ナノ微粒子-液晶性有機半導体複合系材料の光電物性
ナノ微粒子-液晶性有機半導体複合系材料の光電物性
批准号:
17029016
负责人:
半那 純一
金额:
$2.88万
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份:
2005
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2005 至 2006
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液晶の分子配向の異方性と電荷輸送特性の評価前年度、確立したITO/TiO_2/Biphenyl系液晶/Alセルの作製を利用して、材料のBulkによる光吸収を利用したTime-of-flight法による電荷輸送特性の評価では従来困難であった液晶分子の垂直、および、水平配向の違いによる電荷輸送特性の異方性について、TiO_2から液晶相への電荷注入を利用してTime-of-flight法により検討を行なった。測定には、異なる分子長を持つBiphenyl誘導体を液晶分子に選び、液晶分子が基板に対して、水平、および、垂直に配向したITO/TiO_2/液晶物質/Alセルを作製しTOF法による過渡光電流を測定して、その輸送過程を評価した。その結果、分子長が長いBiphenyl液晶では測定可能な時間領域(数mm厚のセルで10^5V/cmの電界強度で100ms)では、過渡光電流の波形には正孔の走行を示す肩は現れず、移動度は10^<-7>cm^2/Vs以下と見積もられた。一方、分子長の小さいbiphenyl液晶では、等方(液)相でイオン伝導によると考えられる1×10^<-4>cm^2/Vsの移動度が観測され、SmB相、SmE相では、移動度はそれぞれ4×10^<-6>cm^2/Vs、1×10^<-6>cm^2/Vsと見積もられた。このSm相での移動度は、等方相に比べ2桁小さく、共に電場依存性が見られ、かつ、分子長に依存した。この結果から、伝導は、正孔による電子性伝導であると結論した。Sm層内での正孔の移動に対応する水平配向セルの移動度はSmB相、SmE相で4×10^<-3>cm^2/Vs、10^<-3>cm^2/Vsで、この移動度の違いは各配向の違いによる分子間距離の違いに対応し、異方性比は二つの配向における分子間距離から予想されるHopping伝導による移動度の違いと良い対応が見られる事を明らかにした。
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液晶性有機半導体における電極/液晶界面における電荷注入
液晶有机半导体中电极/液晶界面的电荷注入
DOI:
--
发表时间:
2006
期刊:
日本写真学会誌 69
影响因子:
--
作者:
[H.Iino, J.Hanna, R.J.Bushby, B.Movaghar, B.J.Whitaker, 半那純一]
通讯作者:
半那純一
有機エレクトロにクスにおける分子配向技術
有机电子学中的分子取向技术
DOI:
--
发表时间:
2007
期刊:
影响因子:
--
作者:
[戸田 徹, 竹内知生, 半那純一, 谷 忠昭, 半那純一]
通讯作者:
半那純一
DOI:
--
发表时间:
2005
期刊:
Opto-Electronics Review 13
影响因子:
--
作者:
[H.Iino, J.Hanna, R.J.Bushby, B.Movaghar, B.J.Whitaker, 半那純一, J.Hanna]
通讯作者:
J.Hanna
液晶性有機半導体/電極界面の電気特性と電子構造の研究
液晶有机半导体/电极界面电学性质和电子结构研究
DOI:
--
发表时间:
2005
期刊:
日本写真学会誌 68
影响因子:
--
作者:
[戸田 徹, 竹内知生, 半那純一, 谷 忠昭]
通讯作者:
谷 忠昭
DOI:
10.1063/1.2219692
发表时间:
2006-08-15
期刊:
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
影响因子:
3.2
作者:
[Iino, Hiroaki, Hanna, Jun-ichi, Whitaker, Benjamin J.]
通讯作者:
Whitaker, Benjamin J.
共 7 条
分子凝集相における電子・イオン伝導チャネルの形成と制御
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批准号:19017006
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$3.07万
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财政年份:2007
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负责人:半那 純一
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依托单位:
分子凝集層による電子・イオン伝導チャネルの形成と制御
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批准号:17041003
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$3.71万
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财政年份:2005
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负责人:半那 純一
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依托单位:
外場による高速の機能応答性を有する有機半導体材料の創製
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批准号:14655317
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项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
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资助金额:$1.6万
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财政年份:2002
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负责人:半那 純一
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依托单位:
Si,Ge化合物の酸化還元反応を利用する結晶質半導体薄膜の低温堆積
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批准号:11120213
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
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资助金额:$1.28万
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财政年份:1999
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负责人:半那 純一
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依托单位:
Si,Ge化合物の酸化還元反応を利用する結晶質半導体薄膜の低温堆積
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批准号:10133212
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
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资助金额:$1.28万
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财政年份:1998
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负责人:半那 純一
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依托单位:
分子傾斜配向を有する光伝導性液晶材料の光電特性
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批准号:10123209
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
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资助金额:$1.15万
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财政年份:1998
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负责人:半那 純一
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依托单位:
Si,Ge化合物の酸化還元反応を利用する結晶質半導体薄膜の低温堆積
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批准号:09239213
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.28万
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财政年份:1997
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负责人:半那 純一
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依托单位:
分子性傾斜配向を有する光伝導性液晶材料の光電特性
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批准号:09229223
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$0.96万
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财政年份:1997
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负责人:半那 純一
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依托单位:
フッ素系反応性プラズマによる結晶質Si薄膜の低温成長
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批准号:04650260
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$0.9万
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财政年份:1992
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负责人:半那 純一
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依托单位:
自発的気相酸化反応を利用する半導体薄膜材料の作製
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批准号:04205042
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.6万
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财政年份:1992
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负责人:半那 純一
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依托单位:
自発的気相酸化反応を利用する半導体薄膜材料の作製
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批准号:03205040
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.41万
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财政年份:1991
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负责人:半那 純一
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依托单位:
自発的気相酸化反応を利用する半導体薄膜材料の作製
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批准号:02205043
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.66万
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财政年份:1990
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负责人:半那 純一
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依托单位:
弗素系Si膜の低温結晶化の基礎過程
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批准号:63550009
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$0.9万
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财政年份:1988
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负责人:半那 純一
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依托单位:
海外基金