ナノ多面体クラスタSi20およびGe20系超伝導体

纳米多面体团簇 Si20 和 Ge20 基超导体

• 批准号: 17038001
• 负责人: 谷垣 勝己
• 金额: $ 4.35万
• 依托单位: Tohoku University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
• 财政年份: 2005
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2005 至 2006
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-17038001/
• 关键词: クラスレート; フォノン; 超伝導; IV族元素; 結晶構造; 電子物性; ラットリング

SiとGeは同じIV族元素であるが、これらの元素から形成される多面体構造物質の物性は異なる。例えば、Ba_<24>Ge_<100>とBa_<24>Si_<100>物質は結晶学的に同等な物質であるが、その電子物性は大きく異なる事をみいだしている。本物質系において重要なことは、(1)超伝導転移臨界温度Tcの圧力依存性は、2つの物質では逆である。(2)結晶学的に、ネットワーク構造は2つの物質で同じであるが、クラスタ内部のBa原子のラットリング運動が異なる。(3)得られた物性パラメータは、構造が同じであるとしてSi_<100>とGe_<100>の物性データをスケーリングできない、ことである。この3つの実験事実は、Baのラットリングフォノンが電子物性に大きく関係している可能性を示唆している。同様の研究を、Ba_8Ga_<16>Si_<30>およびBa_8Ga_<16>Ge_<30>に対して、軟X線光電子分光の観点から行ったところ、バンドギャップならびに表面安定性が2つの物質系で異なることを見出した。これは、Si原子を構成要素とする多面体物質は、表面で酸素の影響を受け易いのに対して、Ge原子を構成要素とする多面体物質は表面においても酸素の影響を受け難いという事実に起因していると考えられる。また、熱起電力の温度依存性からもSi多面体とGe多面体では、状況が異なることを確認した。この理由は、多面体骨格の内部に存在するBaの自由度が、カゴ構造を有する多面体の内部空間との関係で、Si物質とGe物質で異なるからであると考えられる。

Si and Ge are the same as IV group elements, and the physical properties of polyhedral structural materials are different. For example, Ba_<24>Ge_<100>Ba_<24>Si_<100>substances are crystallographic equivalents, and their electronic properties are different. This material system is very important,(1) the pressure dependence of the critical temperature Tc of the ultrasonic conduction transition, and (2) the material is very important. (2)Crystallographic structure is the same as that of Ba atoms in the interior. (3)The physical properties of Si_<100>Ge_<100>Ge 3. The possibility of electronic properties is discussed. In the same way, Ba_8Ga_<16>Si_<30>2 and Ba_8Ga_<16>Ge<30>_2 have been studied, and the surface stability of soft X-ray photoelectron spectroscopy has been investigated. The effect of Si atom on the surface of polyhedral substance is easy to be detected. The temperature dependence of thermal power is confirmed by the difference between Si polyhedron and Ge polyhedron. The reason for this is that there is a degree of freedom in the interior of the polyhedron, a relationship between the structure and the interior space of the polyhedron, and a difference between Si and Ge substances.

项目成果

Superconducting phase sequence in RxC60 fullerides (R=Sm and Yb)

• DOI: 10.1103/physrevb.73.094509
• 发表时间: 2006-03-01
• 期刊: PHYSICAL REVIEW B
• 影响因子: 3.7
• 作者: Akada, M;Hirai, T;Tanigaki, K
• 通讯作者: Tanigaki, K

IV族クラスタの科学

IV族星团的科学

• 发表时间: 2005
• 期刊: 現代科学 412
• 作者: Misaho Akada;Toshinari Hirai;Katsumi Tanigaki;谷垣勝己
• 通讯作者: 谷垣勝己

Electric Transport and Modulated Density of States in Rotational Order and Disorder in Na_2CsC_<60>

Na_2CsC_<60>中旋转有序态和无序态的电输运和调制密度

• 发表时间: 2006
• 期刊: Multifunctional Conducting Molecular Materials Special issue
• 作者: M.Akada;T.Yamamoto;R.Kumashiro;A.Hojyo;H.Matsui;N.Toyota;J.P.Lu;K.Tanigaki
• 通讯作者: K.Tanigaki

Rubrene single crystal field-effect transistor with epitaxial BaTiO3 high-kgate insulator

具有外延BaTiO3高k栅极绝缘体的红荧烯单晶场效应晶体管

• 发表时间: 2006
• 期刊: App. Phys. Letters 89
• 作者: N.Hiroshiba;R.Kumashiro;K.Tanigaki;T.Takenobu;Y.Iwasa;K.Kotani;I.Kawayama;M.Tonouchi
• 通讯作者: M.Tonouchi

Ferromagnetic ordering in a new nickel polyborate NiB_<12>O_<14>(OH)_<10>

新型聚硼酸镍 NiB_<12>O_<14>(OH)_<10> 中的铁磁有序化

• 发表时间: 2006
• 期刊: Dalton Trans. 7 S1
• 作者: J.Ju;J.Sasaki;T.Yang;S.Kasamatsu;E.Negishi;G.Li;J.Lin;H.Nojiri;T.Rachi;K.Tanigaki;N.Toyota
• 通讯作者: N.Toyota