ナノ分子導体の合成化学的アプローチ

纳米分子导体的合成化学方法

基本信息

  • 批准号:
    15073218
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 17.73万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 财政年份:
    2003
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2003 至 2007
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

新規ナノ分子の薄膜デバイス化を検討し,特に有機薄膜トランジスタの材料開発とデバイス作製・評価を中心に研究を行った.その結果,主に以下の成果を得ることが出来た.1.長鎖オリゴチオフェンの有機FET:従来から開発してきた単分散巨大分子である一連の鎖長を持つオリゴチオフェンを半導体層にもつ薄膜トランジスタを作製し,その特性を評価した.その結果,20量体以上の鎖長のもので良好なトランジスタ特性を示し,電界効果移動度は鎖長の伸長に伴い向上することが明らかとなった.また,薄膜中での分子の配向を調査するためXRDを測定したところ,ポリチオフェン薄膜に見られるようなラメラ構造が確認できた.2.含ヘテロ縮合多環芳香族を用いた有機FET:チオフェンンを縮合芳香族中に組み込んだ新規化合物であるジフェニルベンゾチエノベンゾチオフェン(DPh-BTBT)とアルキルベンゾチエノベンゾチオフェン(R_2-BTBT)を開発し,それらを活性層に用いた有機FETを作製・評価した.これらの材料はポリアセン系材料とは大きく異なり,大気中でも極めて安定であった.さらに,この安定性のため,作製したトランジスタも大気中でも安定に駆動でき,また,電界効果移動度は最高で2.0cm^2/Vsに達することが明らかとなった.この移動度は,現在,世界最高レベルであるだけでなく,大気に対しても安定であることから有機FETの実用化に資する材料として注目される.3.拡張含ヘテロ縮合多環芳香族の開発:上記の結果をうけ,さらにπ電子系を拡張したπ電子系であるジナフトチエノチオフェン(DNTT)を開発した.この化合物も期待通り,有機FETにおいて優れた半導体材料として作用し,その電界効果移動度は最高で3.0cm^2/Vsに達した.
In the new regulations, molecular thin films are used to improve the performance of thin films, and special local thin films are used to prepare materials for the research of the research center. The results show that the following results have been successfully obtained. 1. The long-term transmission system has a machine FET: it is necessary to open the system for the dispersion of giant molecules, the operation of the semiconductors, the operation of the thin films, the operation of the devices, the operation of the characteristics. The results show that the temperature of more than 20 body weight is in good condition, and the performance of the electrical industry is high. In the thin film, the molecules in the film are used to determine the temperature in the thin film. 2. The FET is used for multi-aromatic applications: the aromatic compounds are used for new regulations. The FET is used to operate the mobile phone (R_2-BTBT), and the active one is used to activate it. The quality of the material is very high, while that of the material is very stable. In this case, the maximum mobility of the electrical industry is 2.0cm

项目成果

期刊论文数量(117)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
ジナフトチエノチオフェン(DNTT)の薄膜FET
二萘并噻吩并噻吩 (DNTT) 薄膜 FET
  • DOI:
  • 发表时间:
    2007
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    山本達也;他
  • 通讯作者:
キノイド構造を有する新規シクロペンタン縮環型オリゴチオフェンの合成と物性
新型醌型结构环戊烷稠合低聚噻吩的合成及物理性质
  • DOI:
  • 发表时间:
    2006
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    半田小百合;他
  • 通讯作者:
高移動度, 高安定性の有機薄膜トランジスタ材料の開発
高迁移率、高稳定性有机薄膜晶体管材料的开发
  • DOI:
  • 发表时间:
    2006
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    K. Maeda;T. Hara;Ko Furukawa;T. Nakamura;毛利哲夫;Y. Tanaka and K. Yonemitsu;瀧宮 和男
  • 通讯作者:
    瀧宮 和男
2,7-Diphenyl[1]benzoselenopheno[3,2-b][1]benzoselenophene as Stable Organic Semiconductor for High-Performance Field-Effect Transistor,
2,7-二苯基[1]苯并硒酚[3,2-b][1]苯并硒酚作为高性能场效应晶体管的稳定有机半导体,
  • DOI:
  • 发表时间:
    2006
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    H. Ebata;et. al.;青木勝敏;K. Takimiya al.
  • 通讯作者:
    K. Takimiya al.
N-アルキル置換ピロール縮環TTFのFET特性とアルキル鎖伸長による構造変化
N-烷基取代吡咯稠合 TTF 的 FET 特性以及烷基链伸长引起的结构变化
  • DOI:
  • 发表时间:
    2007
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    土井 伊織;他
  • 通讯作者:
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  • 通讯作者:
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  • 通讯作者:
    大坪 徹夫
Asymmetric Synthesis of beta-Lactams Using Chiral-Memory Effect on Photochemical gamma-Hydrogen Abstraction by Thiocarbonyl Group
利用硫代羰基光化学夺取γ-氢的手性记忆效应不对称合成β-内酰胺
  • DOI:
  • 发表时间:
    2008
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    大坪徹夫;他;大坪 徹夫;Masami SAKAMOTO;Masami SAKAMOTO;Masami SAKAMOTO
  • 通讯作者:
    Masami SAKAMOTO

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    $ 17.73万
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    $ 17.73万
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知道了