B中間子のセミレプトニック崩壊と小林益川行列要素の決定

B介子的半轻子衰变及小林益川基质元素的测定

基本信息

批准号：
16028210
负责人：
大野木哲也
金额：
$ 3.78万
依托单位：
Kyoto University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份：
2004
资助国家：
日本
起止时间：
2004 至 2005
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-16028210/
关键词：
小林益川行列素粒子論格子QCD B中間子計算物理

项目摘要

重いクォークを含むハドロンの物理はBファクトリーを始めとして、現在、実験データが豊富に得られている。中でもB中間子の崩壊、振動の実験データに対して、格子QCDを用いてB中間子の電弱遷移行列の理論的な精密決定を行い、クォークレベルでのフレーバー構造を解明することは、標準模型およびそれを超える物理の検証にとって重要である。その中でも重要な遷移行列は、小林益川行列要素|Vub|の決定に必要なB中間子のセミレプトニック崩壊の形状因子である。この精密計算において大きな障害のひとつが、カイラル極限への外挿の不定性と重いクォークの格子化誤差の2つである。それらの問題を解決するために、(1)近年注目されている厳密なカイラル対称性を持つ格子上のフェルミオン(Overlap fermion)の研究、(2)格子上の重いクォークの定式化の研究を行った。(1)に関しては、現在いろいろなグループが数値計算への応用を試みているが、ディラック演算子がゲージ場の関数として不連続性をもつため、その不連続点(トポロジーの境界)で演算子がill-definedになり計算コストが爆発的に増大する。この問題を避けるため、ゲージ配位がこの不連続点に到達することを禁止する新しいゲージ作用を提案し、その性質を詳しく調べた。クェンチ近似の範囲内では、この作用は確かにトポロジーの変化を禁止しつつ、従来の作用がもっていたよいスケーリングの性質を失わない優れた作用であることがわかった。この作用のOverlap fermionへ応用が期待される。(2)に関しては、HQETを用いると、形状因子は、B*Bπ結合とB,B*中間子の崩壊定数で記述できることを明らかにした。現在、B*Bπ結合の格子QCD計算に向けて、格子上の非摂動的HQETの1/M補正の研究を進めている。

当前在包括B Factory在内的大量实验数据中可获得HADRON的物理学，包括重型夸克。特别是，重要的是使用晶状体QCD来确定B介体的Electroweak跃迁序列的理论精度，以实现B-中膜衰变和振动的实验数据，并阐明夸克水平的风味结构，以验证标准模型和物理学的验证。其中，重要的过渡序列是B介子半衰减衰变的形状因子，这对于确定kobayashi masukawa矩阵元素| vub |的确定是必不可少的。在此精确计算中，两个主要障碍是无限期的外推到手性极限和重夸克的晶格误差。为了解决这些问题，我们进行了（1）对严格手性对称性的晶格上的重叠费用的研究，近年来一直引起人们的注意，以及（2）对晶格上重夸克的制定的研究。关于（1），当前各组都试图将其应用于数值计算，但是由于狄拉克运算符的不连续性是量规场的函数，因此操作员在不连续点（拓扑的边界）处不明确，并且计算成本会大大增加。为了避免这个问题，我们提出了一种新的仪表作用，禁止仪表协调达到这种不连续性，并详细检查了其特性。在淬灭近似中，已经发现这种效应是抑制拓扑变化的一种极好的效果，但不会失去常规效应所具有的良好缩放特性。预计该效果将应用于重叠费用。关于（2），据揭示了使用HQET，可以用B*Bπ键和B，B* Meson的衰减常数描述。目前，我们正在对晶格上非扰动HQET的1/m校正进行研究，以准备B*B*Bπ键的晶格QCD计算。