分子凝集相における電子・イオン伝導チャネルの形成と制御
分子凝集相における電子・イオン伝導チャネルの形成と制御
批准号:
19017006
负责人:
半那 純一
金额:
$3.07万
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份:
2007
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2007 至 2008
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英文摘要
棒状液晶物質をモデルとして、ポリアニリンによるドーピングによる電子伝導、及び、イオン液体によるいイオン伝導のバルクキャリア濃度の制御、及び、それを利用した液晶物質を半導体層とするTFT特性の改善について検討した。ポリアニリンを所定量ドープした8-TTP-8の低電界下での電流特性は、その濃度に依存して増加し、増大し、最大4桁(1wt%時)増大が見られた。一方、ポリアニリンのHOMO準位よりもホールに対してエネルギー的に高いHOMO準位を持つNaphthalene系液晶8-PNP-012ではこの現象は観測できなかった。さらに、ドープされた試料のtime-of-flight法による過渡光電流の測定から、濃度によらず移動度は未ドープの試料と変わらないことから、ポリアニリンは液晶中では液晶分子が形成するスメクティック層の層間に存在しているものと考えられた。8-TTP-8の多結晶薄膜を有機半導体層として作製したボトムゲートFETの素子特性は未ドープのFETの特性に比べ、on電流、及び、ゲート電圧に対する電流の立ち上がりの改善が見られ、移動度は約2倍の0.2cm^2/Vsまで改善された。イオン液体によってドープした8-TTP-8の液晶相ではイオン液体の種類による伝導度の違いはあるものの、いずれの場合も濃度に依存して伝導度の上昇が観測され、結晶相では高濃度ドープした試料を除いてその濃度に係わらず、未ドープ試料の示す伝導度との違いが見られなかった。この特性は、8-PNP-012の場合も基本的に同じ結果を与えた。これらの結果は、ドープされたイオン液体が液晶物質の中で解離し、イオンとして伝導に寄与していることを示している。イオン液体の種類による伝導度の違いは液晶物質中におけるイオン液体の解離の違いによると考えられた。
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液晶の凝集性を反映したディスオーダーを有するホッピング伝導機構のモデル化と解明
反映液晶内聚性的无序跳跃传输机制的建模和阐明
DOI:
--
发表时间:
2008
期刊:
影响因子:
--
作者:
[大野玲, 半那純一]
通讯作者:
半那純一
Fabrication of polycrystalline thin films of liquid crystalline materials by solution process and its application to OFETs
溶液法制备液晶材料多晶薄膜及其在 OFET 中的应用
DOI:
--
发表时间:
2008
期刊:
影响因子:
--
作者:
[飯野裕明, 半那純一]
通讯作者:
半那純一
DOI:
10.1063/1.2794709
发表时间:
2007-10
期刊:
Journal of Applied Physics
影响因子:
3.2
作者:
[A. Ohno;Akihide Haruyama;K. Kurotaki;J. Hanna]
通讯作者:
A. Ohno;Akihide Haruyama;K. Kurotaki;J. Hanna
ダイマー構造を有するBiphenyl液晶の電荷輸送特性
二聚体结构联苯液晶的电荷传输特性
DOI:
--
发表时间:
2008
期刊:
影响因子:
--
作者:
[呉, 臼井, 半那]
通讯作者:
半那
Enhanced Conduction in Smectic Liquid Crystals by Charge Doping
通过电荷掺杂增强近晶液晶的导电性
DOI:
--
发表时间:
2008
期刊:
影响因子:
--
作者:
[S. Konishi, H. lino, and J. Hanna]
通讯作者:
and J. Hanna
共 68 条
分子凝集層による電子・イオン伝導チャネルの形成と制御
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批准号:17041003
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$3.71万
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财政年份:2005
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负责人:半那 純一
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依托单位:
ナノ微粒子-液晶性有機半導体複合系材料の光電物性
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批准号:17029016
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$2.88万
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财政年份:2005
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负责人:半那 純一
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依托单位:
外場による高速の機能応答性を有する有機半導体材料の創製
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批准号:14655317
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项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
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资助金额:$1.6万
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财政年份:2002
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负责人:半那 純一
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依托单位:
Si,Ge化合物の酸化還元反応を利用する結晶質半導体薄膜の低温堆積
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批准号:11120213
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
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资助金额:$1.28万
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财政年份:1999
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负责人:半那 純一
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依托单位:
Si,Ge化合物の酸化還元反応を利用する結晶質半導体薄膜の低温堆積
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批准号:10133212
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
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资助金额:$1.28万
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财政年份:1998
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负责人:半那 純一
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依托单位:
分子傾斜配向を有する光伝導性液晶材料の光電特性
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批准号:10123209
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
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资助金额:$1.15万
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财政年份:1998
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负责人:半那 純一
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依托单位:
Si,Ge化合物の酸化還元反応を利用する結晶質半導体薄膜の低温堆積
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批准号:09239213
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.28万
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财政年份:1997
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负责人:半那 純一
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依托单位:
分子性傾斜配向を有する光伝導性液晶材料の光電特性
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批准号:09229223
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$0.96万
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财政年份:1997
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负责人:半那 純一
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依托单位:
フッ素系反応性プラズマによる結晶質Si薄膜の低温成長
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批准号:04650260
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$0.9万
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财政年份:1992
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负责人:半那 純一
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依托单位:
自発的気相酸化反応を利用する半導体薄膜材料の作製
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批准号:04205042
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.6万
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财政年份:1992
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负责人:半那 純一
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依托单位:
自発的気相酸化反応を利用する半導体薄膜材料の作製
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批准号:03205040
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.41万
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财政年份:1991
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负责人:半那 純一
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依托单位:
自発的気相酸化反応を利用する半導体薄膜材料の作製
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批准号:02205043
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.66万
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财政年份:1990
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负责人:半那 純一
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依托单位:
弗素系Si膜の低温結晶化の基礎過程
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批准号:63550009
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$0.9万
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财政年份:1988
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负责人:半那 純一
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依托单位:
海外基金