IIーVI族半導体混晶および超格子における伝導度制御と光物性
IIーVI族半導体混晶および超格子における伝導度制御と光物性
批准号:
03205094
负责人:
末宗 幾夫
金额:
$1.41万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份:
1991
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1991 至 --
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MOCVDで製作したZnSe/ZnSSe超格子において,超格子によるX線回折ピ-クを観測するとともに,断面透過電子顕微鏡(TEM)観察でも一原子層程度の急峻なヘテロ界面が形成されていることを確認した.光学測定においても,理論計算と一致した量子閉じ込め効果によるフォトルミネッセンス(PL)のブル-シフトが観測された.またこうした超格子構造では,通常のエキシトン発光に加えて,二つの電子正孔対が互いに束縛されたバイエキシトン発光も,非常に弱い励起レベルから観測されている.P型伝導に関しては,N添加用原料であるアンモニアガスを熱分解し,より活性なラジカル化によりN取り込み過程を改善する可能性を試みた.その結果,熱分解温度の上昇とともにPLにおけるアクセプタ-エキシトンピ-クの増大が観測され,その有効性が確認された.ZnSe/ZnSSe系ヘテロ構造において,波長450nmのパルス発振ダイレ-ザによりZnSe活性層を直接励起し,室温でレ-ザ発振しきい値10.5kW/cm^2と低い値を観測した.発振波長は室温で470nmの青色領域である.また測定を行なった400Kの高温まで,微分量子効率の顕著な低下はみられず安定な動作が確認された.窒素レ-ザ励起により測定された微分量子効率は20%以上と見積られ,高温まで高い量子効率が期待できる.また最大で24Wの高い光出力が得られており,少なくともパルス動作においては,高出力時にも安定なレ-ザ動作が確認できている.またIIーVI系半導体で,どの程度のレ-ザ特性が期待できるかを理論的に検討し,さらにpinヘテロ構造におけるリ-ク電流の理論的見積りを行った.
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Y.Kuroda: "BlueーLight Stimulated Emission from a Localized State Formed by WellーBarrier Fluctuation in a IIーVI Semiconductor Suppe lattica" Appl.Phys.Lett.
Y.Kuroda:“II-VI 半导体超晶格中势垒涨落形成的局域态的蓝光受激发射”Appl.Phys.Lett。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
I.Suemune: "Doping of Nitrogen in ZnSe Films:Improved Doping Properties in ZnSe/ZnSSe Periodic Layered Structurs Grown on GaAs by MOVPE" J.Crystal Growth. 107. 679-682 (1991)
I.Suemune:“ZnSe 薄膜中的氮掺杂:通过 MOVPE 在 GaAs 上生长的 ZnSe/ZnSSe 周期性层状结构中改善掺杂性能”J.Crystal Growth。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
I.Suemune: "Theoretical Estimation of Leakage Current in IIーVI Heterostructure Lasers" Jpn.J.Appl.Phys.31. L95-L98 (1992)
I.Suemune:“II-VI 异质结构激光器中漏电流的理论估计”Jpn.J.Appl.Phys.31 (1992)。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
K.Nakanishi: "High Output Power (720W) and High Quantum Effeciency in a Photopumped ZnSe/ZnSSe Blue Laser Operating at Room Temperature" Jpn.J.Appl.Phys.30. L1399-L1401 (1991)
K.Nakanishi:“室温下运行的光泵 ZnSe/ZnSSe 蓝色激光器的高输出功率 (720W) 和高量子效率”Jpn.J.Appl.Phys.30。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
K.Nakanishi: "Extremely LowーThreshold and HighーTemperature Operation in a Photopumped ZnSe/ZnSSe Blue Laser" Appl.Phys.Lett.59. 1401-1403 (1991)
K. Nakanishi:“光电泵 ZnSe/ZnSSe 蓝色激光器的极低阈值和高温操作”Appl.Phys.Lett.59 (1991)。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
共 6 条
金属―半導体界面を応用した950nm帯1550nm帯光子生成プロセス制御の研究
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批准号:24246051
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
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资助金额:$6.32万
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财政年份:2012
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负责人:末宗 幾夫
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依托单位:
固体光源から発生する光子対の量子もつれに関する研究とその量子情報応用
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批准号:24226007
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (S)
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资助金额:$54.91万
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财政年份:2012
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负责人:末宗 幾夫
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依托单位:
量子情報応用にむけた半導体結合量子ドット・量子リングの研究
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批准号:10F00065
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$1.22万
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财政年份:2010
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负责人:末宗 幾夫
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依托单位:
半導体3次元微小光共振器を用いた単一光子による量子位相変調の研究
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批准号:15656077
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项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
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资助金额:$2.24万
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财政年份:2003
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负责人:末宗 幾夫
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依托单位:
可視・赤外波長域での多波長同時発光デバイスとその集積化の研究
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批准号:14041201
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$4.61万
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财政年份:2002
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负责人:末宗 幾夫
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依托单位:
可視・赤外波長域での多波長同時発光デバイスとその集積化の研究
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批准号:13026201
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
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资助金额:$2.69万
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财政年份:2001
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负责人:末宗 幾夫
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依托单位:
広いスペクトルを有するIII-V-N窒化物半導体の作成と高効率太陽電池への応用
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批准号:00F00290
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$1.41万
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财政年份:2001
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负责人:末宗 幾夫
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依托单位:
ワイドギャップ半導体を用いた単電子ナノ構造の作製とその集積化に関する基礎研究
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批准号:10127203
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
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资助金额:$0.96万
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财政年份:1998
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负责人:末宗 幾夫
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依托单位:
ワイドギャップ半導体光強閉じ込め系での励起子-フォトン相互作用の研究
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批准号:10875064
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项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
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资助金额:$1.41万
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财政年份:1998
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负责人:末宗 幾夫
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依托单位:
ワイドギャップ半導体を用いた単電子ナノ構造の作製とその集積化に関する基礎研究
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批准号:09233202
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.47万
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财政年份:1997
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负责人:末宗 幾夫
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依托单位:
室温エキシトンによる青色微小光共振器の研究
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批准号:08875061
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项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
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资助金额:$1.41万
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财政年份:1996
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负责人:末宗 幾夫
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依托单位:
量子化された場におけるエキシトン・フォノン、エキシトン・フォトン相互作用の研究
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批准号:06238203
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.28万
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财政年份:1994
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负责人:末宗 幾夫
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依托单位:
ひずみ超格子構造による超高速光デバイスの研究
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批准号:05212212
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.54万
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财政年份:1993
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负责人:末宗 幾夫
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依托单位:
II-VI族半導体混晶および超格子における伝導度制御と光物性
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批准号:04205102
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.15万
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财政年份:1992
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负责人:末宗 幾夫
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依托单位:
ひずみ超格子構造による超高速光デバイスの研究
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批准号:04228211
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$0.96万
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财政年份:1992
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负责人:末宗 幾夫
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依托单位:
IIーVI族半導体混晶および超格子における伝導度制御と光物性
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批准号:02205091
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.66万
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财政年份:1990
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负责人:末宗 幾夫
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依托单位:
出力ビームの電子走査可能な半導体レーザの研究
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批准号:60750279
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.58万
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财政年份:1985
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负责人:末宗 幾夫
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依托单位:
二次元発振半導体レーザの高出力(1ワットクラス)化
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批准号:57750253
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.51万
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财政年份:1982
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负责人:末宗 幾夫
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依托单位:
海外基金