内部配列空間発光物質を適用した有機電界発光トランジスタの開拓

使用内部排列空间发光材料的有机电致发光晶体管的开发

基本信息

  • 批准号:
    08F08372
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 1.92万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
  • 财政年份:
    2008
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2008 至 2010
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

本研究の目的は、両極性有機半導体を用いた電界効果型素子構造(FET)によるレーザー発光トランジスタの実現である。昨年度までに実施した研究により、デバイス基板表面の化学修飾によって、電子と正孔がうまくバランスした高キャリア濃度の素子を作製可能であることが分かった。そこで当該年度は、この表面化学修飾技術を適用しつつ、高い発光効率をもった有機半導体を探索してデバイス化することにより有機レーザー発光トランジスタの実現を目指した。有機分子は結晶化の際に主にH会合体構造とJ会合体構造を形成するものに分類される。H会合体はπ電子雲の重なりが大きく電流を流しやすい性質をもつ半面、発光効率が低いという問題がある。また逆に、J会合体は分子間相互作用が弱く発光効率は大きいが、電流を流しにくいという一般的傾向をもつ。有機レーザー発光トランジスタの実現には、H会合体が持つ電流の流しやすさ(高移動度)と、J会合体が示す高い発光効率を併せ持つことが有利と考えられる。本研究では、この二つの性質を併せ持った物質の探索を進めたが、共同研究先である中国吉林大学のグループがこのような目的のもと合成した2,5-diphenyl-1,4-distyrylbenzene (trans-DPDSB)を単結晶化し、FET素子を作製して、その電気伝導特性と発光特性を調べた。この物質はJ会合体の単結晶となるため、移動度は比較的低めであったが、発光効率が非常に大きいためにFET素子において明瞭な発光が認められた。この研究によって、上記のようなH会合体とJ会合体の性質のバランスのとりかたによって、発光特性の向上が望めることが確認できた。
The purpose of this study is to realize the application of polar organic semiconductors in the field of electronic field effect transistor (FET). Last year, the study was carried out to investigate the possibility of chemical modification of the substrate surface, electron and positive hole, and the possibility of manufacturing high concentration of electrons. This year, the application of surface chemical modification technology to organic semiconductors with high light emission efficiency has been pointed out. The classification of organic molecules during crystallization H cluster π electron cloud heavy, high current, low light efficiency The interaction between molecules is weak, the efficiency of light is large, and the current flow is general. In the case of organic light emission, the H-and J-clusters show a high light emission efficiency, while the H-and J-clusters show a high light emission efficiency. In this paper, we have studied the synthesis of 2,5-diphenyl-1,4-distyrylbenzene (trans-DPDSB), the crystallization of FET elements, the modulation of electrical conductivity and optical emission properties. This material will be combined with the crystal, mobility is relatively low, light emission efficiency is very large, FET element, light emission is recognized. The research on the properties of the H-type and J-type polymers is carried out in detail.

项目成果

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会议论文数量(0)
专利数量(0)
FET characteristic of Chemically-Modified CNT.
化学改性碳纳米管的 FET 特性。
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  • DOI:
    10.1063/1.3153946
  • 发表时间:
    2009-06
  • 期刊:
  • 影响因子:
    3.2
  • 作者:
    Yan Wang;R. Kumashiro;R. Nouchi;Naoya Komatsu;K. Tanigaki
  • 通讯作者:
    Yan Wang;R. Kumashiro;R. Nouchi;Naoya Komatsu;K. Tanigaki
Ambipolar Field-effect Transistors of 2,5-bis(4-biphenylyl) bithiophene(BP2T) single Crystal
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  • DOI:
  • 发表时间:
    2009
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Shekhar Nath;Rong Tu;Takashi Goto;Yan Wang;Yan Wang;Yan Wang;Yan Wang;Ryotaro Kumashiro;Yan Wang;Yan Wang;Yan Wang;Yan Wang;Yan Wang;Yan Wang;Yan Wang
  • 通讯作者:
    Yan Wang
Physical Properties of Physically and Chemically Doped Nano-Carbon Materials
物理化学掺杂纳米碳材料的物理性能
  • DOI:
  • 发表时间:
    2008
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Aldes Lesbani;et al.;Y. Wang;R. Kumashiro
  • 通讯作者:
    R. Kumashiro
Modification of Interfaces in Organic Light-emitting Field-effect Transistors
有机发光场效应晶体管界面的修饰
  • DOI:
  • 发表时间:
    2009
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Shekhar Nath;Rong Tu;Takashi Goto;Yan Wang;Yan Wang;Yan Wang;Yan Wang;Ryotaro Kumashiro;Yan Wang;Yan Wang;Yan Wang;Yan Wang;Yan Wang
  • 通讯作者:
    Yan Wang
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知道了