课题基金 / 基金详情

分子凝集相における電子・イオン伝導チャネルの形成と制御

分子凝集相における電子・イオン伝導チャネルの形成と制御
分子聚集相中电子/离子传导通道的形成和控制
批准号:
19017006
负责人:
半那 純一
金额:
$3.07万
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份:
2007
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2007 至 2008

项目摘要

项目成果

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棒状液晶物質をモデルとして、ポリアニリンによるドーピングによる電子伝導、及び、イオン液体によるいイオン伝導のバルクキャリア濃度の制御、及び、それを利用した液晶物質を半導体層とするTFT特性の改善について検討した。ポリアニリンを所定量ドープした8-TTP-8の低電界下での電流特性は、その濃度に依存して増加し、増大し、最大4桁(1wt%時)増大が見られた。一方、ポリアニリンのHOMO準位よりもホールに対してエネルギー的に高いHOMO準位を持つNaphthalene系液晶8-PNP-012ではこの現象は観測できなかった。さらに、ドープされた試料のtime-of-flight法による過渡光電流の測定から、濃度によらず移動度は未ドープの試料と変わらないことから、ポリアニリンは液晶中では液晶分子が形成するスメクティック層の層間に存在しているものと考えられた。8-TTP-8の多結晶薄膜を有機半導体層として作製したボトムゲートFETの素子特性は未ドープのFETの特性に比べ、on電流、及び、ゲート電圧に対する電流の立ち上がりの改善が見られ、移動度は約2倍の0.2cm^2/Vsまで改善された。イオン液体によってドープした8-TTP-8の液晶相ではイオン液体の種類による伝導度の違いはあるものの、いずれの場合も濃度に依存して伝導度の上昇が観測され、結晶相では高濃度ドープした試料を除いてその濃度に係わらず、未ドープ試料の示す伝導度との違いが見られなかった。この特性は、8-PNP-012の場合も基本的に同じ結果を与えた。これらの結果は、ドープされたイオン液体が液晶物質の中で解離し、イオンとして伝導に寄与していることを示している。イオン液体の種類による伝導度の違いは液晶物質中におけるイオン液体の解離の違いによると考えられた。
期刊论文(74)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
DOI: --
发表时间: 2008
期刊:
影响因子: --
作者: [大野玲, 半那純一]
通讯作者: 半那純一
DOI: --
发表时间: 2008
期刊:
影响因子: --
作者: [飯野裕明, 半那純一]
通讯作者: 半那純一
DOI: 10.1063/1.2794709
发表时间: 2007-10
期刊: Journal of Applied Physics
影响因子: 3.2
作者: [A. Ohno;Akihide Haruyama;K. Kurotaki;J. Hanna]
通讯作者: A. Ohno;Akihide Haruyama;K. Kurotaki;J. Hanna
ダイマー構造を有するBiphenyl液晶の電荷輸送特性
二聚体结构联苯液晶的电荷传输特性
DOI: --
发表时间: 2008
期刊:
影响因子: --
作者: [呉, 臼井, 半那]
通讯作者: 半那
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    分子凝集層による電子・イオン伝導チャネルの形成と制御
    • 批准号:
      17041003
    • 项目类别:
      Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
    • 资助金额:
      $3.71万
    • 财政年份:
      2005
    • 负责人:
      半那 純一
    • 依托单位:
    ナノ微粒子-液晶性有機半導体複合系材料の光電物性
    • 批准号:
      17029016
    • 项目类别:
      Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
    • 资助金额:
      $2.88万
    • 财政年份:
      2005
    • 负责人:
      半那 純一
    • 依托单位:
    外場による高速の機能応答性を有する有機半導体材料の創製
    • 批准号:
      14655317
    • 项目类别:
      Grant-in-Aid for Exploratory Research
    • 资助金额:
      $1.6万
    • 财政年份:
      2002
    • 负责人:
      半那 純一
    • 依托单位:
    Si,Ge化合物の酸化還元反応を利用する結晶質半導体薄膜の低温堆積
    • 批准号:
      11120213
    • 项目类别:
      Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
    • 资助金额:
      $1.28万
    • 财政年份:
      1999
    • 负责人:
      半那 純一
    • 依托单位:
    海外基金