内部配列空間発光物質を適用した有機電界発光トランジスタの開拓
内部配列空間発光物質を適用した有機電界発光トランジスタの開拓
批准号:
08F08372
负责人:
谷垣 勝己
金额:
$1.92万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
财政年份:
2008
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2008 至 2010
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本研究の目的は、両極性有機半導体を用いた電界効果型素子構造(FET)によるレーザー発光トランジスタの実現である。昨年度までに実施した研究により、デバイス基板表面の化学修飾によって、電子と正孔がうまくバランスした高キャリア濃度の素子を作製可能であることが分かった。そこで当該年度は、この表面化学修飾技術を適用しつつ、高い発光効率をもった有機半導体を探索してデバイス化することにより有機レーザー発光トランジスタの実現を目指した。有機分子は結晶化の際に主にH会合体構造とJ会合体構造を形成するものに分類される。H会合体はπ電子雲の重なりが大きく電流を流しやすい性質をもつ半面、発光効率が低いという問題がある。また逆に、J会合体は分子間相互作用が弱く発光効率は大きいが、電流を流しにくいという一般的傾向をもつ。有機レーザー発光トランジスタの実現には、H会合体が持つ電流の流しやすさ(高移動度)と、J会合体が示す高い発光効率を併せ持つことが有利と考えられる。本研究では、この二つの性質を併せ持った物質の探索を進めたが、共同研究先である中国吉林大学のグループがこのような目的のもと合成した2,5-diphenyl-1,4-distyrylbenzene (trans-DPDSB)を単結晶化し、FET素子を作製して、その電気伝導特性と発光特性を調べた。この物質はJ会合体の単結晶となるため、移動度は比較的低めであったが、発光効率が非常に大きいためにFET素子において明瞭な発光が認められた。この研究によって、上記のようなH会合体とJ会合体の性質のバランスのとりかたによって、発光特性の向上が望めることが確認できた。
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FET characteristic of Chemically-Modified CNT.
化学改性碳纳米管的 FET 特性。
DOI:
--
发表时间:
2009
期刊:
Materials Research Society Sympsium Proceedings 1154
影响因子:
--
作者:
[Shekhar Nath, Rong Tu, Takashi Goto, Yan Wang, Yan Wang, Yan Wang, Yan Wang, Ryotaro Kumashiro]
通讯作者:
Ryotaro Kumashiro
DOI:
10.1063/1.3153946
发表时间:
2009-06
期刊:
Journal of Applied Physics
影响因子:
3.2
作者:
[Yan Wang;R. Kumashiro;R. Nouchi;Naoya Komatsu;K. Tanigaki]
通讯作者:
Yan Wang;R. Kumashiro;R. Nouchi;Naoya Komatsu;K. Tanigaki
Ambipolar Field-effect Transistors of 2,5-bis(4-biphenylyl) bithiophene(BP2T) single Crystal
2,5-双(4-联苯基)联噻吩(BP2T)单晶双极场效应晶体管
DOI:
--
发表时间:
2009
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Shekhar Nath, Rong Tu, Takashi Goto, Yan Wang, Yan Wang, Yan Wang, Yan Wang, Ryotaro Kumashiro, Yan Wang, Yan Wang, Yan Wang, Yan Wang, Yan Wang, Yan Wang, Yan Wang]
通讯作者:
Yan Wang
DOI:
--
发表时间:
2008
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Aldes Lesbani, et al., Y. Wang, R. Kumashiro]
通讯作者:
R. Kumashiro
DOI:
--
发表时间:
2009
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Shekhar Nath, Rong Tu, Takashi Goto, Yan Wang, Yan Wang, Yan Wang, Yan Wang, Ryotaro Kumashiro, Yan Wang, Yan Wang, Yan Wang, Yan Wang, Yan Wang]
通讯作者:
Yan Wang
共 13 条
ハイブリッドナノ材料を基本とする新規光センサーおよび発光トランジスタ
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批准号:15F15071
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$1.47万
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财政年份:2015
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负责人:谷垣 勝己
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依托单位:
電子デバイスへ向けたナノ空間物質の研究
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批准号:10F00055
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$1.22万
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财政年份:2010
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负责人:谷垣 勝己
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依托单位:
ホールおよび電子型鉄系超電導体
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批准号:10F00026
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$1.22万
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财政年份:2010
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负责人:谷垣 勝己
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依托单位:
グラフェンへの制御された金属電極接合系の創成
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批准号:09F09065
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$1.28万
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财政年份:2009
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负责人:谷垣 勝己
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依托单位:
d-系列およびf-系列元素を置換した軽元素ネットワーク幾何超伝導物質の開拓
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批准号:19014001
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$4.16万
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财政年份:2007
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负责人:谷垣 勝己
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依托单位:
内包フラーレン固体の物性:閉じ込められた空間における分子および単一原子
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批准号:07F07025
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$1.92万
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财政年份:2007
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负责人:谷垣 勝己
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依托单位:
シリコンナノ物質の薄膜化と半導体素子構造による電子物性の研究
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批准号:18651075
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项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
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资助金额:$2.24万
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财政年份:2006
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负责人:谷垣 勝己
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依托单位:
配列ナノ空間を利用した新物質科学
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批准号:17631005
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额:$2.24万
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财政年份:2005
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负责人:谷垣 勝己
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依托单位:
ナノ多面体クラスタSi20およびGe20系超伝導体
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批准号:17038001
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$4.35万
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财政年份:2005
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负责人:谷垣 勝己
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依托单位:
クラスレート系構造化合物の合成・構造・物性
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批准号:11165237
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
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资助金额:$4.93万
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财政年份:1999
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负责人:谷垣 勝己
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依托单位:
海外基金