-炭素系三元化合物セラミックスの合成
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批准号:62750692
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.58万
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财政年份:1987
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负责人:後藤 孝
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依托单位:
高温強靭性セラミックスの開発
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批准号:60850130
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项目类别:Grant-in-Aid for Developmental Scientific Research
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资助金额:$10.24万
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财政年份:1985
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负责人:後藤 孝
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依托单位:
化学気相析出法によるホウ化ケイ素の合成とその高温機能材料への応用
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批准号:60750690
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.51万
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财政年份:1985
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负责人:後藤 孝
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依托单位:
CVD法により合成したホウ素添加非晶質窒化ケイ素の高温機能材料への応用
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批准号:59750216
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.51万
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财政年份:1984
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负责人:後藤 孝
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依托单位:
化学気相析出法により合成した非晶質Si_3N_4-C複合材料のIC被覆としての応用
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批准号:57750233
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.48万
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财政年份:1982
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负责人:後藤 孝
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依托单位:
高温金属材料上への炭化ケイ素被覆における熱膨張緩和層の形成
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批准号:56750512
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.51万
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财政年份:1981
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负责人:後藤 孝
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依托单位: