シリコンナノ物質の薄膜化と半導体素子構造による電子物性の研究

硅纳米材料减薄电子特性及半导体器件结构研究

基本信息

  • 批准号:
    18651075
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 2.24万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Exploratory Research
  • 财政年份:
    2006
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2006 至 2007
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

ナノクラスタ物質およびゼオライトについて、電子デバイス基板上への薄膜形成および構造の解明を行うことを意図して、これらの物質の基本物性を研究した。ゼオライトに関して、周期的ナノ構造を有する薄膜を2種類の方法により作成した。まず第1の方法は、ゼオライト化合物の前駆体となる低分子化合物を基板上に気相で成膜して、その後触媒存在下で加熱する方法である。第2の方法は、シリコン元素から構成されるナノクラスタ物質系に適用される方法で、予め薄膜を成膜しておいて、その薄膜をナノ空間を有する物質に変換する方法である。上述の2つの方法とも薄膜形成は真空チャンバー内で行った。真空チャンバーは有機薄膜作成用に設計した真空装置を用いて、膜質制御用に温度変化が可能な基板ホルダーを作成して設置し、膜厚計のレイアウトを最適化することで目的のナノ構造物質薄膜を得ることを試みた。得られた薄膜の結晶構造については、X線回折測定により結晶性や配向性の観点から検討した。特に、SPring-8などの放射光施設の強力なX線の下、基板表面に対して極めて浅い角度(0.2度程度)で入射することにより本物質系の精密測定が可能となった。研究を遂行した、ゼオライト薄膜においては、成膜した膜がもろく、アルカリ金属などをドープした際に結晶構造が乱れるという結果が得られた。従って、さらに構造的に強い薄膜を形成する技術を開拓する必要がある。一方、シリコン系物質に対しては、変換領域が表面の一部だけに留まるという結果が得られた。表面全体における転換手法のための改良が必要とされる。
Study on the basic physical properties of thin film formation and structure on substrates with high temperature and high temperature. There are two kinds of methods for making thin films. The first method comprises the steps of forming a film on a substrate by using a precursor of a compound and heating the film in the presence of a post-catalyst. The second method includes a method for forming a thin film, a method for converting a substance into a thin film, and a method for converting a substance into a thin film. The above mentioned 2 methods of film formation are not vacuum. Vacuum device design for organic thin film production, film quality control, temperature control, substrate preparation, film thickness control, optimization, etc. The crystalline structure of the thin film was determined by X-ray reflection, and the crystallinity and alignment were determined by X-ray reflection. In particular, SPring-8 is designed to emit intense X-rays at shallow angles (about 0.2 degrees) on the surface of the substrate, making it possible to accurately measure the substance system. The results of the study were as follows: (1) the formation of thin films;(2) the formation of thin films; and (3) the formation of thin films. It is necessary to develop a new technology for the formation of thin films. A party, a party. It is necessary to improve the replacement methods for all surfaces.

项目成果

期刊论文数量(54)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Phonon Engineering using Endohedral Nano Space in Clathrates
在包合物中使用内嵌纳米空间的声子工程
  • DOI:
  • 发表时间:
    2007
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    T. Rachi;R. Kumashiro;H. Fukuoka;S. Yamanaka and K. Tanigaki,
  • 通讯作者:
    S. Yamanaka and K. Tanigaki,
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  • 发表时间:
    2007
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    J. Ju (Sp);J. Sasaki;T. Rachi;K. Tanigaki;N. Toyota
  • 通讯作者:
    N. Toyota
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  • DOI:
  • 发表时间:
    2006
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
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    2024
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利用过渡金属氧化物薄膜开发氢离子诱导的量子物理性质和化学器件应用
  • 批准号:
    23H02045
  • 财政年份:
    2023
  • 资助金额:
    $ 2.24万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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