回折および分光手法による酸化物表面での局在量子構造解析
回折および分光手法による酸化物表面での局在量子構造解析
批准号:
12130201
负责人:
松原 英一郎
金额:
$50.56万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份:
2000
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2000 至 2004
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放射光やX線による局所構造評価技術を利用し、理論計算グループ(A01班)および分析電子顕微鏡評価グループ(A02班)など他班と連携し、環境とエネルギーをキーワードに、局在量子構造制御による物質創製を目指して、(1)チタン酸化物系光触媒物質の高効率化、(2)高効率太陽電池用SiGe多結晶の創製の2つの課題に取り組んだ。また、新しい局所構造評価技術として、(3)蛍光X線ホログラフィー法の高精度化についても研究を展開し,以下のような主要研究成果を挙げた。1.成膜した非晶質チタン酸化物薄膜を結晶化することによって、高い光触媒活性を示す準安定なアナターゼ相を優先的に成長できることを、アモルファス相からアナターゼ相とルチル相が形成する際のそれぞれのエネルギー変化を見積もることで予測した。これに基づいて実際にレーザーアブレーション法によって非晶質チタン酸化物薄膜を成膜し、基材の材質には無関係にアナターゼ単相の成膜ができることを示した。2.チタン酸化物薄膜やペロブスカイト型チタン複合酸化物粉末を部分硫化することによって、可視光側に広い吸収を示すようになり、高効率な光触媒能が実現できることを計算から予測し、これらの物質の製造にも成功した。3.少量のGeの組成分布を導入して、吸収係数の増加と吸収可能波長域の拡大を実現し、屈折率分布による光散乱により光路長の増加を実現することで光電流の増加による多結晶Si太陽電池の変換効率を改善できることを予測し、実用キャスト成長法を用いて製造したSiGeバルク多結晶を用いて、効率改善を実証した。4.新しい解析アルゴリズムを開発し、新構造解析技術である蛍光X線ホログラフィーの定量化の問題の解決に目処をつけることができた。
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Effects of vicinal steps on the island growth and orientation of epitaxially grown perylene-3.4.9.10-tetracarboxylic dianhydride (PTCDA) thin film crystals on a hydrogen-terminated Si(111) substrate
邻位台阶对氢封端 Si(111) 衬底上外延生长苝-3.4.9.10-四甲酸二酐 (PTCDA) 薄膜晶体的岛生长和取向的影响
DOI:
--
发表时间:
2005
期刊:
J.Crystal Growth 273
影响因子:
--
作者:
[Sazaki G et al.]
通讯作者:
Sazaki G et al.
Y.Azuma et al.: "Growth of SiGe bulk crystal with uniform composition by directly controlling the growth temperature at the crystal-melt interface using in-situ monitoring system"J.Cryst.Growth,. (in press). (2001)
Y.Azuma 等人:“通过使用原位监测系统直接控制晶体-熔体界面的生长温度,生长具有均匀成分的 SiGe 块状晶体”J.Cryst.Growth,。
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
DOI:
10.1016/j.jcrysgro.2003.08.080
发表时间:
2004-02
期刊:
Journal of Crystal Growth
影响因子:
1.8
作者:
[G. Sazaki;T. Fujino;J. Sadowski;N. Usami;T. Ujihara;K. Fujiwara;Yukio Takahashi;E. Matsubara;T. Sakurai;K. Nakajima]
通讯作者:
G. Sazaki;T. Fujino;J. Sadowski;N. Usami;T. Ujihara;K. Fujiwara;Yukio Takahashi;E. Matsubara;T. Sakurai;K. Nakajima
T.Sato, H.Takahashi, E.Matsubara, A.Muramatsu: "Local Atomic Structure and Catalytic Activities in Electrodeposited Mo-Ni Alloys"Materials Transactions. 43・7. 1525-1529 (2002)
T.Sato、H.Takahashi、E.Matsubara、A.Muramatsu:“电解沉积钼镍合金中的局部原子结构和催化活性”材料交易 43・7(2002)。
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
Y.Azuma, et al.: "Growth of SiGe bulk crystal with uniform composition by directly controlling the growth temperature at the crystal-melt interface using in-situ monitoring system"J. Crystal Growth. 224. 204-211 (2001)
Y.Azuma等人:“使用原位监测系统直接控制晶体-熔体界面的生长温度,生长具有均匀成分的SiGe块状晶体”J。
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
共 37 条
X線導波路現象を利用したナノビーム集光素子開発と応用
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批准号:16656192
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项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
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资助金额:$2.24万
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财政年份:2004
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负责人:松原 英一郎
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依托单位:
誘起共析型Ni-Mo合金めっき浴中の錯体構造解析とめっき機構の解明
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批准号:09212216
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$0.51万
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财政年份:1997
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负责人:松原 英一郎
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依托单位:
X線異常散乱法による誘起共析合金メッキ浴中の金属イオンの局所構造
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批准号:08226225
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$0.96万
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财政年份:1996
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负责人:松原 英一郎
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依托单位:
X線異常散乱法による合金メッキ浴中の金属イオンの局所構造
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批准号:07236225
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$0.77万
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财政年份:1995
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负责人:松原 英一郎
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依托单位:
X線全反射法によるステンレス鋼の不動態被膜の構造に関する研究
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批准号:03855140
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.58万
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财政年份:1991
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负责人:松原 英一郎
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依托单位:
二価金属リン酸塩ガラスにおける金属イオンの周りの酸素配位数の精密決定
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批准号:63750699
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.51万
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财政年份:1988
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负责人:松原 英一郎
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依托单位:
電解質水溶液における水和数の直接測定
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批准号:60750660
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.51万
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财政年份:1985
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负责人:松原 英一郎
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依托单位:
海外基金